Любая грань

Cтраница 3

При наличии большого количества кристаллов отражение может произойти от любой грани каждого кристалла. [31]

За положительные направления составляющих касательного напряжения, действующего по любой грани элементарного кубика, принимаются направления осей координат, если растягивающее напряжение по той же грани имеет направление, совпадающее с положительным направлением соответствующей оси. Если растягивающее напряжение имеет направление, противоположное положительному направлению оси, то за положительное направление составляющих касательного напряжения следует взять обратное направлению оси. [32]

Проверьте правильность утверждения, что у кристаллов гексагональной син-гонии символ любой грани, лежащей в зоне [0001], и символ перпендикуляра к грани одинаковы. [33]

Легко видеть, что любое ребро правильного тетраэдра составляет с плоскостью любой грани, не содержащей это ребро, угол такой же величины. [34]

Легко видеть, что любое ребро правильного тетраэдра составляет с плоскостью любой грани, не содержащей это ребро, угол такой же величины. [35]

Двойниковая ось здесь лежит в плоскости срастания двойника, которой может быть любая грань, лежащая в зоне, ребром которой служит данная ось. [36]

Легко вид еть, что любое ребро правильного тетраэдра составляет с плоскостью любой грани, не содержащей это ребро, угол такой же величины. [37]

Таким образом, три числа h, k, I определяют положение любой грани кристалла. Для граней эти числа, обычно называемые индексами Миллера, записываются в круглых скобках. Индексы Миллера могут быть как положительными, так и отрицательными; в последнем случае над ними ставится знак минус. Из определения индексов Миллера следует, что если грань кристалла параллельна какой-либо кристаллографической оси, то индекс ее по этой оси равен нулю. [38]

Схема установки для испытания на ползучесть трубчатых образцов при изгибе и кручении. [39]

Гидросистема установки позволяет не только нагружать, но и сбрасывать нагрузку на любую грань образца за счет отвода нажимных плит. Для моделирования процесса выброса угля изготовлена нажимная плита с отверстием, закрываемым с помощью диска. [40]

ЗАКОН ВЕЙССА ( закон поясов, закон зон) - утверждает, что любая грань кристалла принадлежит не менее, чем двум его поясам. [41]

Такие проекции важны для графических построений и расчетов процессов кристаллизации, их строят на любую грань правильного или неправильного тетраэдра, четырехгранной пирамиды ( поз. Практически удобной для расчетов является центральная проекция из вершины воды на противоположную грань - основание тетраэдра или пирамиды с вершинами, отвечающими отдельным солям. При этом поля кристаллизации занимают площадь равностороннего треугольника в случае тетраэдра или четырехугольника - для четырехгранной пирамиды. Такая проекция является безводной, так как на нее наносится только солевой состав раствора. [42]

Иллюстрация к закону Аюи. [43]

Закон Аюи, или закон целых чисел: двойные отношения отрезков, отсекаемых двумя любыми гранями кристалла на трех его ребрах, равны, отношению целых небольших чисел. [44]

В алгоритме поиска используется важное свойство симплексов, согласно которому новый симплекс можно построить на любой грани начального симплекса путем переноса выбранной вершины на надлежащее расстояние вдоль прямой, проведенной через центр тяжести остальных вершин начального симплекса. Полученная таким образом точка является вершиной нового симплекса, а выбранная при построении вершина начального симплекса исключается. [45]

Страницы: 1 2 3 4