Cтраница 2
Вследствие этого при переходе через границу диэлектрика напряженность электрического почя Е и характеризующая ее густота линий поля изменяются скачком. [16]
Вследствие этого при переходе через границу диэлектрика напряженность электрического поля Е и характеризующая ее густота линий поля изменяются скачком. [17]
Вследствие этого при переходе черзз границу диэлектрика напряженность электрического поля Е и арактеризующая ее густота линий поля изменяются скачком. [18]
На границе двух сред, обладающих различной диэлектрической проницаемостью, напряженность и, как следствие, густота линий поля меняются скачкообразно. [19]
![]() |
Линии напряженности электрического поля точечного заряда, пересекающие замкнутую поверхность 2. [20] |
Сравнивая это соотношение с выражением для напряженности поля точечного заряда ( 4), видим, что густота линий пропорциональна напряженности поля. [21]
Там, где напряженность поля велика - линии проводятся густо, там, где поле слабое - густота линий невелика. [23]
![]() |
Шаровые поверхности / и 2. [24] |
Там, где напряженность поля велика - линии проводятся густо, там, где поле слабое, - густота линий невелика. [25]
В каждой плоскости, параллельной плоскости XOY, линии напряженности поля распределены равномерно, но в направлении оси OZ густота линий меняется по закону синуса. [26]
В каждой плоскости, параллельной плоскости хОу, линии напряженности поля распределены равномерно, но в направлении оси 0z густота линий меняется по закону синуса. [27]
В каждой плоскости, параллельной плоскости XOY, линии напряженности поля распределены равномерно, но в направлении оси OZ густота линий меняется по закону синуса. [28]
Если на каждое рекристалли-зованное зерно приходится в среднем всего одна точка, то для увеличения надежности счета используют сетки с разной густотой линий. [29]
![]() |
Сферы, проведенные вокруг положительного точечного заряда q. На каждой из них показана единичная площадка. [30] |