Cтраница 2
Сходная, хотя и менее четко выраженная ситуация имеет место на гранях основных ромбоэдров. Здесь также расстояние между свободными атомами кислорода значительно превышает длину ребра тетраэдра, что делает невозможным прямое присоединение одиночных молекул SiOa к кристаллической структуре. Можно предполагать, что нарастание по этим граням, так же как и по граням гексагональной призмы, в основном происходит с помощью тангенциального механизма. [16]
Сходная, хотя и менее четко выраженная ситуация имеет место на гранях основных ромбоэдров. Здесь также расстояние между свободными атомами кислорода значительно превышает длину ребра тетраэдра, что делает невозможным прямое присоединение одиночных молекул SiOs к кристаллической структуре. Можно предполагать, что нарастание по этим граням, так же как и по граням гексагональной призмы, в основном происходит с помощью тангенциального механизма. [17]
Растворы карбоната натри я и калия характеризуются относительно низкой метастабильностью. Рост паразитных кристаллов начинается при температурных перепадах свыше 15 С независимо от величины удельной поверхности помещенных в автоклав затравок и ориентации неосновных растущих плоскостей. Интенсивность спонтанного зародышеобразования возрастает по мере повышения абсолютной температуры кристаллизации. Иногда наблюдается эпитаксическое нарастание кварцевых зародышей в участках с повышенной плотностью дислокаций и двойниковых дефектов. Чаще всего закономерное со взаимно параллельным расположением осей L3 прирастание паразитных кристаллов наблюдается на гранях гексагональной призмы в области выхода на ее поверхности торцевых участков затравки. Они также способствуют периодическому растрескиванию кристаллов по мере увеличения толщины наросшего слоя. [18]