Глубина - проникновение - электрон
Cтраница 2
С ростом величины ускоряющего напряжения повышается стоимость аппаратуры, увеличивается интенсивность рентгеновского излучения, затрудняется экранировка, увеличивается глубина проникновения электронов. [16]
Автором настоящей статьи в 1960 г. [23] была предложена методика расчета зависимости интенсивности спектральной линии от состава, основанная на учете глубины проникновения электронов в анод, поглощения характеристического излучения и флуоресцентного селективного возбуждения. Для характеристики этих процессов были использованы экспериментальные данные, полученные при анализе эталонных образцов. [17]
При оценке различия инерционных свойств свечениям величины отдачи в случае возбуждения люминесценции светом и электронами основной упор был сделан на высокую мощность электронного возбуждения, которая усилена малой глубиной проникновения электронов. Экспериментальная проверка такого заключения трудна из-за невозможности уравнять в обоих случаях условия возбуждения люминофора. Даже при равном времени возбуждения и одинаковой нагрузке ( ватты на см2 в сек) доля поглощаемой люминофором энергии различна. Для получения сравнимых результатов необходимо относить изменения яркости или отдачи к одинаковой поглощаемой мощности в единице объема. Для этого можно работать на слое монокристалла, который является бесконечно толстым для электронов, и, задавшись определенным законом поглощения, на основании его определять глубину проникновения электронов и вероятную толщину рабочего слоя. Гораздо лучшие результаты должна дать работа на очень тонких слоях, которые заведомо простреливаются по всей толщине в рабочем диапазоне напряжений. [18]
Электроны взаимодействуют с веществом более сильно ( на несколько порядков) и поэтому дифракция их происходит в тонких слоях вещества толщиной 10 - 7 - 10 - 5 см. При съемках на отражение глубина проникновения электронов в вещество достигает 3 - 5 нм. Электроны рассеиваются на атоме значительно сильнее, чем рентгеновские лучи и нейтроны. [19]
Расчеты показывают, что электроны в зависимости от разгоняющего напряжения и свойств металла могут проникать на глубину нескольких десятков и даже сотен микрометров. Глубина проникновения электронов в металл невелика, но учет ее позволяет объяснить некоторые эффекты, связанные с особенностями электронного нагрева при сварке. [20]
 |
Некоторые методы оптической диагностики. [21] |
В методе ДМЭ пучок медленных электронов ( до 500 эВ), падая на поверхность монокристаллов, упруго рассеивается поверхностными атомами и образует систему дифракционных пучков, отображающих двумерное периодическое расположение поверхностных центров рассеяния. При таких энергиях глубина проникновения электронов составляет около 0 3 - 1 н.м. Упругоотраженпые электроны после прохождения сеток, необходимых для удаления неупруго-рассеянных электронов, ускоряются ( потенциалом около 5 кВ) и на люминесцентном экране образуют системы рефлексов, отображающих поверхностную структуру. [22]
 |
Прохождение плоской волны через отверстие в экране. [23] |
ДИФРАКЦИЯ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - дифракция электронов с энергиями от десятков до сотен эВ; один из осн. Толщина исследуемого слоя определяется глубиной проникновения электрона в кристалл без потери энергии. [24]
В отожженной стали частицы карбидов располагаются, главным образом, по плоскостям границ зерен и двойников. Их толщина, найденная по глубине проникновения электронов, находится в пределах от 100 до 1000 А, а при дальнейшем росте достигает порядка микронов. Частицы карбидов на границах зерен имеют такую же кристаллографическую ориентацию, как и основное вещество по одну сторону границы [48], а соседние плоскости определяют их когерентный рост. [25]
Толщина слоя диэлектрика мишени определяется условиями получения возбужденной проводимости при не очень больших энергиях электронов записывающего пучка. Максимальное значение возбужденная проводимость имеет тогда, когда глубина проникновения электронов не меньше толщины слоя. Например, для большинства диэлектриков, применяемых в качестве мишеней потенциа-лоскопов ( кварц, фтористый магний, фтористый кальций), глубина проникновения электронов при энергии 10 кэв оказывается менее 1 мкм. Поэтому оптимальной толщиной следует считать величину 0 5 - 0 8 мкм при энергии записывающего пучка 10 - 12 кэв. [26]
 |
Резонансный трансформатор. [27] |
Преимуществом источников быстрых электронов с точки зрения радиационной химии является возможность полного поглощения излучения облучаемым предметом. Однако в этом заключается и недостаток этих источников, поскольку глубина проникновения электронов в вещество не превышает нескольких миллиметров, в лучшем случае нескольких сантиметров. Следствием этого может быть неравномерность облучения. [28]
Применение электронно-лучевой обработки для модификации триботехнических свойств материалов имеет определенные преимущества по сравнению с другими видами обработки концентрированными потоками энергии. Главным образом это связано с достижением большего сечения пучка, возможностью изменения глубины проникновения электронов, независимостью от оптических свойств поверхности обрабатываемого материала. Использование интенсивных импульсных электронных пучков [146-154] позволяет путем изменения параметров облучения: энергии электронов Е, плотности энергии пучка Es, длительности импульса t - влиять на пространственное распределение выделенной энергии и динамику тепловых полей в приповерхностных слоях твердых тел. При этом формирование структуры и фазового состава материалов определяется совокупностью протекающих микро - и макропроцессов, отражающих соответственно прохождение электронов в веществе и рассеяние энергии. [29]
Применение электронно-лучевой обработки для модификации триботехнических свойств материалов имеет определенные преимущества по сравнению с другими видами обработки концентрированными потоками энергии. Главным образом это связано с достижением большего сечения пучка, возможностью изменения глубины проникновения электронов, независимостью от оптических свойств поверхности обрабатываемого материала. Es, длительности импульса t - влиять на пространственное распределение выделенной энергии и динамику тепловых полей в приповерхностных слоях твердых тел. При этом формирование структуры и фазового состава материалов определяется совокупностью протекающих микро - и макропроцессов, отражающих соответственно прохождение электронов в веществе и рассеяние энергии. [30]
Страницы: 1 2 3