Термическое испарение

Cтраница 1

Термическое испарение в вакууме широко используется для изготовления пленочных микроэлементов и схем. Получение требуемого рисунка того или иного слоя пленочной микросхемы производится напылением испаряемого вещества через трафарет, плотно прижатый к подложке. [1]

Термическое испарение в вакууме основано на свойстве металлов и некоторых других материалов в условиях высокого вакуума перемещаться прямолинейно и оседать на поверхности, расположенной на пути их движения. Осаждаемый материал нагревается до тех пор, пока давление его паров не превысит давление остаточных газов. При этом происходит испарение материала и конденсация его на поверхности подложки с образованием пленки. На качество пленок значительное влияние оказывает величина остаточного давления в рабочем пространстве, которая характеризуется средней длиной К свободного пробега остаточных газов. [2]

Термическое испарение в вакууме основано на том, что все вещества при температуре выше абсолютного нуля, способны испаряться. [3]

Термическое испарение в вакууме, которое является наиболее распространенным способом получения тонких пленок, имеет ряд недостатков. [4]

Термическое испарение в вакууме позволяет получать наиболее чистые пленки. Степень их загрязнения контролируется давлением в камере остаточных газов. [5]

Термическое испарение основано на нагреве исходного материала или композиции материалов в вакууме до температуры, при которой возрастающая с нагревом кинетическая энергия атомов и молекул вещества становится достаточной для их отрыва от поверхности и распространения в окружающем пространстве. Это происходит при температуре, когда давление собственных паров вещества превышает на несколько порядков давление остаточных газов. При этом атомарный поток распространяется прямолинейно, и при соударении с поверхностью подложки испаряемые атомы и молекулы конденсируются на ней. [6]

Термическое испарение является результатом разрыва связей между поверхностными атомами испаряемого вещества. [7]

Термическое испарение связано с оптимизацией И тщательным контролем осн. В качестве испарителей наиболее удобны электроннолучевые устройства, особенно с прямым электроннолучевым нагревом испаряемого вещества. Като-днореактивное распыление веществ применяют для осаждения некоторых окислов, высокочастотное - для осаждения некоторых многокомпонентных материалов, гальваническое - для нанесения некоторых простых поглощающих покрытий. [8]

Термическим испарением в вакууме получают пленки на установках типа УВН, которые состоят из трех основных узлов: пульта управления процессом ( электрическая часть), системы откачки с вакуумными агрегатами, рабочей камеры с подколпачным устройством для крепления и перемещения подложек и масок, а также для нагрева подложек и исходного вещества. Па, затем, подавая напряжение от пульта управления, нагревают подложки и вещество, подлежащее напылению, до температуры его испарения. Образующийся поток пара конденсируется на подложке, температура которой значительно ниже температуры испарения материала. [9]

Термическим испарением в вакууме получают наиболее чистые пленки. Достоинствами этого способа являются простота напыления, высокая скорость осаждения пленок и возможность напыления различных металлов. Пленки из материалов сложного состава, которые имеют различные скорости испарения отдельных компонентов, получить этим способом сложно. [10]

Далее термическим испарением или катодным распылением наносится электрод из золота. С помощью фоторезистивной маски выполняется локальное электролитическое осаждение золота. Технология электролитического выращивания столбиков меди более проста. На подложку напыляется медь с подслоем хрома. [11]

Методы термического испарения относятся к группе физических методов разделения и сопровождаются относительно небольшими загрязнениями. В благоприятных случаях ( при существенной разнице в летучестях основы и примесей) могут быть достигнуты относительные пределы обнаружения 10 - 8 % и менее. Переведением разделяемых веществ с помощью химических реакций в соединения, различающиеся по летучести значительно больше, чем исходные, можно расширить область применения методов селективного испарения. Однако в подобных случаях приходится решать обычные проблемы повышения надежности определений, характерные для химико-спектральных методов. [12]

Схема установки для получения покрытий методом электротермического испарения и конденсации паров в вакууме.| Схема электроннолучевого испарителя с поворотом электронного пучка. [13]

Методом термического испарения и конденсации наносят как металлические, так и неметаллические покрытия на разные подложки. Толщина осажденного слоя пропорциональна времени осаждения. Если требуется нанести слой сплава или другого материала усложненного состава, то необходимо использовать два или несколько отдельных испарителей. [14]

Метод термического испарения в вакууме в настоящее время наиболее распространен в зарубежной технике. Хевенс [4] объясняет широкое применение этого метода быстрым развитием вакуумной техники, но при этом отмечает, однако, что метод не всегда обеспечивает воспроизводимые результаты из-за невозможности достаточной регулировки процесса испарения и конденсации. Метод термического испарения не является универсальным, так как испарение веществ с высокой температурой плавления вызывает ряд осложнений, а иногда и совсем неосуществимо. В других случаях не обеспечивается необходимая механическая или химическая прочность образующихся покрытий, и, наконец, нанесение пленок на поверхности деталей сложных конфигураций и больших размеров вызывает ряд технологических трудностей. [15]

Страницы: 1 2 3 4