Глубина - отрицательная обратная связь
Cтраница 1
Глубина отрицательной обратной связи меняется переключателем Усиле-ниех. [1]
 |
Контур регулирования механизма пресинаптического тормошения. [2] |
V - глубина отрицательной обратной связи, / i; - постоянная времени процесса деполяризации. [3]
 |
Включение стабилитронов в эмиттерную цепь усилителя с непосредственной связью для уменьшения влияния отрицательной обратной связи.| Комплементарный усилитель с непосредственной связью. [4] |
Для уменьшения глубины отрицательной обратной связи и увеличения, таким образом, коэффициента усиления в эмиттерные цепи каскадов следует включить элемент, сопротивление которого по постоянному току велико, а по переменному - мало. Таким элементом является стабилитрон, при включении которого необходимо, чтобы эмиттерный ток транзистора изменялся в пределах рабочего диапазона токов стабилитрона. [5]
Для уменьшения глубины отрицательной обратной связи и увеличения, таким образом, коэффициента усиления в эмиттерные пепи каскадов следует включить э-лемент, сопротивление которого по постоянному току велико, а по переменному - мало. Таким элементом является стабилитрон, при включении которого необходимо, чтобы эмиттерный ток транзистора изменялся в пределах рабочего диапазона токов стабилитрона. [6]
Изменяя потенциометром глубину отрицательной обратной связи по току, в схеме 4.30 можно получить изменение коэффициента усиления в Зч - б раз. При этом предполагается, что конденсатор С имеет большую емкость. [7]
 |
Дифференциальные каскады. [8] |
Для синфазных сигналов глубина отрицательной обратной связи, вносимой сопротивлением R3 и подавляющей синфазные сигналы, здесь оказывается равной l 2SR3, где 5 - крутизна характеристики выходного тока одного усилительного элемента каскада в точке покоя. [9]
Однако практически такую глубину отрицательной обратной связи в схеме рис. 2.8 реализовать не удается. Поэтому ее стабильность в широком диапазоне температур часто оказывается недостаточной. Кроме того, режим работы схемы не остается постоянным при смене транзисторов из-за разброса их параметров. [10]
В каскаде с ОЭ глубина отрицательной обратной связи через гэ мала и поэтому зависимость выходного сопротивления от изменения сопротивления источника проявляется весьма слабо. [11]
При увеличении R3 возрастает глубина отрицательной обратной связи, что также приводит к уменьшению коэффициента усиления. [12]
В линейном режиме увеличение глубины отрицательной обратной связи как по току, так и по напряжению уменьшает сдвиги фаз между входным и выходным сигналами. [13]
I bk обратно пропорциональна глубине Foc отрицательной обратной связи. В такой же степени снижается и аддитивная погрешность. [14]
Почему стабильность улучшается с увеличением глубины отрицательной обратной связи. Как влияет обратная связь на частотную и фазовую характеристики усилителя. [15]
Страницы: 1 2 3 4