Разная грань - кристалл
Cтраница 2
Вопрос о различиях в активности разных областей поверхности катализатора, в том числе разных граней кристалла, возник давно - еще до появления теории активных центров Тэй-лора. Наиболее полно и систематически зависимость каталитической активности от адсорбции на разных гранях кристалла потом исследовалась Баландиным [60] и Рубинштейном [31] с их сотрудниками ( см. стр. [16]
Вопрос о различиях в активности разных областей поверхности катализатора, в том числе разных граней кристалла, возник давно - еще до появления теории активных центров Тэй-лора. Наиболее полно и систематически зависимость каталитической активности от адсорбции на разных гранях кристалла потом исследовалась Баландиным [60] и Рубинштейном [31] с их сотрудниками ( ом. [17]
К отличительным особенностям, связанным со свойствами катализатора, относится также различная удельная активность разных граней кристаллов, зависимость каталитических свойств от состояния решетки кристаллического катализатора. [18]
В ходе электролиза форма кристаллов изменяется в связи с тем, что скорость роста разных граней кристаллов не одинакова. [19]
Наши результаты позволяют предложить новую модель: центры, различающиеся по активности, могут быть расположены на разных гранях кристалла. С этой точки зрения активными центрами являются атомы, положение которых характеризуется специфичными свойствами соответствующих кристаллических граней. [20]
Поэтому различия в скоростях роста или растворения отдельных граней должны быть связаны прежде всего с неодинаковостью перенапряжения на разных гранях кристалла. [21]
Можно сделать заключение, что поверхность поликристаллического материала, состоящая из различных кристаллографических плоскостей, является неоднородной вследствие того, что разные грани кристаллов характеризуются различными тепло-тами адсорбции. Но, как мы видели из данных по работам выхода на вольфраме, эти различия не очень велики. Поэтому указанная неоднородность, по-видимому, обусловливает только некоторую часть наблюдаемого уменьшения теплот хемосорбции с увеличением степени заполнения, но не весь эффект в целом. [22]
 |
Хроматограмма смеси изомеров моно - и дибромтиофенов при 180 С. [23] |
По-видимому, это связано с присутствием в нем различных форм воды, не удаляющихся откачиванием при 110 С, с наличием разных граней кристаллов, а также с дефектами этих граней. Изотермы адсорбции ксенона на NiCb и СоСЬ, откачанных при оптимальных режимах термообработки ( 250 и 325 С соответственно), имеют только два вертикальных скачка. [24]
Поэтому различия в скоростях роста или растворения отдельных граней при 1И p должны быть связаны прежде всего с различным характером перенапряжения на разных гранях кристаллов. [25]
Таким образом, поликристаллический электрод обычно будет характеризоваться целым набором значений i0, qx, и фа, точно так же как для разных граней кристалла соответствующая энергия адсорбции промежуточных частиц будет различной. [26]
Согласно наблюдениям Толлочко и Тохарского [158], Рит-целя [146], Таммана и Сарториуса [155], Уразовокого [80], Товбина и Барам [79] и других исследователей разные грани кристаллов характеризуются различными скоростями растворения. При этом Шпангенберг [150] отмечает, что анизотропия в скоростях растворения разных граней кристаллов может наблюдаться только при не-донасыщениях, не превышающих 2 %, что действительно согласуется с результатами исследований большинства авторов. [27]
Эмитированными образцом электронами с помощью электронной оптики формируется увеличенное изображение участка образца на экране, причем отличие в эмиссионной способности ( работе выхода электронов) разных фаз или разных граней кристаллов в случае термоэлектронной эмиссии проявляется в различной яркости их изображения. [28]
В спектре анатаза, подвергнутого нагреванию в вакууме при 350 С, автор наблюдал две полосы ОН - при 3715 и 3675 см-1, которые, по его мнению, могут быть связаны с гидроксилами, расположенными на разных гранях кристалла. [29]
Следует заметить, что когда говорят о поверхностном натяжении кристаллов вообще, допускают известное усреднение, потому что в зависимости от плотности заполнения граней кристалла атомами или ионами и, следовательно, в зависимости от интенсивности действия молекулярных сил разным граням кристалла обычно соответствует различное поверхностное натяжение. [30]
Страницы: 1 2 3 4