Глубина - выход
Cтраница 1
 |
Принципиальная блок-схема фото - ( рентгено-электронного спектрометра. [1] |
Глубина выхода А, зависит, конечно, от характера образца ( плотности и упаковки), энергии связи электронов, а значит, и Ект, угла эмиссии фотоэлектронов. [2]
 |
Спектральные характеристики фотоэффекта в Si.| Спектральные характеристики Cs3Sb, Cs2Fe и Cs. I. [3] |
Глубина выхода фотоэлектронов из полупроводников определяется энсргетич. [4]
 |
Полуэмпирическая зависимость длины рассеяния электрона L ( E от энергии Е, отсчитанной от потолка валентной зоны в CuPhc [ 62. [5] |
С глубина выхода электронов составляет 6 - 10 А. Учитывая малые величины выхода генерации свободных носителей в органических кристаллах в отсутствие больших внешних электрических полей ( см. разд. [6]
Как определяется глубина выхода фотоэлектронов. [7]
 |
Сравнение одноэлектронной плотности состояний золота, полученной методом УФЭС ( Спайсер, 1970 и методом РФЭС ( Зигбан и др., 1967. [8] |
Экспериментальное измерение глубин выхода электронов не дает величину, которая бы прямо соответствовала длине свободного пробега относительно неупругих процессов. Это происходит потому, что в эксперименте наблюдается уменьшение числа выходящих электронов при возрастании толщины наносимого на поверхность слоя атомов. Эта величина включает как неупругие, так и упругие процессы рассеяния. Этот вопрос всесторонне обсуждается в работе Танума и др. ( 1990), которые предлагают метод расчета длины свободного пробега относительно неупругого рассеяния, основанный на знании экспериментальных оптических величин. [9]
Имеющиеся данные о глубине выхода подобных соединений колеблются от нескольких ангстрем до - 100 А. В этой части книги мы будем исходить из предположения, что процесс фотоэмиссии носит объемный характер. [10]
 |
Зависимости квантового выхода внешнего фотоэффекта 1 и коэфф. отраже - [ IMAGE ] Спектральные характе-ния R от энергии фотонов ристики фотоэффекта для неко - hv для пленки Аи. торых металлов. [11] |
Это подтверждается результатами прямых измерений глубины выхода фотоэлектронов из металлов, достигающей неск. Малость же J между v0 и V, , объясняется, по-видимому, тем, что из-за большого отражения лишь малая доля света из этой области частот проникает в металл и поглощается в нем. [12]
Внешний фотоэффект с чистых металлов, определение глубины выхода электронов, распределение скоростей выходящих фотоэлектронов, зависимость фототока от длины волны света и температуры тела - все эти вопросы изучались как теоретически, так и экспериментально. Эксперимент во всех случаях хорошо подтвердил ожидания теоретических расчетов. [13]
Оже-электроны одного и того же элемента различаются по глубине выхода - электроны с более высокой энергией выходят с большей глубины. [14]
Кроме того, поглощение в этой области невелико и толщина слоя металла, в к-ром оно происходит ( скин-слой, см. Скин-эффект), превышает глубину выхода фотоэлектронов. [15]
Страницы: 1 2 3 4