Диффузия - легирующая примесь
Cтраница 2
При вытягивании из расплава формирование перехода происходит в процессе роста полупроводникового слитка путем дозированного изменения состава легирующих примесей в расплаве. Диффузионные переходы получают диффузией легирующих примесей из источников в газообразной, жидкой и твердой фазах. Имплантированные переходы образуются при ионной имплантации легирующих примесей. [16]
 |
Сплавные переходы маломощного транзистора. [17] |
Электроформовка заключается в том, что через контакт пропускаются короткие импульсы тока большой величины. В результате разогрева, плавления и диффузии легирующей примеси внутрь кристалла на некоторой глубине образуется полусферический р-п переход. [18]
Неоднородность сопротивления делительной шины сканистора зависит от глубины диффузии легирующих примесей и различной концентрации этих примесей по длине шины, обусловлена технологическим процессом и носит случайный характер. Поэтому для характеристики отклонения не представляется возможным иметь аналитическое выражение. [19]
Эти процессы существенно зависят от температуры зпитаксиального осаждения и сильно замедляются при ее понижении. Например, снижение температуры на 100 С приводит к уменьшению коэффициента диффузии легирующей примеси в полупроводнике примерно на порядок. Поэтому основным направлением совершенствования технологии всех без исключения эпитаксиальных структур является уменьшение температуры процесса осаждения. [20]
Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем и р - - переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый. Этот процесс сводится к налетанию молекул ( атомов) из газовой фазы. [21]
С помощью двух микрометрических винтов плоскости скола по очереди устанавливаются перпендикулярно к лучу света. В этом положении пластинка шлифуется и полируется с целью подготовки поверхности к проведению диффузии легирующей примеси или к созданию эпитаксиального слоя. [22]
Эта конструкция была использована для анализа ВАХ силовых диодов в прямом направлении. Однако в действительности для изготовления полупроводниковых структур силовых диодов в настоящее время наиболее широко используется длительная диффузия легирующих примесей при высоких температурах около 1250 - 1300 С. Глубина залегания р - п перехода при этом достигает и может даже превышать 100 мкм, а толщина п - слоя равна примерно 30 - 50 мкм. Переходы, в особенности электронно-дырочный, в рассматриваемом случае отличаются весьма плавным изменением концентраций легирующих примесей на границах различных слоев структуры. [23]
 |
Схема нагревателей ТЗКЖе Н6 ОСТЗСТСЯ ПОСТО. [24] |
Рассмотрены приближенные аналитические решения задач теплопроводности в кристалле с учетом перемещения фронта кристаллизации. Дана методика расчета теплового поля слитка при выращивании его в условиях теплового экранирования, обсуждаются процессы диффузии легирующих примесей в твердой фазе. Результаты решений задач теплопроводности и дуффу-зии сопоставлены с опытными данными. [25]
В предыдущих главах, посвященных описанию физических процессов в силовых тиристорах, неоднократно использовалась модель полупроводниковой р-п-р-п структуры с резкими, ступенчатыми электронно-дырочными переходами. Однако в действительности, как и в случае силовых диодов, для изготовления р-п-р-п структур широко используется длительная диффузия легирующих примесей при высоких температурах - около 1200 - 1300 С. Глубина залегания переходов j и / 3 при этом достигает 100 мкм и может быть даже выше, а глубина залегания перехода / 3 достигает иногда 20 - 30 мкм. Электронно-дырочные переходы р-п-р-п структуры в этом случае характеризуются плавным изменением концентраций легирующих примесей на границах различных слоев структуры. [26]
Механизм влияния дефектной структуры подложки на электрические свойства автоэпитаксиального слоя GaAs, вне всякого сомнения, является очень сложным. On связан, вероятно, как с наследованием эпитаксиалышм слоем GaAs дефектной структуры подложки, так и с диффузией легирующей примеси хрома из подложки в растущий автоэпитак-сиальный слой. Оба эти фактора могут повлиять на величину переходного слоя и особенности его дефектной структуры. [27]
Распределение примесей в эпитаксиалыюм слое может быть выражено либо соотношением ( 6.39 6), либо приближенным соотношением ( 6.39 е), если скорость эпитаксиалыюго выращивания превышает 0 2 мкм / мин. К таким переменным относятся концентрации А п, V0 и Q примесей при создании соответствующих областей, значения коэффициентов диффузии D легирующих примесей, толщина эпитаксиальной пленки хэп, длина / э и ширина wa эмиттера биполярного транзистора. [28]
Благодаря уменьшению градиента температур снижаются напряжения, возникающие при охлаждении, уменьшается деформация, предотвращается образование холодных трещин п ослабляется диффузия легирующих примесей. Вследствие снижения скорости охлаждения уменьшается твердость поверхности реза. Следует проводить резку горячего металла сразу после выемки изделия из нагревательной печи. [29]
В настоящее время при изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах наиболее широко применяют планарно-эпитакеиальную технологию. Ее отличительной особенностью является то, что коллекторные области структур создаются эпитаксиальным выращиванием слоя кремния га-типа проводимости на подложке р-типа, а базовые и эмиттер-ные - диффузией легирующих примесей в эпитаксиальный слой. Причем змиттерные области формируются диффузией донорных примесей максимально возможной концентрации. [30]
Страницы: 1 2 3