Группа - транзистор
Cтраница 1
Группа транзисторов объединяет ряд разновидностей этих приборов, среди которых следует выделить два типа наиболее распространенных транзисторов, отличающихся друг от друга принципом действия, основными характеристиками и параметг рами. [1]
Все группы транзисторов классифицируются по мощности: маломощные ( Рк МАКС, Як. [2]
Главным отличием этой группы транзисторов является то, что для обеспечения их нормальной работь. [3]
Мы рассмотрели две группы транзисторов, названия которых определяют их принципы действия: биполярные и полевые. Имеется особый тип транзисторов - однопереходные. Их принцип действия существенно отличается от принципа действия биполярного и полевого транзисторов. Существует много других транзисторов, которые получили свои названии в основном от технологических и конструктивных признаков их производства: транзисторы сплавные, диффузионные, меза ( имеют столообразную структуру), пленарные ( технология связана с фотопроцессом и последующим травлением) и др. Все они по принципу действия относятся к полевым или биполярным транзисторам. [4]
 |
В этой схеме сторожа и диоды, и транзисторы образуют схему цифрового логического затвора. [5] |
В табл. 2.1 приведены параметры группы малосигнальных транзисторов, широко Используемых на практике, соответствующие им графики зависимости коэффициентов усиления по току от коллекторного тока представлены на рис. 2.78. См. [6]
Защита от перегрузки с помощью ограничения тока указанным методом требует, чтобы группа транзисторов пропускала полный ток 4 6 а, если выход замыкается накоротко при нормальном выходном напряжении 30 в. Таким образом, необходим теплоотводный радиатор, способный рассеять около 160 вт. Элементы схемы располагаются так, что все полупроводниковые приборы, выделяющие тепло, могут быть смонтированы на одном радиаторе без использования в качестве изолятора слюды. Применяемые в качестве выпрямителей диоды Dt и D3 ( вентили типа 1N249A) с обратной полярностью могут быть установлены на радиаторе без слюды. [7]
В двухтактных схемах с параллельно включенными транзисторами необходимо, чтобы результирующие входные сопротивления групп транзисторов обоих плеч были приблизительно одинаковы. [8]
У подавляющего большинства транзисторов основным физическим процессом является инжекция носителей в эмиттерном переходе, но имеется группа транзисторов, работающих без инжекции. К ним, в частности, относятся полевые ( канальные) транзисторы ( см. гл. [9]
Широкое применение находят универсальные измерители, управляемые ЭВМ Электроника-100, которые предназначены для измерения статических параметров и классификации по группам транзисторов и диодов малой и средней мощности в лабораторных и цеховых условиях. [10]
Такая защита существенна для силовых схем и источников опорного напряжения, и ее надо применять, если вас не привлекает перспектива замены группы транзисторов, когда вы поскользнетесь, работая с осциллографом и пробником. Относительно требований к источникам опорного напряжения см. разд. [11]
Каждый тип транзисторов, характеризуемый основными свойствами, разбивается на группы, обозначаемые по старой классификации буквами русского алфавита, а по новой цифрами. Группы транзисторов внутри одного типа отличаются по коэффициенту усиления, по шумовым свойствам и незначительно - по частотным. Деление транзисторов на группы по их коэффициенту усиления весьма относительно, так как при конкретных измерениях в низших группах могут быть обнаружены экземпляры с большим коэффициентом усиления по току, чем в высших. [12]
Транзистор типа П4Д не является перспективным типом и к применению в разработках запрещен. Группа транзисторов ШЗА из технических условий исключена. [13]
 |
Усилитель переменного схемах АРУ или модуляторов, т. е. тока с управляемым коэффициентом устройств, В которых амплитуда усиления и малыми искажениями. высокочастотного сигнала меняется. [14] |
Это высокоточные устройства с хорошим динамическим диапазоном, обычно применяемые для получения произведения двух напряжений. См) и применяются группы согласованных транзисторов с целью избежать проблем разброса параметров и сдвига. [15]
Страницы: 1 2 3