Глубина - выход - оже-электрон
Cтраница 1
Глубина выхода Оже-электронов является функцией их энергии и в меньшей степени зависит от природы вещества. Так как энергия зонда обычно по крайней мере в три раза превышает энергию рождения Оже-электронов, глубина выхода определяется не областью возбуждения, а средней длиной свободного пробега электронов. Экспериментальные данные различных авторов, собранные в [13], показывают, что длина пробега, а следовательно, и глубина выхода составляют от 0 4 до 4 нм для всех элементов. [1]
Поскольку глубина выхода Оже-электронов очень мала, СОМ - представляет собой метод, позволяющий создавать изображения, контраст которых будет зависеть от разности концентраций выбранного химического элемента в разных точках поверхностного слоя толщиной в несколько атомных слоев. [2]
Толщина анализируемого слоя пов-сти твердого тела определяется глубиной выхода оже-электронов, к-рая зависит от их энергии и, напр. [3]
 |
Зависимость глубины выхода оже-электронов различных линий от энергии падающих электронов для некоторых металлов. [4] |
В настоящее время имеется довольно большое число экспериментальных и теоретических работ [147, 148], посвященных анализу глубины выхода оже-электронов. В общих чертах можно утверждать, что глубина выхода оже-электронов D зависит от материала образца, энергии соответствующего оже-перехода и не зависит от энергии пучка бомбардирующих электронов. На рис. 14.3 приведены зависимости глубин выхода оже-электронов различных линий для нескольких металлов в зависимости от энергии падающих электронов. [5]
Явления неупругого рассеяния электронов, бомбардирующих поверхность исследуемого материала, которые, в частности, ограничивают глубину выхода оже-электронов и электронов метода ИЭС, можно также использовать для получения информации о химическом состоянии и электронной структуре поверхности твердого тела. [6]
На практике Ер заметно выше, чем энергия оже-электронов ( обычно втрое), следовательно, глубина проникновения возбуждающих электронов значительно больше, чем глубина выхода оже-электронов. [7]
Самое простое - это измерить площадь под пиком в Оже-спектре от каждого элемента, лежащего на поверхности, и воспользоваться уравнением ( 2.6.) Если бы мы знали сечения ионизации Ф, глубину выхода Оже-электронов г и ток падающего пучка / О) то имели бы абсолютный способ определения состава. Но эта информация обычно известна с недостаточной точностью, либо вообще отсутствует. Более реальный подход состоит в измерении отношения площадей или амплитуд соответствующих Оже-пиков в спектрах, снятых от исследуемого образца с неизвестным составом и от эталонных образцов чистых элементов или от эталонного соединения с известным поверхностным составом. Если эти измерения выполнены на одном и том же приборе, с одной и той же геометрией расположения образца, электронной пушки и энергоанализатора, и с одним и тем же током пучка, то многие факторы в уравнении (2.6) сокращаются. [8]
 |
Зависимость коэффициента обратного рассеяния г от величины ( / при падении электронов по нормали. [9] |
Рассмотрим теперь вопрос о количественном анализе образцов, в которых состав меняется по глубине. Глубина выхода оже-электронов и глубина проникновения первичного электронного пучка - конечные величины, поэтому оже-спектроскопия, например поверхности сплава, дает усредненные по некоторой глубине значения состава, но весовой множитель слоя при этом усреднении по мере удаления внутрь образца снижается. [10]
В настоящее время имеется довольно большое число экспериментальных и теоретических работ [147, 148], посвященных анализу глубины выхода оже-электронов. В общих чертах можно утверждать, что глубина выхода оже-электронов D зависит от материала образца, энергии соответствующего оже-перехода и не зависит от энергии пучка бомбардирующих электронов. На рис. 14.3 приведены зависимости глубин выхода оже-электронов различных линий для нескольких металлов в зависимости от энергии падающих электронов. [11]
В настоящее время имеется довольно большое число экспериментальных и теоретических работ [147, 148], посвященных анализу глубины выхода оже-электронов. В общих чертах можно утверждать, что глубина выхода оже-электронов D зависит от материала образца, энергии соответствующего оже-перехода и не зависит от энергии пучка бомбардирующих электронов. На рис. 14.3 приведены зависимости глубин выхода оже-электронов различных линий для нескольких металлов в зависимости от энергии падающих электронов. [12]
 |
Изображение субмикрочастиц MgO на алюминиевой пленке, полученное ПЭМ.| Просвечивающая электронная микроскопия начального гальванического слоя никеля с дисперсными частицами размером 20 нм. [13] |
Для химического анализа поверхностных слоев твердых тел в последние годы нашел применение метод электронной Оже-спектроскопии ( ЭОС) [22, 116], основанный на использовании электронов, фотонов ( Х - лучей) или ионов для возбуждения атомов и удаления электронов с более низких энергетических уровней. Локальность метода достигает 50 нм; глубина выхода Оже-электронов из образца - 0 5 - 3 нм. Метод можно применять совместно с методом РЭМ. [14]
 |
Схема уровней энергии электронов в атоме S и возможные Оже-переходы. [15] |
Страницы: 1 2