Искривление - энергетическая зона
Cтраница 1
Искривление энергетических зон, изображенное на рис. 11.2, может быть достигнуто и с помощью внешнего электрического поля, если полупроводник является одной из обкладок конденсатора. [1]
Искривление энергетических зон и появление АФ влечет за собою: а) изменение электропроводности в приповерхностном слое полупроводника, а в случае малых размеров кристаллов - и во всем катализаторе; б) изменение работы выхода Дф. [2]
Искривление энергетических зон и появление АФ влечет за собою: а) изменение электропроводности в приповерхностном слое полупроводника, а в случае малых размеров кристаллов - и во всем катализаторе; б) изменение работы выхода Дер. [3]
 |
Положение области пространственного заряда в р - п-переходе. [4] |
Чем объясняется искривление энергетических зон у поверхности полу проводника. [5]
Чем определяется величина искривления энергетических зон в области пространственного заряда. [6]
 |
Эффект поля в МДП-структуре.| Структура металл - диэлектрик - полупроводник. [7] |
Это ведет к искривлению энергетических зон полупроводника вниз. [8]
 |
Контактная разность потенциалов фч5 между металлами и кремнием. [9] |
В обоих случаях происходит искривление энергетических зон и на границе раздела появляется ют равновесный поверхностный потенциал ср50, о котором упоминалось на с. [10]
Область локального сильного поля характеризуется сильным искривлением энергетических зон, в результате чего создаются условия для туннельных переходов в направлении к острию основных носителей заряда: электронов - к положительному острию и дырок - к отрицательному. Взаимодействие в процессе ударной ионизации электронов и дырок проводимости с электронами, участвующими в образовании химических связей, приводит к нарушению соответствующих связей и переходу твердого вещества диэлектрика в состояние частично ионизированной газовой плазмы в направлении движения потока носителей заряда. Образуется начальный участок первичного канала пробоя, потенциал электрода выносится в его головную часть, и далее процесс идет непрерывно до тех пор, пока этот канал не пересечет весь разрядный промежуток. [11]
Подвижность при эффекте поля в зависимости от искривления энергетических зон на поверхности в предположении, что заряд, связанный с поверхностными ловушками, не зависит от приложенного поля. [12]
 |
Искривление энергетических зон на границе раздела кремний - двуокись кремния, происходящее вследствие разности их работ выхода.| Зависимость порогового. [13] |
Поскольку работа выхода кремния больше работы выхода двуокиси кремния, искривление энергетических зон в кремнии всегда происходит так, что на его поверхности образуется канал л-типа. Величина потенциального барьера, возникающего на границе раздела, достаточна для того, чтобы ток между двумя областями отсутствовал. [14]
Время релаксации в этом случае не зависит от концентрации поверхностных состояний и искривления энергетических зон у поверхности. Руппрехт экспериментально исследовал кинетику эффекта поля в кремнии и вычислил, исходя из своего анализа, эффективные сечения и уровни энергии двух поверхностных центров захвата. [15]
Страницы: 1 2 3