Термическое испарение

Cтраница 4

Пленки селенида меди получают термическим испарением в вакууме селенида меди. Практически используются пленки толщиной 100 нм с поверхностным сопротивлением 10 - 100 он. Пленки селенида меди также химически неустойчивы и могут быть использованы лишь с защитными покрытиями. [46]

Энтальпия и реальные энергозатраты на испарение электронным лучом различных элементов. [47]

В тех случаях, когда термическое испарение невозможно, приходится применять испарение с помощью электронного луча. Следует отметить, что ускоряющее напряжение и магнитное поле в этом случае должны быть очень стабильны во избежание размытия пятна электронного луча на расплаве. Мощность электронно-лучевых пушек достигает 500 кВт, поэтому сложности в обеспечении масштабного испарения практически любого материала не возникает. Однако часть электронного луча отражается от поверхности испаряемого материала, и необходимо принимать меры по улавливанию отраженных электронов. [48]

Супермногослойные пленки изготавливают с помощью термического испарения в вакууме из двух танталовых испарителей путем поочередного перекрытия их заслонкой. [49]

Физические свойства оксидов металлов второй группы периодической системы элементов.| Зависимость коэффициента пропускания т от длины волны К для монркристалли-ческого оксида магния толщиной 0 5 мм. [50]

Пленки MgO могут быть получены термическим испарением в вакууме при нагреве электронным лучом. [51]

Так как пленки SiO создаются термическим испарением в вакууме, а пленки Ta2Os формируются в электролите в присутствии электрического поля порядка 6 10 В см 1, часто полагают, что танталовые конденсаторы содержат меньше слабых мест и дефектов, чем пленки SiO [ 15], однако твердого подтверждения этому нет. Из всех известных экспериментальных данных следует, что оба типа диэлектрика не свободны от дефектных областей и слабых мест и имеют определенный диапазон величин электрической прочности диэлектрика. Для конденсаторов на основе пленок S О пробой происходит в области полей 4 ЛО5 - 4 10 В-см - и не зависит от толщины слоя SiO в диапазоне 1000 - 10000 А. Сиддол [10] показал, что электрическая прочность выше, если пленка SiO напыляется медленно. [52]

Тонкие пленки AgBiS2 приготовлены [136] термическим испарением в вакууме. [53]

Зависимость напряжения пробоя от толщины нижней обкладки конденсатора при толщине слоя диэлектрика ОеО в мкм. [54]

Пленки моноокиси германия также получают термическим испарением, но при более низких, чем для моноокиси кремния, температурах. Благодаря большему значению диэлектрической проницаемости ( е я 10), с приемлемым процентом выхода годных получают конденсаторы с С0 150 - - 200 пФ / мм2 при рабочих напряжениях до 15 В. Существенным преимуществом моноокиси германия по сравнению с моноокисью кремния является то, что существуют многочисленные рецепты травителей, позволяющих селективно снимать пленку моноокиси германия без заметного воздействия на другие, ранее изготовленные элементы пленочной микросхемы. [55]

Применяемые при электрорентгенографин пластины изготовляются термическим испарением селена в вакууме на дюралюминиевую подложку. Их качество определяется, главным образом, подготовкой дюралюминиевой подложки, термическим режимом напыления и толщиной селенового слоя. Причиной их выхода из строя являются механические повреждения во время очистки. Эскплуатация одной пластины путем дополнительной полировки может быть увеличена до 2000 - 3000 раз. [56]

Основные недостатки ионно-гетерных насосов с термическим испарением титана состоят в отсутствии саморегулирования скорости испарения активного вещества, наличии накаленных элементов в электродной системе и в некоторой сложности источников электропитания. [57]

Основными способами получения тонких пленок являются термическое испарение в вакууме, катодное распыление и химическое осаждение. Толстые пленки наносятся на подложку методом шелко-графии. [58]

Страницы: 1 2 3 4