Различная кристаллографическая грань

Cтраница 1

Изменение относительной величины поляризации на гранях 111 и 100 в зависимости от плот-ности тока. [1]

Различные кристаллографические грани имеют неодинаковую адсорбционную способность. Грани, обладающие большей поверхностной энергией, более адсорб-ционно способны. Можно полагать, что в начальный момент кристаллизации, когда скорость разряда ионов, а следовательно, и скорость роста поверхности осадка мала, адсорбционные явления, в особенности на грани 100, будут проявляться более сильно, способствуя, таким образом, увеличению перенапряжения в начальной стадии процесса. С дальнейшим повышением скорости электроосаждения ( 10 ма / смг) адсорбционные процессы не успевают проявляться в полную меру. В связи с этим на перенапряжение будет оказывать большее влияние структура кристаллографических граней; перенапряжение на грани куба становится меньше, чем на грани октаэдра. [2]

Относительные скорости роста различных кристаллографических граней часто зависят от того, какие атомы адсорбированы на данной грани. Таким образом, скорости роста могут сильно зависеть от примесных ионов и от рН среды. Подобным же образом морфология и совершенство кристаллов очень чувствительны к примесям. Это особенно относится к таким методам выращивания, как рост из водных растворов, который происходит при сравнительно невысоких температурах, когда адсорбция и хемосорбция происходят сравнительно легко. [3]

Время диффузии различно для различных кристаллографических граней, что обычно приводит к артефактам в слитках и влияет на распределение примесей. Многие другие факторы, включая характер распределения температурных градиентов в жидкости и твердом теле, концентрацию примесей, кристаллографическую ориентацию, поверхностные дефекты, форму межфазной границы роста, по-разному влияют на рост кристалла. Однако, если большая часть жидкости переохлаждена, влияние указанных факторов становится доминирующим. Например, дендритный рост определяется семейством двойниковых плоскостей, которые облегчают селекцию свободных центров зародышеобразования в переохлажденном расплаве, где скорость роста чрезвычайно высока. Таким же образом при выращивании нитевидных кристаллов из паровой фазы одиночная винтовая дислокация определяет ось быстрого образования зародышей. [4]

В случае монокристаллов металла обнаруживается явная ориентационная связь между различными кристаллографическими гранями с образующимися на них окисными пленками. Особенно справедливо это для тонких пленок. [5]

Для моделирования таких процессов можно использовать поверхности, построенные из различных кристаллографических граней и содержащие дефекты, например поверхность типа представленной на рис. 2.11. В этом случае отрыв атомов водорода может эффективно осуществляться на уступах и изломах. [6]

Как отмечает Крегер, проверкой обобщенной теории может быть изучение зависимости К ( f) для различных кристаллографических граней. Подтверждением этой теории было бы также сглаживание экстремума зависимости К ( f) с увеличением концентрации, так как эффект грани ослабляется с ростом концентрации. Однако такие экспериментальные данные по ка отсутствуют. [7]

Поверхность металла имеет поликристаллическое строение и довольно сложный рельеф: из-за разной ориентации кристаллитов на поверхность выступают различные кристаллографические грани: гладкие грани с низким кристаллографическим индексом и ступенчатые грани с высоким индексом. [8]

На эффект поверхностного потенциала может накладываться первоначально существовавшая неоднородность, что имеет место в большинстве практических случаев. Эта неоднородность обусловлена присутствием различных кристаллографических граней, а та кже присутствием примесей, загрязняющих поверхность или растворенных в решетке, или расположенных по межкристаллитным границам. [9]

Окисление монокристалла меди. [10]

Так как общепризнано, что чем плотнее упаковка атомов на поверхности грани, тем больше работа выхода электронов с этой грани, значит, экспериментальные данные опровергают те теоретические положения, которые предсказывают, что скорость окисления должна определяться переносом электронов на поверхности раздела металл - окисел. Горни [337] полагает, что расхождение экспериментальных данных о скорости окисления различных кристаллографических граней могло бы быть обусловлено небольшой разницей контактного потенциала двух граней ( поверхности металла и окисла) при низких температурах. [11]

Знание участвующих в реакции структур позволяет также предвидеть анизотропию реакционных свойств на различных кристаллографических гранях. [12]

По теории Мотта, наибольший барьер, который должны преодолеть мигрирующие в АОП ионы металла, сосредоточен на границе металл - оксид. Поток в этом случае определяется тем же выражением, но скорость роста АОП на различных кристаллографических гранях будет различной. [13]

Следует подчеркнуть, что приведенные значения являются лишь ориентировочными и не позволяют идентифицировать грани. Тем не менее, на основе этих данных можно заключить, что, в отличие от некоторых других металлов, например, серебра [16], значения фео различных кристаллографических граней, выходящих на поверхность оплавленного висмута, сравнительно мало отличаются друг от друга. [14]

Как мы видели в разделе VI, 2, физическая адсорбция обычных газов на ионных поверхностях происходит вследствие совместного действия сил Ван-дер - Ваальса и поляризации молекул электрическими полями поверхности. Активные центры ( раздел V, 12) оказывают влияние на оба эти эффекта. Поэтому реальные неоднородные поверхности ионных адсорбентов, состоящие из различных кристаллографических граней, межкристаллитных границ, ребер, вакантных мест и других типов активных участков, будут практически во всех случаях адсорбировать первые молекулы с относительно большой теплотой адсорбции. Крофорд и Томпкинс [178] при изучении адсорбции сернистого газа, двуокиси углерода и других газов на фтористом кальции и фтори - - стом барии нашли, что теплоты адсорбции уменьшаются с увеличением количества адсорбированного газа. Они приписывают этот эффект неоднородности исследованных поверхностей, а также наличию различных кристаллографических плоскостей. [15]

Страницы: 1 2