Различная кристаллографическая грань

Cтраница 2

Как мы видели в разделе VI, 2, физическая адсорбция обычных газов на ионных поверхностях происходит вследствие совместного действия сил Ван-дер - Ваальса и поляризации молекул электрическими полями поверхности. Активные центры ( раздел V, 12) оказывают влияние на оба эти эффекта. Поэтому реальные неоднородные поверхности ионных адсорбентов, состоящие из различных кристаллографических граней, межкристаллитных границ, ребер, вакантных мест и других типов активных участков, будут практически во всех случаях адсорбировать первые молекулы с относительно большой теплотой адсорбции. Крофорд и Томпкинс [178] при изучении адсорбции сернистого газа, двуокиси углерода и других газов на фтористом кальции и фтористом барии нашли, что теплоты адсорбции уменьшаются с увеличением количества адсорбированного газа. Они приписывают этот эффект неоднородности исследованных поверхностей, а также наличию различных кристаллографических плоскостей. [16]

III, § 8, твердые тела, подобно жидкостям, обладают поверхностным натяжением. Анизотропия кристаллов проявляется также в различии поверхностного натяжения на различных кристаллографических гранях. Это играет существенную роль в ог-ранении кристалла при его образовании из раствора или расплава. [17]

Значения работы выхода вольфрама. [18]

Только сейчас уже в вакуумную камеру не впускается газ, а знак потенциала на острие выбирается так, чтобы электроны под действием очень высокого локального электрического поля ( обычно 4 х 10 - 7 В см 1) улетали от острия. Если острие специально подвергнуть фасетированию, чтобы создать на нем плоские участки с различными кристаллографическими гранями, то ПЭМ-картина будет состоять из пятен, соответствующих расположению этих граней на острие, а яркость пятен будет зависеть от работы выхода каждой грани. На рис. 4.8 показана ПЭМ-картина вольфрамового острия, на котором индексами Миллера помечена каждая грань, дающая яркое пятно. [19]

Укажем кратко на различия между современными представлениями и представлениями, существовавшими в период 1934 - 1937 г. В противоположность прежним взглядам мы считаем, что поверхность вольфрама обладает некоторой степенью неоднородности. Форму кривой 2 на рис. 33 нельзя объяснить, если не допустить присутствия участков, где адсорбированные ионы связаны с поверхностью прочнее, чем на остальной части поверхности. Несомненно, что эта неоднородность обусловлена не примесями или посторонними атомами. Она может быть вызвана наличием различных кристаллографических граней. Во-вторых, мы более не придерживаемся точки зрения, что при более высоких заполнениях атомы адсорбированы рядом с ионами. При низких значениях 6 весь адсорбированный металл находится на поверхности в виде ионов. При увеличении степени заполнения тип связи изменяется и с некоторого определенного значения б весь металл оказывается адсорбированным в виде атомов. Под влиянием поля металла происходит поляризация этих атомов. С увеличением заполнения диполь-ные моменты адсорбированных атомов уменьшаются вследствие взаимной поляризации и наблюдается минимум работы выхода, когда приходящееся на один атом уменьшение диполь-ного момента уже больше не компенсируется увеличением числа диполей на единицу поверхности. [20]

Укажем кратко на различия между современными представлениями и представлениями, существовавшими в период 1934 - 1937 г. В противоположность прежним взглядам мы считаем, что поверхность вольфрама обладает некоторой степенью неоднородности. Форму кривой 2 на рис. 33 нельзя объяснить, если не допустить присутствия участков, где адсорбированные ионы связаны с поверхностью прочнее, чем на остальной части поверхности. Несомненно, что эта неоднородность обусловлена не примесями или посторонними атомами. Она может быть вызвана наличием различных кристаллографических граней. Во-вторых, мы более не придерживаемся точки зрения, что при более высоких заполнениях атомы адсорбированы рядом с ионами. При низких значениях 0 весь адсорбированный металл находится на поверхности в виде ионов. При увеличении степени заполнения тип связи изменяется и с некоторого определенного значения 0 весь металл оказывается адсорбированным в виде атомов. Под влиянием поля металла происходит поляризация этих атомов. С увеличением заполнения диполь-ные моменты адсорбированных атомов уменьшаются вследствие взаимной поляризации и наблюдается минимум работы выхода, когда приходящееся на один атом уменьшение диполь-ного момента уже больше не компенсируется увеличением числа диполей на единицу поверхности. [21]

Зависимость перенапряжения на различных гранях монокристалла от плотности тока. [22]

Были также рассмотрены особенности адсорбционного поведения тиомочевины на различных гранях монокристалла меди. На основании импедансных измерений, проведенных на монокристалле меди, было установлено, что сопротивление реакции выделения водорода на грани ( 111) с ростом концентрации тиомочевины непрерывно возрастает. На грани ( 100) наблюдается обратная зависимость - сопротивление реакции падает с увеличением концентрации тиомочевины. Оба эти процесса связаны с адсорбцией добавки, но поведение адсорбированной тиомочевины существенно различается на различных кристаллографических гранях. [23]

Неоднородное легирование, связанное с неодинаковой скоростью роста различных гранен. [24]

В методе Вернейля кристаллы легируются путем добавления необходимого количества примеси в порошок, из которого выращивается буля. Дикхофф [165] объясняет указанный эффект зависимостью коэффициента распределения от температуры; неодинаковая температура роста разных граней, по его мнению, связана с тем, что для развития с одинаковой скоростью различным граням необходима разная степень переохлаждения. Недавно было установлено, что на различных кристаллографических гранях коэффициент распределения примеси может быть и больше и меньше единицы [166], что нельзя объяснить, исходя из модели Дикхоффа. В то же время это явление согласуется с адсорбционной теорией роста, учитывающей неодинаковую адсорбционную способность атомов на границе раздела фаз и объясняющей зависимость коэффициента распределения отскорости роста ( см. разд. [25]

Страницы: 1 2