Cтраница 2
Отдельные дислокации встраиваются в границу субзерна одновременно вдоль всей ее длины. [16]
Скорость переползания краевой дислокации в границе субзерна оказывает ся выше чем в бездефектной решетке, а потому и скорость возврата будет более высокой. [17]
![]() |
Граница субзерна, имеющая конечную ширину а. т. [18] |
Я), в отличие от ранее обсуждавшихся границ субзерен, толщина которых считалась нулевой. [19]
Устойчивость полигональных образований дополнительно возрастает благодаря взаимодействию границ субзерен с примесными атомами и дисперсными частицами. Винтовая дислокация в железе может связать 7 % ( ат. Краевая дислокация связывает в два раза меньшее количество углерода, поскольку в первом случае сегрегация возможна вокруг всего дефекта, а во втором - только по одну сторону от плоскости скольжения. Энергия взаимодействия ( изменение упругой энергии при переходе атома углерода из середины кристалла в ядро дислокации) в обоих случаях одинакова. Когда атомы углерода полностью связаны, энергия уменьшается на 20 % для винтовых дислокаций и на 10 % для краевых при Т 0 К. С повышением температуры выигрыш в энергии становится меньше, а тепловая энергия - больше энергии взаимодействия примесных атомов с дислокациями. [20]
Разрушение начинается на частицах, расположенных по границам субзерна, с образованием мелкоямочного, практически сотового рельефа, затем распространяется в зерно или переходит на другую субграницу. [21]
Одной из трудных задач теории является относительная устойчивость границ субзерен внутри кристалла, в противоположность границам полигонизации, в частности в условиях отжига и длительного нагружения. При длительном нагружении и высокой температуре размеры субзерен увеличиваются, однако границы их не исчезают и характер субструктуры не изменяется. Очевидно, система границ первичной субструктуры обладает преимуществом с точки зрения баланса внутренней энергии. Эти границы образуются путем соответствующей группировки и ориентировки дефектов кристаллической решетки и стабилизируются благодаря наличию атмосферы чужеродных атомов. С другой стороны, границы, вновь образующиеся, например, в процессе полигонизации при высокой температуре и большой длительности нагружения, значительно менее устойчивы, изменяются в результате диффузии и при высоких температурах могут даже исчезать. [22]
Здесь в качестве примера поверхностных дефектов рассматривается строение границ субзерен. [24]
![]() |
Образование динамически равновесной структуры в процессе ползучести монокристалла меди [ 11 в ]. [25] |
Коалесценция субзерен может происходить либо в результате распада некоторых границ субзерен, связанного с дислокационным скольжением, либо путем миграции границ и их слияния при встрече. Такеучи и Аргон [118] считают второй из этих процессов более вероятным, поскольку в работах [ 127, 128 и др. ] установлена высокая подвижность малругловых границ. [26]
![]() |
Зависимость размеров субзерен с и угла разориентировки на границах субзерен р от величины пластической деформации.| Влияние пластической деформации на размер субзерен. [27] |
Пунктирная кривая показывает увеличение угла разориентировки кристаллографических плоскостей на границах субзерен. На рис. 120 и 123 показаны соответствующие зависимости для алюминия. [28]
![]() |
Влияние степени чистоты металла на температуру начала полигонизации.| Температуры полигонизации алюминия разной чистоты. [29] |
Последующий нагрев полигонизованной структуры к рекристаллизации не приводит; смещения границ субзерен невелики. [30]