Грань - гексагональная призма
Cтраница 1
Грани гексагональной призмы 1010 - типично сингулярные поверхности - практически не нарастают в нормальном направлении. [1]
Поэтому грани гексагональной призмы не могут нарастать с помощью нормального механизма. Отложение вещества на этих гранях, вероятно, происходит лишь в торцах ступеней, поскольку торцам соответствуют самые различные направления кристаллической структуры, в том числе и эффективно нарастающие поверхности пинакоида. [2]
Совершенно иная картина наблюдается на гранях гексагональной призмы. Параллельно плоскости ( 1010) период идентичности структуры можно разделить на два подслоя ( рис. 49): один более плотный, состоящий из полярных цепочек тетраэдров, вытянутых вдоль оси L2, и другой - из одиночных тетраэдров, соединяющих подобные цепи между собой. [3]
На рис. 1.30, с показаны обозначения нескольких граней гексагональной призмы и пирамиды. Индексы 0 на втором месте означают, что грань параллельна оси аа. Индекс 0 на четвертом месте - что она параллельна оси с. Индекс 1 - что грань пересекает положительный, индекс 1 - отрицательный концы соответствующих осей. [4]
На рис. 1.34, с показаны обозначения нескольких граней гексагональной призмы и пирамиды. Индекс 0 на втором месте означает, что грань параллельна оси а2, индекс 0 на четвертом месте, - что она параллельна оси с, индекс 1 - что грань пересекает положительный, индекс Т - отрицательный концы соответствующих осей. [5]
 |
Кварц низко - и высокотемпературный.| Кристаллы кварца. [6] |
Кристаллы низкотемпературного кварца чаще всего имеют призматический облик, который обусловлен наибольшим развитием граней гексагональной призмы m 1010, очень часто покрытых поперечной штриховкой. При наличии энантиоморфных форм легко устанавливается левый ( 10) и правый ( 11) кварц. Для определения правого и левого кварца необходимо в первую очередь отличить грани положительного ромбоэдра от граней отрицательного. Грань ( 1011) поворачивают к себе, положение граней s к х слева или справа укажет на левый или правый кристалл кварца. [7]
Уже первые опыты по выращиванию кристаллов синтетического кварца показали, что они практически не нарастают по граням гексагональной призмы. Именно этим обстоятельством определяется необходимость использования протяженных перпендикулярно к оси z затравок для получения крупных кристаллов. Исследование морфологии граней m показало, что на этих гранях возможно только тангенциальное т-от-ложение вещества. Поэтому для нормального продвижения грани необходимы источники слоев. Такими источниками слоев могут быть винтовые дислокации, двойники и некоторые другие дефекты. [8]
Уже первые опыты по выращиванию кристаллов синтетического кварца показали, что они практически не нарастают по граням гексагональной призмы. Именно этим обстоятельством определяется необходимость использования протяженных перпендикулярно к оси г затравок для получения крупных кристаллов. Исследование морфологии граней m показало, что на этих гранях возможно только тангенциальное т-от-ложение вещества. Поэтому для нормального продвижения грани необходимы источники слоев. Такими источниками слоев могут быть винтовые дислокации, двойники и некоторые другие дефекты. [9]
Решетка мочевины в аддукте деформирована таким образом, что она приобретает гексагональную симметрию, причем молекулы мочевины, связанные между собой также водородными связями, располагаются вдоль граней гексагональной призмы, аналогично пчелиным сотам. Пространство в центре этих призм имеет форму каналов бесконечной длины, позволяющих внедряться молекулам к-алканов или другим удлиненным молекулам. Эти посторонние молекулы притягиваются стенками каналов исключительно вандервааль-совыми силами. [10]
Решетка мочевины в аддукте деформирована таким образом, что она приобретает гексагональную симметрию, причем молекулы мочевины, связанные между собой также водородными связями, располагаются вдоль граней гексагональной призмы, аналогично пчелиным сотам. Пространство в центре этих призм имеет форму каналов бесконечной длины, позволяющих внедряться молекулам м-алканов или другим удлиненным молекулам. Эти посторонние молекулы притягиваются стенками каналов исключительно вандервааль-совыми силами. [11]
Таким образом, естественным, присущим кварцу с его кристаллической структурой механизмом отложения вещества на поверхности базиса является нормальный механизм роста. Причина, по которой на базисе имеет место нормальное отложение вещества, равно, как и причина, по которой на гранях гексагональной призмы кристаллизация происходит только по тангенциальному механизму, заключается, очевидно, в молекулярной природе отложения кремнезема. [12]
Представляет интерес проверить, остается ли этот вывод справедливым в отношений других типов адсорбционных процессов, рассмотренных в разделе V. В случае неполярных сил Ван-дер - Ваальса, описанных в разделе V2, этот вывод в принципе сохраняется. Однако между свойствами базисных плоскостей и граней гексагональных призм структуры графита имеется значительное различие, вследствие чего поверхность обычного угля не обладает достаточной однородностью, чтобы на ней могла наблюдаться ступенчатая физическая адсорбция. [13]
Представляет интерес проверить, остается ли этот вывод справедливым в отношении других типов адсорбционных процессов, рассмотренных в разделе V. В случае неполярных сил Ван-дер - Ваальса, описанных в разделе V2, этот вывод в принципе сохраняется. Однако между свойствами базисных плоскостей и граней гексагональных призм структуры графита имеется значительное различие, вследствие чего поверхность обычного угля не обладает достаточной однородностью, чтобы на ней могла наблюдаться ступенчатая физическая адсорбция. Ступенчатая адсорбция возникает вследствие двумерной конденсации адсорбата ( см. раздел VIII. [14]
Промышленному освоению методики гидротермальной перекристаллизации кварца в значительной мере способствовали геологические службы, обеспечивающие новое производство уникальными по размеру и однородности кристаллами, из которых были изготовлены первые партии крупноразмерных затравочных пластин различной, преимущественно базисной ориентации. В дальнейшем для выращивания пьезооптических кристаллов в массовом количестве стали применяться затравки из синтети ческих кристаллов, производство которых осуществлялось параллельно с выпуском товарной продукции для радиоэлектронной и оптической промышленности. Поскольку в процессе перекристаллизации нарастание кристаллов по граням гексагональной призмы практически не происходило и основная деловая пирамида роста плоскости базиса интенсивно выклинивалась положительным и отрицательным ромбоэдрами, для обеспечения технически приемлемых размеров синтетических кристаллов пьезокварца эпизодически требовалось пополнять затравочный фонд за счет природного кристаллосырья. Наряду с этим во ВНИИСИМС была разработана и внедрена рациональная каскадная система воспроизводства синтетического затравочного кварца, что позволило стандартизировать размеры и форму товарных затравок базисной ориентации. [15]
Страницы: 1 2