Искривление - энергетическая зона
Cтраница 2
Однако реальный гетеропереход во многих случаях требует учета поверхностных состояний яа границе раздела, вызывающих дополнительное искривление энергетических зон. [16]
 |
Изгиб зон у полупроводника n - типа при заря-жсинп поверхности отрицательным ( а и положительным ( б знаком. [17] |
Заряжение поверхности полупроводника вызывает возникновение разности потенциалов между поверхностью и объемом полупроводника и, следовательно, искривление энергетических зон. [18]
 |
Образование р-п-перехода.| Графики распределения для резкого симметричного р-п-перехода. [19] |
В состоянии термодинамического равновесия уровень Ферми в обоих полупроводниках проходит на одной высоте ( рис. 7.1), что ведет к искривлению энергетических зон и образованию потенциального барьера. Электрону, находящемуся на дне зоны проводимости полупроводника - типа, для перехода в полупроводник р-типа нужно преодолеть потенциальный барьер Дф, в то время как электроны, находящиеся в зоне проводимости полупроводника р-типа, свободно скатываются в полупроводник л-типа. [20]
Появление на поверхности полупроводника хемосор-бированных частиц, связанных с поверхностью прочной связью, приводит, как мы видели, к заряжению поверхности, что в свою очередь имеет своим следствием искривление энергетических зон внутри полупроводника. Такое искривление зон имеет место, конечно, и в частном случае квазиизолированной поверхности. [21]
Аномально высокую проводимость, наблюдаемую иногда между металлическим точечным контактом и поверхностью германия га-типа, различные исследователи [1 ] 1) относили за счет наличия слоя дырочной поверхностной про-нодимости, возникающего при искривлении энергетических зон вблизи поверхности. Соответствующая [ модель показана на фиг. [22]
Заряжение поверхности полупроводника вызывает возникновение разности потенциалов между его поверхностью и объемом. Следствием этого является искривление энергетических зон у поверхности. При заряжении поверхности отрицательным зарядом энергетические зоны изгибаются вверх, так как при перемещении электрона из объема к поверхности его энергия увеличивается. При заряжении поверхности положительным зарядом зоны изгибаются вниз. [23]
Энергетическая диаграмма для случая контакта с полупроводником электронной проводимости была приведена на фиг. В соответствии с теорией поверхностных состояний степень искривления энергетических зон у поверхности полупроводника ( и, как следствие этого, выпрямляющие свойства контакта) определяется распределением поверхностного заряда и зависит, следовательно, от окружающей среды и физико-химической предыстории поверхности. [24]
Если энергии локализованных вблизи поверхности электронов лежат в запрещенной зоне, то порог фотоэмиссии будет сдвинут в сторону более низких энергий по отношению к и. Кроме того, наличие заряда на поверхностных состояниях приводит ( как и приложение внешнего поля) к искривлению энергетических зон вблизи поверхности полупроводника [216], что может сказаться на закономерностях фотоэмиссии. [25]
Исследования показали [189, 190], что в основе эффекта лежат выпрямляющие электрические Ьвойства структур МДП - ЖК-При питании ПВМС двуполярннм ( например, синусоидальным) напряжением это приводит к появлению выпрямленного тока через структуру и к возникновению постоянной составляющей напряже - Н1тя на слое ЖК. Измерение фото - ЭДС, возникающей при освещении ПВМС с той или другой стороны пластины фотополупроводника, указывает на наличие искривлений энергетических зон полупроводника па его границах, Области искривлений играют в электрическом отношении роль диодов, включенных навстречу друг другу. Структуры, обратное сопротивление диода уменьшается, что приводит к асимметрии структуры и к появлению выпрямляющего эффекта. [26]
 |
Энергетические диаграммы контакта металла с электронным, и дырочным полупроводниками. [27] |
Рассмотрим различные соотношения между термодинамической работой выхода металла и полупроводника. При WM Wa ( рис. 1.5, а) объемный электрический заряд, возникший при контакте металла с полупроводником, вызывает искривление энергетических зон в слое полупроводника. В этом слое концентрация электронов низкая, поэтому слой полупроводника, примыкающий к контакту, является обедненным основными носителями. После контакта металла и полупроводника их уровни Ферми выравниваются и в состоянии динамического равновесия уровень Ферми для металла и полупроводника будет общим. При этом в зоне контакта образуется постоянный потенциальный барьер, величина которого равна разности термодинамических работ выхода металла и полупроводника. [28]
 |
Зависимости электронных термов начального и конечного состояний от координат растворителя ( q и растяжения химических связей ( R с низкими частотами собственных колебаний. [29] |
Кроме того, заряд полупроводниковой фазы сосредоточен не на поверхности, как у металлов, а распределен в некотором поверхностном слое. В результате этого в полупроводниковой фазе возникает скачок потенциала i) s ( q) ( см. рис. 79), приводящий к искривлению энергетических зон вблизи поверхности электрода. [30]
Страницы: 1 2 3