Глубина - выход
Cтраница 3
Глубина заложения труб морского выпуска в дно моря зависит от теологического строения и уклонов дна моря, донных скоростей, расположения выпуска и конфигурации берега, условий перемещения донных наносов в районе выпуска. Там, где нет крупных перемещающихся наносов и где донные скорости невелики, возможно значительное уменьшение глубины выхода труб. [31]
Лш-10 эВ), то ударная ионизация невозможна и фотоэлектроны теряют свою энергию на генерацию оптич. Поэтому длина, на к-рой фотоэлектрон рассеивает значит, часть своей энергии и теряет возможность выйти в вакуум ( глубина выхода), оказывается значительно большей и в ряде случаев достигает неск. Квантовый выход Y растет с уменьшением х и при х у может достигать величины Ю 1 электрон / фотон. [32]
Эти три спектрографических метода эффективны для анализа поверхностей вследствие значительной информации, получаемой при возбуждении нескольких первых атомных слоев. Недавний обзор [40] показал, что глубина выхода электронов, как правило, в два раза меньше для ЭОС чем для РФЭС ( преимущественно вследствие более низких значений кинетической энергии выбиваемых электронов) и что глубина выхода электронов в методе УФЭС может значительно изменяться. Типичными интервалами глубин являются: для ЭОС - 0 2 - 2 4 нм, для РФЭС - 0 7 - 4 0 нм и для УФЭС - 0 3 - 5 0 нм. Эти вариации в глубинах выхода электронов являются причиной трудностей количественных измерений. Метод ЭОС использовался более часто и более успешно для зтой цели, чем другие два метода. Посредством подбора подходящей линии спектра с соответствующей энергией метод РФЭС может быть использован для количественных измерений. [33]
Чувствительность ЭОС к поверхностному составу объясняется тем, что как для испускаемых, так и для первичных электронов длина свободного пробега в металле ограниченна. К тому же наиболее важные оже-пики находятся в интервале 20 - 1000 эВ, что соответствует длине свободного пробега электронов 0 5 - 5 нм. Глубина выхода оже-элек-тронов в основном определяет чувствительность метода по глубине, и оже-электроны низкой энергии на металлах с высокими атомными номерами имеют, по-видимому, наименьшую глубину выхода. [34]
При использовании источников ультрафиолетового излучения необходимо помнить о слабых линиях, которые, как правило, сопровождают основное излучение. Пренебрежение возможностью влияния этих относительно слабых линий может привести к неправильной интерпретации спектров УФЭ. Значение глубины выхода фотоэлектронов в методе УФЭС изменяется в широких пределах от нескольких единиц до нескольких десятков ангстрем. Отметим, что имеются экспериментальные сложности в определении значения средней длины свободного пробега фотоэлектронов таких низких энергий, обусловленные, в частности, состоянием поверхности исследуемого материала, которое, по-видимому, приводило к завышенным значениям, полученным в ранних работах. [35]
Mg-Ba), к-рые иногда применяются в приборах, чувствительных к УФ-излучению. В таких полупроводниках глубина выхода фотоэлектронов достигает неск. В результате значит, часть фотоэлектронов имеет возможность выйти в вакуум. Кроме того, в приповерхностной области таких Ф, существует электрич. Именно эти два обстоятельства обусловливают высокий квантовый выход фотозмиссии таких полупроводников. Еще более высоким квантовым выходом обладают полу проводники с отрицат. В этом случае в вакуум могут выйти не только горячие, но и термализованные фотоэлектроны, глубина выхода к-рых равна диффузионной длине неосновных носителей заряда и достигает неск. [36]
 |
Спектр электронных энергетических потерь в GaP.| Схематическое изображение процессов, происходящих при ЭОС. [37] |
Важнейшим параметром в описанных методах является толщина анализируемого слоя. Поэтому толщина анализируемого слоя охватывает несколько сотен монослоев, и спектры характеризуют объемные свойства при условии, что приняты меры, обеспечивающие достаточную чистоту поверхности. Если испускаемыми частицами являются электроны, то толщина анализируемого слоя соответствует глубине выхода этих электронов, которая зависит от их энергии. При столь малых значения глубины выхода полученная информация характеризует скорее поверхностные, чем объемные свойства. [38]
 |
Спектральная зависимость квантового выхода фотоэмиссии для сильнолегированного кремния и - и. - типов ( 631 1 эВ, х - 4эВ. L - n - тип, 2-р-тип. [39] |
Для полупроводников величина Y определяется рассеянием энергии фотоэлектронами при их движении к границе раздела. В случае слаболегированных полупроводников электронов проводимости мало и осн. Скорость рассеяния энергии фотоэлектронами и глубина, из к-рой они могут выйти в вакуум ( глубина выхода), зависят от величины х и от соотношения х и в - Если f e, то кинетич. В таком процессе фотоэлектроны рассеивают сразу значит, часть энергии и могут потерять возможность выйти в вакуум. [40]
Глубина выхода Оже-электронов является функцией их энергии и в меньшей степени зависит от природы вещества. Так как энергия зонда обычно по крайней мере в три раза превышает энергию рождения Оже-электронов, глубина выхода определяется не областью возбуждения, а средней длиной свободного пробега электронов. Экспериментальные данные различных авторов, собранные в [13], показывают, что длина пробега, а следовательно, и глубина выхода составляют от 0 4 до 4 нм для всех элементов. [41]
Для УФ-возбуждения чаще всего применяют излучение линий Hell ( 40 8 эВ), Nell ( 26 9 эВ), Не. Следовательно, возбуждение не затрагивает глубоких атомных уровней, и метод используют в основном для возбуждения валентных электронов. Хотя это должно способствовать большей поверхностной специфичности УФ-возбуждения, однако выигрыш ограничен в той мере, в какой метод ЭСХА уже поверхностно специфичен вследствие ограничения глубины выхода электрона. Кроме того, в отношении химической индивидуальности ЭСХА-спектры на практике специфичнее, так как обусловлены главным образом возбуждением внутренних электронов; для металлов УФ-возбуждение в основном применяется с целью выяснения зонной структуры, а не для химического анализа. [42]
 |
Форма Калинин А1, исполь зуемой в РФЭС, непосредственно после рентгеновской трубки ( ширина линии 1 эВ и после монохроматизации ( шири на 0 16 эВ. [43] |
Что именно определяет выбор УФ газоразрядной лампы или рентгеновской трубки. Другим аспектом яляется тот факт, что фотоэлектроны, испускаемые при возбуждении УФ фотонами, имеют энергии вблизи минимума кривой на рис. 8.5 и, следовательно, глубину выхода около 5 А. Такие электроны зондируют область, очень близкую к поверхности. Это может быть преимуществом при исследовании эффектов, связанных с поверхностью, но привести к искажениям спектров, связанных с объемными свойствами. Фотоны, соответствующие линии Ка А1, создают электроны с энергиями около 1 4кэВ и глубинами выхода около 40 А. При этом спектры соответствуют объемным свойствам. Фотоэмиссия с угловым разрешением часто исследуется с помощью газоразрядных ламп, хотя в идеале следовало бы использовать синхротронное излучение для достижения лучшего отношения сигнал-шум. [44]
В этом методе поверхность подвергается бомбардировке низкоэнергетичным рентгеновским излучением, которое является менее деструктивным, чем электронный пучок. Поглощенная энергия расходуется на ионизацию с прямым испусканием электрона с внутренней оболочки, то есть фотоэлектрона. Поэтому ЭСХА также называют рентгеновской фотоэлектронной спектроскопией. Эти электроны имеют глубину выхода менее одного нанометра. [45]
Страницы: 1 2 3 4