Разная грань - кристалл
Cтраница 1
 |
Структура платиновых комплексов, подвергнутых действию быстрых электронов. [1] |
Разные грани кристаллов с разной скоростью катализируют реакции. [2]
Разные грани кристалла одного и того же металла проявляют различную каталитическую активность в зависимости от координации поверхностных атомов. [3]
Не только геометрия разных граней сформировавшихся кристаллов, но и различная геометрия молекул / включенных при формировании катализаторов, с последующим удалением этих молекул, может влиять на активность. [4]
 |
Капиллярный электрометр. [5] |
Кроме того, на разных гранях кристалла поверхностное натяжение имеет различные значения. [6]
 |
Эффективный коэффициент распыления S вольфрама при его осаждении из хлоридов вольфрама в тлеющем разряде. [7] |
Интенсивность катодного распыления различна для разных граней кристаллов. Наименьшей распыляемостью обладают грани с наибольшей ретикулярной плотностью. Поэтому раслыляемость грани [ НО ] о.ц.к. - вольфрама наименьшая по сравнению с распыляемостью других граней. [8]
Эти различия определяются поверхностными свойствами разных граней кристалла. Подобные различия обнаруживаются и у противоположных поверхностей, отвечающих гранями ( 111) и ( 111), так как на них располагаются, например, либо атомы индия, либо атомы сурьмы. [9]
Величина твердости и микротвердости на разных гранях кристалла различна. [10]
Механические свойства слюд резко различны для разных граней кристалла и разных направлений в нем. Они также сильно зависят от микроскопических дефектов, в особенности от трещинок и расслоений. [11]
Удельная межфазная поверхностная энергия оч различна для разных граней кристалла. [12]
Фрош [137] выращивал пленки GaP и GaAs на четырех разных гранях собственных и чужеродных кристаллов. [13]
Правило Борескова является приближенным, поскольку различия в каталитической активности разных граней кристаллов, изменение функции распределения неоднородной поверхности и значений параметров неоднородности могут приводить к изменению удельной скорости реакции. Однако можно ожидать, что влияние таких факторов не приведет к очень резким изменениям удельной скорости, колебания величин которой не превысят одного-двух порядков. [14]
Тамман и Сарториус, при анализе различия в скоростях растворения разных граней кристаллов металла ( Си) в кислотах, прибегают к искусственному представлению о двойном пограничном слое, образующемся на поверхности кристаллов. [15]
Страницы: 1 2 3 4