Градиент - примесь
Cтраница 1
Градиент примеси в области базы может приводить к появлению V и, следовательно, к образованию поля. Если наличие градиента примеси приводит к созданию высокой плотности свободных электронов в области базы у эмиттера, быстро спадающей, по существу, к собственному уровню у коллекторного перехода, то в области базы действительно возможно образование поля средней величины. Если концентрация примеси спадает при увеличении расстояния в направлении от эмиттера к коллектору, то V отрицательно и, следовательно, способствует образованию положи - iciubHuiu ускоряющего поля. [1]
Градиент примеси в транзисторах с неоднородной областью базы создается с помощью диффузионных процессов. Такие процессы не обеспечивают точно экспоненциального закона распределения примеси. [2]
При обычно реализуемых градиентах примеси в базовой области тянущее поле достаточно велико и время дрейфа в базе может быть почти на порядок меньше времени диффузии в однородной базе. Но вследствие высокой концентрации примеси у поверхности носителей подвижность падает и их время дрейфа оказывается всего в 2 - 5 раз меньше времени диффузии. Внутреннее поле в широком диапазоне значений sw / D снижает время пролета. Однако при большой скорости поверхностной рекомбинации ( параметр sw / Dn велик) усиливаются потери неосновных носителей, что соответствует уменьшению эффективной ширины р-области. Как и ранее ( см. § 5.2), фотоответ при этом уменьшается. [3]
Кроме того, градиент примесей у эмиттерного перехода оказывается приблизительно равным 10 21 см-4, а пространственный заряд, обусловленный этим градиентом, распространяется в область базы примерно на 2 10 - 5 см. Толщина базового слоя, на которую распространяется тормозящее поле, составляет AR от ширины базового слоя, или 7 6 10 - 5 см. В результате одна четвертая часть области R занята пространственным зарядом и ею можно пренебречь. [4]
 |
Экспоненциальное распределение концентрации примеси в базе диода. [5] |
В тонкобазовом фотодиоде с градиентом примеси в базе влияние встроенного поля проявляется в том, что темновой ток дрейфового диода значительно меньше тока диода с однородной базой. Вольт-амперную характеристику дрейфового фотодиода можно представить в обычном виде с учетом того, что обратный ток / 0 и фототек / ф описываются выражениями, зависящими от тянущего поля. [6]
Рассмотрим сначала, каким образом градиент примеси приводит к появлению поля. Задача будет существенно упрощена, если приспособить результаты разд. [7]
Рассчитав по формуле (13.3) приближенное значение градиента примесей и зная напряжение лавинного пробоя, по известным графикам зависимости напряжения пробоя от р при различных значениях а определяют требуемое значение удельного с & аротив-ления исходного кремния. [8]
Особыми технологическими приемами удается также изготовлять р-п переходы с обратным градиентом примеси ( рис. 9 - 18 в), когда концентрация примеси в высокоомной области убывает по мере удаления от перехода. [9]
Определим предельную частоту при условии, что электрическое поле определяется наличием градиента примесей в базе, при этом условимся, что скорость перемещения носителей тока под действием поля значительно выше диффузионной скорости, которую можно не учитывать. [10]
Найдем предельную частоту при условии, что электрическое поле определяется наличием градиента примесей в базе. При этом условимся, что скорость перемещения носителей заряда под действием поля значительно выше диффузионной скорости, которую можно не учитывать. [11]
В этом случае, используя новое значение Nt, по (13.3) повторно вычисляют градиент примесей и определяют уточненное значение удельного сопротивления исходного кремния. [12]
В этой главе были изучены транзисторы, имеющие поле в области базы, обусловленное наличием градиента примеси. Это поле сильно зависит непосредственно от величины отношения Nd ( 0) / Nd ( w0), которое имеет верхний предел. Поле существенно снижает время пролета неосновных носителей через область базы и, следовательно, улучшает частотные свойства и коэффициент передачи тока. [13]
С целью снижения сопротивления базы и улучшения частотных свойств для получения переходов используют пластинки с градиентом примесей, направленным так, что создается поле, ускоряющее движение носителей от эмиттера к коллектору. [14]
То же будет наблюдаться при увеличении степени перехода примеси из раствора в кристалл с ростом Т, если механизм вторичного зародышеобразования определяется градиентом примеси в приповерхностном слое раствора. [15]
Страницы: 1 2