Группа - транзистор
Cтраница 2
 |
Схема технологического процесса изготовления сплавного. [16] |
Низкочастотными считают транзисторы с рабочими частотами до 3 Мгц, а маломощными - с допустимой мощностью рассеяния на коллекторе до 0 3 вт. Большинство относящихся к этой группе транзисторов изготовляют методом вплавления, поэтому их называют сплавными. Так как при изготовлении низкочастотных сплавных транзисторов обычно используют равномерно легированный исходный материал, то при малых токах электрическое поле в области базы таких транзисторов отсутствует и по механизму движения носителей они относятся к бездрейфовым. [17]
 |
Схема технологического процесса изготовления сплавного транзистора.| Конструкция сплавных маломощных транзисторов в корпусе с герметизацией холодной сваркой. [18] |
Низкочастотными считают транзисторы с рабочими частотами до 3 МГц, а маломощными - с допустимой мощ-ностьюрассеяния на коллекторе до 0 3 Вт. Большинство относящихся к этой группе транзисторов изготовляют методом вплавления, поэтому их называют сплавными. Так как при изготовлении низкочастотных сплавных транзисторов обычно используют равномерно легированный исходный материал, то при малых токах электрическое поле в области базы таких транзисторов отсутствует и по механизму движения носителей заряда они относятся к бездрейфовым. [19]
Непосредственная связь позволяет исключить из схемы разделительные конденсаторы большой емкости, уменьшить потери мощности усиливаемого сигнала в резисторах, шунтирующих входную и выходную цепи отдельных каскадов, облегчить применение общей петли обратной связи благодаря уменьшению числа низкочастотных фазосдвигающих цепочек. При непосредственной связи между каскадами удается применять экономичные схемы одновременной стабилизации рабочих точек групп транзисторов, причем построение таких схем облегчается совместным использованием транзисторов р-п - р и п-р - п структур. [20]
Полевые транзисторы отличаются от обычных транзисторов принципом действия. В выходной цепи полевого транзистора отсутствует электронно-дырочный переход, поэтому его относят к группе транзисторов без инжекции. [21]
Имеющееся на выходах усилителей напряжение около - 4 В является питанием транзисторов и управляющим напряжением диодов АПУ. Управление каждым переключателем разряда номера ( К, Е, Д, С) осуществляется по одному общему для группы транзисторов входу отрицательными импульсами, поступающими с выходов РИМ. Резисторы Rl - R11 и iR12 - R22 в базе каждого транзистора обеспечивает подачу запирающего напряжения 6 В в состоянии покоя, необходимый ток для их работы в режиме насыщения и одновременно препятствуют замыканию частотных комбинаций с выходов ДКК в момент их передачи на шины АПУ, через малое выходное сопротивление биполярных ключей РИМ. Для надежного запирания эмиттеры транзисторов через резисторы R23 - R44 подсоединены к земле. Шины категорий, единиц и десятков являются общими для всех задействованных тысяч. [22]
Это-высокоточные устройства с хорошим динамическим диапазоном, обычно применяются для получения произведения двух напряжений. В аналоговом умножителе используется зависимость дт от / к, свойственная биполярному транзистору ( дт [ 7К ( мА) / / 25 ] См), и применяются группы согласованных транзисторов, чтобы избежать проблем разброса параметров и сдвига. [23]
Он рассчитан на то, чтобы обеспечить несколько больший требуемого ток базы на параллельно включенных последовательных транзисторах, позволяя снимать на выходе ток 5 а. Если на выходе возникает переходная перегрузка или короткое замыкание, то диод D3 подает смещение на Тб вплоть до выключения и через Т, протекает полный ток от баз последовательно включенной группы транзисторов. [24]
 |
Построение переключательных схем на транзисторах с каналами разных. [25] |
На рис. 9.21, а показана ячейка ИЛИ - НЕ. Если среди входных величин имеется хотя бы одна единица, то в группе последовательно соединенных транзисторов ( верхняя группа) найдется хотя бы один запертый транзистор, а в группе параллельно соединенных транзисторов ( нижняя группа) - хотя бы один проводящий. При логических нулях на всех входах все верхние транзисторы проводят, а нижние - заперты, поэтому ивахязЕ и 21, что и соответствует операции ИЛИ - НЕ. [26]
Особыми свойствами отличаются четырехслойные транзисторы. Перевод из одного состояния в другое может производиться управляющим сигналом. В группу четырехслойных транзисторов нами включен и четырехслойный диод, который имеет всего два вывода, так что, строго говоря, не может быть отнесен к транзисторам. Однако по принципу действия такой диод, как мы увидим в § 5.18, имеет много общего с другими транзисторами, и поэтому возможно в данном случае отступить от формального признака - числа выводов. [27]
Поскольку выражение (9.22) инвариантно относительно частных отклонений, то оно полностью характеризует нестабильность коллекторного тока с учетом изменений параметров транзистора и особенностей схемы. Если известен закон изменения одного или нескольких параметров транзистора от температуры или во времени, то не представляет затруднений найти температурную или временную составляющие дрейфа. Если же известен технологический разброс параметров для данного типа или группы транзисторов, то легко определить границы отклонений, в пределах которых сохраняется работоспособность каскада в целом. [28]
При какой-либо установке напряжения с помощью переменного сопротивления Rs стабилизирующая схема регулирует выходное напряжение, на ползунке сопротивления Ra появится напряжение в несколько десятых вольта, отрицательное по отношению к положителному зажиму на выходе. Напряжение, снимаемое с Rs, затем усиливается с помощью Т2 и подается на базу эмиттерного повторителя Т3, откуда в свою очередь - на базы последовательных транзисторов. Поскольку коллекторно-эмиттерный выход транзистора Т2 связан с базами и коллекторами группы транзисторов, то схема может считаться разновидностью последовательного стабилизатора с эмиттерным повторителем. Rg уменьшает его до эффективного значения стабилизирующего коэффициента усиления, приблизительно равного 5, при 30 в на выходе. [29]
 |
Эквивалентная схема заме - [ IMAGE ] ИМС ( а и ее упрощенная физичес-щения теплопередачи от кристалла кая модель ( б к окружающей среде. [30] |
Страницы: 1 2 3