Глубина - отрицательная обратная связь
Cтраница 2
 |
Схема РУ с управлением по току эмиттера и напряжению на коллекторе с дополнительным управляющим транзистором в коллекторной цепи. [16] |
Иногда регулировку усиления производят изменением глубины отрицательной обратной связи. При этом составляют схемы, показанные на рис. 6 д и е, где вместо переменных резисторов включают какие-либо управляемые нелинейные элементы - диоды, лампы, транзисторы, у которых может меняться дифференциальное сопротивление ( сопротивление переменному току) в зависимости от изменения постоянного напряжения на их электродах. [17]
Величины К и Q определяются глубиной отрицательных обратных связей, охватывающих усилитель и частотно-избирательный усилитель. [18]
Изменение сопротивления термистора приводит к изменению глубины отрицательной обратной связи, что меняет коэффициент усиления К. [19]
Из каких соображений выбирают схему и глубину отрицательной обратной связи в трансляционных усилителях. [20]
Из каких соображений выбирают схему и глубину отрицательной обратной связи в усилителях, используемых в измерительной аппаратуре. [21]
Из каких соображений выбирают схему и глубину отрицательной обратной связи в трансляционных усилителях. [22]
Из каких соображений выбирают схему и глубину отрицательной обратной связи в усилителях, используемых в измерительной аппаратуре. [23]
 |
Цепь с обратной связью. [24] |
Нелинейные искажения и усиление уменьшаются пропорционально глубине отрицательной обратной связи. [25]
Таким образом, дополнительные делители позволяют уменьшить глубину отрицательной обратной связи во втором и третьем каскадах, что приводит к увеличению коэффициента усиления всего УПТ. [26]
 |
Принципиальная схема каскада с высокочастотной коррекцией ( а и эквивалентная схема выходной цепи ( б. [27] |
С повышением частоты сопротивление Z0, определяющее глубину отрицательной обратной связи, уменьшается и коэффициент усиления каскада возрастает. Таким образом происходит компенсация снижения коэффициента усиления в области высоких частот, обусловленного влиянием параметров транзистора. [28]
При решении многих технических задач целесообразно максимизировать глубину отрицательной обратной связи в широкой полосе частот. Созданные до настоящего времени линейные усилители для таких систем связи проектируют с ишользова-нием теории и методов Г. В. Боде и в них достигают ( предельной по Боде глубины обратной связи. [29]
 |
К определению добротности уси. [30] |
Страницы: 1 2 3 4