Диффузия - легирующая примесь
Cтраница 1
 |
Схемы установок различного типа для проведения процесса диффузии. [1] |
Диффузия легирующих примесей в кремниевые пластины производится с поверхности этих пластин. При этом концентрация примесей получается неравномерной. На поверхности пластины концентрация примесей будет наибольшая, а по мере продвижения в глубь материала величина концентрации постепенно убывает. [2]
Рассмотрим процессы диффузии легирующих примесей в слитках, получаемых из расплава и выявим их влияние на окончательное распределение легирующих примесей в кристаллах. Допустим, что в начальный момент времени имеется полубесконечная цилиндрическая затравка, в которой парциальная плотность легирующих примесей есть функция радиуса рп ср ( г); боковая поверхность затравки и растущего кристалла непроницаема для примесей; радиус кристалла гк равен радиусу затравки; скорость роста кристалла постоянная; процесс изотермический. [3]
 |
Виды конфигураций планарных транзисторов. [4] |
Затем опять следует диффузия легирующей примеси для образования эмиттерной области. При последующем окислении все границы р - n переходов, выходящие на поверхность, оказываются скрытыми под окислом ( рис. 7.11 д), что обусловливает более стабильные свойства поверхности и малые обратные токи. [5]
Следовательно, коэффициенты диффузии легирующей примеси сквозь висмут-сурьму достаточно высоки. Поэтому рабочие температуры горячего конца ветви для такого способа коммутации ограничены 80 С. [6]
Большинство р-п переходов создают методом диффузии легирующей примеси в полупроводник. Допустим, что в поверхность полупроводникового кристалла n - типа электропроводимости с концентрацией доноров ND проведена диффузия акцепторной примеси, концентрация которой NA ( x) уменьшается по мере удаления от поверхности полупроводника, как показано на рис. 1.14, а. Если поверхностная концентрация акцепторов NAOND, то в некотором сечении Xj кривые пересекаются. Левее этого сечения концентрация акцепторов превышает концентрацию доноров, и полупроводник имеет электропроводность / 7-типа, а правее Xj - электропроводность п-типа. В сечении Xi электроны атомов донорной примеси заполняют ( компенсируют) ненасыщенные связи равного числа атомов акцепторной примеси, и полупроводник имеет собственную проводимость. Таким образом получается р-п переход с плавным распределением примеси, или плавный р-п переход. Следует отметить, что отрицательные значения концентрации примеси лишены физического смысла ( концентрация - это число частиц, атомов в единице объема), но можно условиться отличать концентрацию акцепторов от доноров по знаку заряда их ионов. [7]
Эмиттерный и коллекторный переходы образованы с помощью диффузии соответствующей легирующей примеси в кристалл кремния. [8]
Область базы, как и эмиттерная область, получается диффузией легирующей примеси через вскрытые под диффузию окна в слое двуокиси кремния. Пленка SiO2 защищает участки поверхности подложки от про-ни кновени я атомов диффузанта обеспечивая локальный характер диффузии. Переходы база - эмиттер, база - коллектор образуются в местах пересечения соответствующих профилей концентрации ( рис. 1.2), так как именно в этих точках концентрация диффундирующей примеси равна уже имеющейся концентрации примеси противоположного типа проводимости. [10]
Анализ уравнения (6.16) и входящих в него членов показывает, что автолегирование существенно зависит от коэффициента диффузии легирующей примеси: чем он меньше, тем меньше уровень автолегирования, возрастающий для элементарных полупроводников в ряду сурьма - мышьяк - фосфор. [11]
Для изготовления мезатриода ( меза по-испански - стол) в приповерхностные области полупроводниковой пластины с обеих сторон вводится диффузией легирующей примеси. С обратной стороны пластины легированный слой сошлифовы-вается. Через щелевой трафарет осаждаются островки металлической пленки, которые служат выводами эмиттерной области и базы. Эмиттерный контакт на пластине кремния наносится из алюминия, а базовый из золота. Нанесенные контакты вплавляются при высокой температуре. Планерная ( плоскостная) технология позволяет осуществить микроминиатюризацию, если участок, несущий на себе базу и эмиттер, защищать при травлении фоторезистом. Такая технология является предшественницей современных методов создания полупроводниковых микросхем. Так, последовательность операций при изготовлении планар-ного триода ( рис. 8 - 1) состоит из получения трехслойной ( п-р - п или р-п - р) области с плоскостями / т-перехо-дов, параллельными поверхности, и металлических контактов, выведенных на эту поверхность. Первый важный этап состоит в проведении диффузии легирующей примеси из поверхностного источника в приповерхностный участок заданной формы, имеющий определенную глубину и размеры в плоскости подложки. [12]
Создание защитных пленок особенно существенно для тех полупроводниковых деталей, материал которых неустойчив при высоких температурах, необходимых для диффузии легирующих примесей. [13]
Создание и освоение высокочастотных транзисторов оказались возможными благодаря применению так называемого диффузионного метода получения электронно-дырочных переходов, основанного на использовании разных коэффициентов диффузии легирующих примесей, которые вследствие этого проникают на различную глубину. Преобладание того или иного легирующего материала дает соответствующий характер проводимости. [14]
Отличие на несколько порядков значений коэффициентов диффузии различных примесей определяет жесткие требования к условиям проведения диффузионных процессов. Коэффициенты диффузии легирующих примесей ( элементы III и V групп), широко используемых в технологии формирования р-л-перехот дов, на 6 - 9 порядков меньше коэффициентов диффузии таких примесей, как медь, литий, серебро, золото, железо и др. Это требует обеспечения условий, исключающих попадание в рабочий объем диффузионной печи неконтролируемых примесей. [15]
Страницы: 1 2 3