Cтраница 2
Заметим, что значения р min может быть определено и графически по кривой рис. 10.2, соответствующей резкому переходу, а если необходимо, то и по другим кривым с учетом градиента примесей в коллекторном переходе. [16]
Градиент примеси в области базы может приводить к появлению V и, следовательно, к образованию поля. Если наличие градиента примеси приводит к созданию высокой плотности свободных электронов в области базы у эмиттера, быстро спадающей, по существу, к собственному уровню у коллекторного перехода, то в области базы действительно возможно образование поля средней величины. Если концентрация примеси спадает при увеличении расстояния в направлении от эмиттера к коллектору, то V отрицательно и, следовательно, способствует образованию положи - iciubHuiu ускоряющего поля. [17]
В первом случае будем считать, что градиент примеси в переходе велик. [18]
Уравнение (11.30) в точности совпадает с выражением для скорости движения носителей в области базы для транзисторов с однородной базой при высоком уровне инжекции. Таким образом, относительные преимущества транзистров с градиентом примеси в области базы над транзисторами с однородной базой снижаются при увеличении уровня инжекции. Следовательно, для максимальной реализации преимуществ транзистор с наличием градиента примеси в области базы должен работать при низком уровне инжекции. [19]
Уравнение (11.30) в точности совпадает с выражением для скорости движения носителей в области базы для транзисторов с однородной базой при высоком уровне инжекции. Таким образом, относительные преимущества транзистров с градиентом примеси в области базы над транзисторами с однородной базой снижаются при увеличении уровня инжекции. Следовательно, для максимальной реализации преимуществ транзистор с наличием градиента примеси в области базы должен работать при низком уровне инжекции. [20]
В настоящее время разработан ряд способов, устраняющих указанные недостатки. С целью повышения эффективности эмиттера после электрохимического осаждения металла применяют неглубокое его вплавление, что приближает переход по инъектирующим свойствам к сплавному. С целью снижения сопротивления базы и улучшения частотных свойств для получения переходов используют пластинки с градиентом примесей, направленным так, чтс он создает поле, ускоряющее движение носителей от эмиттера к коллектору. [21]
Далее в пленке окисла методом фотолитографии вновь создают окна несколько меньшего размера и в атмосфере пятиокнси фосфора производят диффузию донорной примеси. Остается вскрыть окна для алюминиевых электродов базы и эмиттера, нанести эти электроды ( рис. 4.7, д) - и транзисторные структуры готовы. После резки пластинки на отдельные элементы, содержащие по одной транзисторной структуре, каждый элемент, называемый кристаллом, впаивают коллектором на дно ножки стандартного корпуса, эмиттерный и базовый контакты присоединяют тонкими проводниками к соответствующим траверсам ножки. Выпускаются также бескорпусные транзисторы, у которых климатическая защита осуществляется с помощью тонкой пленки силикатного стекла. Пленарные транзисторы имеют переменную концентрацию примесей в базе, уменьшающуюся в сторону коллектора, что снижает, как указывалось, сопротивление базы и емкость коллектора. Градиент примеси имеется и в эмиттере, что уменьшает его емкость и распределенное сопротивление эмиттера, а также повышает пробивное напряжение эмиттерного перехода. [22]