Cтраница 1
Графики зависимости, построенные по экспериментальным результатам ( здесь они не приводятся), выявляют одинаковую угловую зависимость для всех мишеней. [1]
Графики зависимости е от d показаны на фиг. [2]
![]() |
Сопоставление результатов решения задачи на ЭВМ и на электроинтеграторе ( 10 и 11. [3] |
Графики зависимостей ц i ( р) HZ Z ( P), ф ф ( р) и т т ( О представлены в статье, опубликованной в Изв. [4]
Графики зависимости е3 от d показаны на фиг. Приближенно можно принять, что масштабный фактор при кручении ет равен ест. [5]
Графики зависимости этих разностей от безразмерного параметра Dl ( RT) llzlru ( anaFVYl i показали, что для значений параметра, меньших чем 0 1, указанная зависимость линейна. [6]
Графики зависимостей ia f ( ua) и iR f ( uR) представлены на рис. 3.146. Зависимость ia f ( ua), характеризующая свойства лампы, каких-либо пояснений не требует. Зависимость iR f ( uR), характеризующая свойства резистора, является линейной. График 1R f ( uR) называется нагрузочной линией. [7]
![]() |
Распределение концентрации электронов и дырок вдоль оси х при экстракции неосновных носителей. [8] |
Графики зависимостей п ( х) и р ( х) представлены на рис. 9.12. Аналогично происходит диффузия при экстракции дырок из электронного полупроводника. [9]
![]() |
Характеристика ферродянамических преобразователей. [10] |
Графики зависимостей [ 7р / эбразователей показаны на рис. I эт - t / pmax при а - 20 до Ц ватели обладают тремя основны остальные могут быть получ. [11]
![]() |
Профили решеток. [12] |
Графики зависимости al ( aty, t) и р2 / ( fL, t) для некоторых решеток ТС и ТР приведены на фиг. [13]
![]() |
Зависимость количества отказов от амплитуды импульса тока. [14] |
Графики зависимостей становятся существенно различными. [15]