Испарение - атом
Cтраница 2
При этом методе затрудняется воспроизводимость результатов еще и потому, что испарение атомов с поверхности катода при ионной бомбардировке сильно зависит от дефектности кристаллической решетки этой поверхности. Возможно выбивание значительных групп атомов в виде микрочастиц, масса которых значительна и может повредить уже осажденные слои. Такое выбивание частиц случайно и является существенным ограничением промышленному использованию метода. [16]
Энергия образования вакансии ( без учета энергии деформации ближайшей ее окрестности в кристалле) равна энергии испарения атома. [17]
Переход дырки на соседнее место можно трактовать как двойной акт, первая половина которого сводится к испарению атома, а вторая - к конденсации его в соседнем положении. [18]
При - нагреве металлических образцов в вакууме до температур, превышающих 0ЬТпл, на их поверхности начинается процесс испарения атомов, интенсифицирующийся по мере увеличения температуры испытания. Осаждение после начала опыта на смотровом стекле тончайшего слоя конденсата испаряющихся частиц снижает его прозрачность, а затем, по мере увеличения толщины пленки, этот слой как бы своеобразным занавесом закрывает от исследователя все происходящие в процессе опыта изменения строения образца. [19]
Для образования поверхностной пленки атомов тория производится прокаливание при Т 2000 - 2300 К-При Т 2300 К скорость испарения атомов тория с поверхности превышает скорость их подхода к поверхности в результате диффузии. [20]
 |
Атомная структура поверхности кристалла. Плоскость ( 111. [21] |
Атом V, находящийся на плоскости, имеет только трех ближайших соседей и энергия его связи с кристаллом равна Зср. Испарение атома из этого положения наиболее вероятно, тогда как вероятность прямого перехода в паровую фазу атомов из других положений убывает в порядке IV, / /, / / / и / соответственно величине энергии связи. [22]
Критическая температура Гкр зависит от плотности молекулярного пучка, увеличиваясь с ростом последней, что вполне естественно, так как с увеличением плотности пучка увеличивается плотность адсорбированных атомов и вероятность образования из них дуплетов, триплетов и более сложных комплексов. Для испарения атомов из таких комплексов необходима большая энергия, чем для испарения одиночных атомов, так как при этом преодолевается связь атомов не только с поверхностью, но и с комплексом. [23]
Особый интерес для специально рассматриваемого нами вопроса о подвижности атомов на гранях собственной решетки представляют данные о поведении атомов цезия, связанных во втором диффузном слое, находящемся на первом слое атомов цезия, почти или полностью покрывающих вольфрам. Теплота испарения атомов второго слоя существенно меньше: она составляет всего А. При сравнении этих чисел следует остерегаться ошибочного заключения о том, что здесь связь слабее, чем на чистой цезиевой подкладке. Правильную картину получают, если для сравнения используют не теплоту испарения цезия, а энергию отрыва атома цезия от грани ( 011) кристалла цезия. Эта величина приблизительно равна ЛТВерд / 2 11 500 кал, что значительно ниже 17600 кал. Отсюда следует, что вольфрамовая основа благоприятствует связи атомов во втором слое. [24]
При испарении атом может захватить электрон и испариться в виде иона. Необходимым условием - для испарения атома в виде нейтральных или заряженных частиц является приобретение ими кинетической энергии, достаточной для их удаления от поверхности. [25]
Можно считать установленным, что катодное распыление представляет собой по существу испарение металла катода под действием ударов положительных частиц, образующихся в газе с пониженным давлением при разряде между электродами. В большинстве случаев происходит испарение атомов, причем они выходят из катода, не имея заряда, затем диффундируют сквозь газ. [26]
В высоковакуумных приборах для нанесения и возобновления пленки используется диффузия атомов покрытия изнутри катода на его поверхность. Как диффузия на поверхность, так и испарение атомов пленки с поверхности зависят от температуры, но в различной степени и в одном интервале температур преобладает диффузия, а в другом испарение. [27]
Как было показано в § 39, присутствие до 10 - 5 г посторонних труднолетучих элементов не влияет на процесс испарения примесей алюминия и цинка. В работе [7] была ос-циллографически измерена скорость испарения атомов алюминия нз образца вольфрама весом около 10 - 2 г. На рис. 89 представлена одна из осциллограмм. [29]
Метод атомов отдачи основан на явлении отдачи ядер, испускающих а - или ( 3-частицы, совершенно аналогичной отдаче ствола орудия при выстреле. Энергии отдачи вполне хватает на разрыв химической связи и испарение атома с поверхности, на которой он был расположен. Если нанести на охлаждаемое жидким воздухом золотое или платиновое зеркало тонкий слой радиоактивного вещества ( рис. 29), то испустившие а - или ( 3-частицу атомы за счет отдачи вылетают с поверхности зеркала и могут быть собраны на расположенном над этой поверхностью специальном приемнике. [30]
Страницы: 1 2 3 4