Малоугловые границы

Cтраница 4

Одним из возможных типов границ являются малоугловые границы, показанные на рис. 2.3. Эти границы состоят из выстроенных в ряд краевых дислокаций и возникают при небольшой разориентировке растущих кристаллических плоскостей. Ширина таких границ приближается к атомным размерам, и они служат границами раздела блоков внутри зерна. Несмотря на то, что блок может иметь сам по себе точечные и линейные дефекты, он является достаточно совершенным кристаллом и для рентгеновских лучей будет представлять область когерентного рассеяния. [46]

Кроме границ зерен, характеризующихся большими углами разориентировки между соседними зернами и отсутствием упорядоченного расположения атомов, существуют и другие границы с более тонкой структурой. Например, в пределах одного зерна обнаруживаются малоугловые границы или границы субзерен, а также двойниковые границы. [47]

Дислокации перестраиваются в уравновешенные конфигурации за счет термически активированного переползания. Энергетически выгодными конфигурациями, например, являются малоугловые границы в формирующейся субструктуре полигонизации. [48]

При выращивании монокристаллов дислокации возникают под действием термич. Часто дислокации образуют в кристаллах устойчивые скопления - малоугловые границы. В настоящее время даже в пром. Успешно решается задача получения бездислокац. [49]

Боллмен и др. [24] указывают еще на одну причину растрескивания кристаллов НБН. Вследствие возникающих при росте высокотемпературных деформаций в кристалле могут создаваться малоугловые границы и механические двойники, способствующие процессу растрескивания. [50]

Если возврат протекает без образования и миграции субграниц внутри деформированных зерен, то его называют возвратом первого рода, или отдыхом. Если же при возврате внутри деформированных кристаллитов формируются и мигрируют малоугловые границы, то-его называют возвратом второго рода, или полигонизацией. [51]

Характер расположения малоугловых границ в сечении монокристалла полупроводника определяется характером поля термических напряжений в растущем монокристалле и кристаллографическим направлением его роста. В монокристаллах полупроводников с алмазоподобной структурой, выращенных в направлении [111], малоугловые границы обычно располагаются в трех плоскостях 100, параллельных оси роста монокристалла. Однако встречаются малоугловые границы в виде искривленных линий, хаотично расположенных по сечению монокристалла. [52]

Изменение диаметра субзерен в сплавах алюминия с ростом напряжения ползучести. а - Daa - n. б - Дао-0 84. [53]

В этой связи границы субзерен, по-видимому, играют на II стадии ползучести роль хороших стоков для избыточных дислокаций. Данная концепция находится в соответствии с известным положением о том, что малоугловые границы обладают лишь локальными полями напряжений. Размер субзерен на I и II стадии ползучести не зависит от температуры испытания и величины накопленной деформации. [54]

Дислокации в коррозионно-стойкой стали, X33 000. [55]

Каждое зерно металла состоит из отдельных субэерен ( рис, 16, а), образующих так называемую субструктуру. Субзерна разориентированы относительно друг друга от нескольких долей до единиц градусов - малоугловые границы. [56]

Отклонение состава от стехиометрии с точки зрения формирования дислокационной структуры слитка может сказываться как через процесс кристаллизации, так и через дополнительные источники, генерирующие дислокации под действием термических напряжений в уже закристаллизовавшемся материале. В первом случае нарушается гладкость фронта кристаллизации в условиях концентрационного переохлаждения - образуются малоугловые границы, а при более сильном отклонении ячеистые или поликристаллические структуры и включения второй фазы. [57]

Страницы: 1 2 3 4