Большая грань

Cтраница 3

Распределение пробоев изоляции по периметру сечения стержней показывает, что для изоляции, старенной вибрациями, около 3 / 4 пробоев происходит на больших гранях, в то время как для изоляции, не подвергавшейся вибрационному старению, число пробоев на большой грани составляет около Vs - Это говорит о том, что изоляция на большой грани подвергается наибольшим деформациям. Изоляция на малых гранях испытывает наименьшие деформации, а изоляция на ребрах занимает в этом отношении среднее положение. [31]

Ламелярпая микроструктура термообработанного антрацита ( ТТО-3200 К. а электронная микрофотография, 25000. б картина электронной дифракции. [32]

Возможно, однако, что непосредственным агентом, осуществляющим эту гетерогенную графитацию, является эпитаксиальное воздействие любых внутренних поверхностей раздела, в частности, больших граней ламелярных образований. Ламелярная структура углерода является весьма лабильной - легко разрушается и не восстанавливается из расплавленного полимера при охлаждении. [33]

Соединение обвязки со стойкой шипом.| Соединения на деревянных призматических шпонках. [34]

Если от балки на стойку передается не только вертикальная, но и горизонтальная сила, то для увеличения прочности шипа ему придают форму прямоугольного параллелепипеда, большая грань которого расположена перпендикулярно оси балки; такой шип называют гребнем. [35]

Одна из наиболее распространенных конструкций транзистора представляет собой тонкую прямоугольную пла -: тинку, вырезанную из кристалла германия, с вплавленными в нее со стороны больших граней двумя каплями металла индия, играющими роль электродов. От пластинки, называемой базой или основанием транзистора, а также и эт вплавленных в нее индиевых электродов, именуемых эмиттером и коллектором, сделаны токопроводящие выводы. Вся конструкция помещена в герметически закрытый металлический или керамический корпус. [36]

Полевой транзистор представляет собой пластинку полупроводника / г-типа, у которой на концах имеются омические контакты ( рис. 17, а), а на обоих больших гранях - р-слои. Последние образуют с пластинкой p - n - переходы. Оба р-слоя соединены между собой и образуют единый электрод, называемый атвором. [37]

Такой результат для эшелеттных решеток наблюдался экспериментально в 60 - е годы и вызывал удивление, поскольку считалось, что для получения максимального автоколлимационного отражения должна освещаться большая грань эшелетта. [38]

Шпонки. а - призматическая. б - тангенциальная. [39]

Для передачи больших крутящих моментов применяют тангенциальные шпонки ( рис. 118, б), представляющие собой призматический брус, врезанный в вал так, что его большая грань направлена по касательной к поверхности вала. В продольном направлении тангенциальная шпонка разделена наклонной секущей плоскостью на две части клинообразной формы. Это необходимо для того, чтобы обеспечить лучшую затяжку при забивании ее в паз между валом и втулкой. [40]

Полевой ( униполярный) транзистор представляет собой пластинку полупроводника р ( или п) - типа, у которой на торцах имеются омические контакты, а на обеих больших гранях - слои п ( или р) - типа. Оба п ( или р) - слоя соединены между собой и образуют единый электрод, который называется затвором. [41]

Структура изломов промышленного слитка магниевого сплава марки МА-2-1 размером 550X160 мм. [42]

Слитки, не подвергавшиеся при кристаллизации ультразвуковой обработке, имеют неравномерную структуру по сечению: равноосную структуру в центре слитка с зерном величиной 1 - 3 мм и столбчатую у периферии больших граней с зернами размером в поперечном направлении 5 - 7 мм. [43]

При устройстве местной обоймы на поврежденном участке она должна выходить за его пределы на длину не менее 5 толщин обоймы, не менее длины анкеровки арматуры, не менее двойной ширины большей грани колонны и не менее 400 мм. Для улучшения сцепления нового бетона со старым рекомендуется на поверхности старого бетона на участке местной обоймы выполнять адгезионную обмазку из полимерных материалов. [44]

Потенциальная энергия параллелепипеда в различных положениях равна: 2mgl, когда он лежит на меньшей грани; mg ], когда он лежит на средней грани; mgl / 2, когда он лежит на большей грани. Наиболее устойчивым положением, соответствующим минимальной потенциальной энергии тела, будет последнее. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5