Малоугловые границы

Cтраница 2

Направленные по [112] от неявных граней три малоугловые границы, показанные на рис. 29, а, по-видимому, и являются следствием роста от трех двумерных зародышей, образовавшихся в области явных граней. Форма растущего зародыша принята в виде шестиугольника, у которого стороны noTnajiHO равны. Такая форма объясняется тем, что рост в направлениях [211], [ 12 [ ] и [112] опережает рост в противоположных направлениях. Экспериментальные данные о росте монокристаллов кремния такой формы описаны ранее. Из схемы, приведенной на рис. 29, б, видно, что в начале рост протекает по периферии и к центру монокристалла. После встречи слоев рост в центральной части монокристалла происходит уже по-иному. В этом месте поток ступенек будет направлен от углов к центрам граней, что не может способствовать образованию малоугловых границ. Этим объясняются часто наблюдаемые случаи, когда симметрично расположенные малоугловые границы с направлением [112] на плоскости ( 111) до центральных участков монокристалла не распространяются. [16]

Полигонизация повышает сопротивление ползучести, так как малоугловые границы в зернах мешают передвижению дислокаций. Однако такая обработка эффективна лишь в изделиях простой формы ( например, в трубах), когда деформация во всем изделии одинакова. [17]

Описанный механизм образования малоугловых границ подтверждается и тем, что четкие малоугловые границы, имеющие на плоскости ( 111) направление [112], обычно образуются при вогнутом фронте кристаллизации. Действительно, при вогнутом фронте рост осуществляется благодаря периферийным двумерным зародышам. [18]

Основные дефекты эпитаксиальных слоев - это дефекты упаковки, двойники, малоугловые границы, дефекты, обусловленные накоплением точечных дефектов ( петли дислокаций, тетраэдры дефектов упаковки), и дислокации. Из них наиболее часто встречаются дислокации и дефекты упаковки. Концентрация дефектов этих двух видов лимитируется требованиями технических условий на эпитаксиальные слои, используемые в производстве приборов и микросхем. [19]

Изменение свойств холодподеформированвых образцов никеля ( а и а-железа ( б. / - Взп. 2 - Р2М. 3 - НВ. 4 - ДВД. [20]

Такое изменение связано с перестройкой дислокаций одного знака в стенки, образующие малоугловые границы блоков ( полигонов), разориентированных относительно друг друга. Дислокации противоположных знаков частично аннигилируют. Упругая энергия малоугловых границ значительно меньше, чем энергия того же числа изолированных дислокаций. [21]

Местами предпочтительного зарождения промежуточных фаз ( при старении) служат отдельные дислокации, малоугловые границы ( стенки дислокаций), дефекты упаков-ки и предположительно вакансионные кластеры. ГП также может зарождаться промежуточная фаза. [22]

Границы в кристаллах: межфазные, высокоугловые границы зерен, средне - и малоугловые границы субзерен, границы двойников, границы областей упорядочения. [23]

Границы п кристаллах: межфалные, высшоуглоныс границы аерсп, среден - и малоугловые границы субзерен, границы дпойников, границы облаигй упорпдочения. [24]

В некоторых случаях дислокации образуют в растущем монокристалле полупроводника устойчивые дислокационные стенки - так называемые малоугловые границы. Этот вид дефекта встречается очень часто в дислокационных монокристаллах полупроводников. Причина образования малоугловых границ - миграция подвижных дислокаций под действием термических напряжений в области монокристалла, где их уровень близок к нулю. В результате возникают протяженные их скопления, образующие дислокационные стенки. [25]

При соприкосновении зерен Ag, выросших из зародышей, вначале наблюдается упругое искажение решетки, а затем образуются малоугловые границы, состоящие из отдельных дислокаций. [26]

Диффузия С14 в ниобии по двойной сетке границ. Авторадиограмма, Х70. [27]

При исследовании монокристаллов аустенита ( Fe 31 % Ni), полученных зонной плавкой, было показано [184], что малоугловые границы и дислокационная структура, возникающие при термомеханической обработке, передаются мартенситу - основная причина упрочнения при ТМО. [28]

Однофазные структуры более коррозионно-стойки, нежели многофазные, так как анодами в них являются дефектные участки кристаллов: высоко - и малоугловые границы, дислокации. При коррозии разрушаются лишь анодные участки. [29]

А и ео) у д из анализа Фурье по методу Уоррена - Авербаха и непосредственно из подробного рассмотрения полей искажений, создаваемых всеми дислокациями, входящими в малоугловые границы. [30]

Страницы: 1 2 3 4