Диффузия - элемент - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Лучше помалкивать и казаться дураком, чем открыть рот и окончательно развеять сомнения. Законы Мерфи (еще...)

Диффузия - элемент

Cтраница 1


1 Распределение примеси, продиффунди-ровавшей в полупроводник ( а, и образование р-п перехода ( б. Nдо, / Vafl, N ( x, Na ( x - концентрации донорной и акцепторной примесей соответственно на поверхности и внутри полупроводника. [1]

Диффузия элементов I и VIII групп происходит по междоузлиям. Коэффициенты диффузии этих материалов на много порядков больше, чем у элементов III и V групп. Например, коэффициент диффузии меди при температуре 1200 С равен 10 - 5 см2 / с. Эта особенность, связанная с быстрым проникновением посторонних примесей, вызывает большие технологические трудности, поскольку даже незначительные концентрации таких примесей в приповерхностной области материала приводят к интенсивной диффузии. В результате происходят недопустимые изменения электрических свойств полупроводника.  [2]

При диффузии элементов в покрываемый металл, атомы которых имеют диаметры, превышающие диаметры атомов материала подложки более чем на 15 - 16 %, искажения металла подложки становятся недопустимо большими, и это приводит к разрушению поверхности металла и подложки.  [3]

При диффузии элементов, образующих в результате диффузии решетку внедрения, объемная и поверхностная диффузии обычно имеют один и тот же порядок, поэтому науглероживание стали не будет обладать значительной структурной чувствительностью, но диффузия вольфрама в железо или железа в твердый сплав резко проявит структурную чувствительность.  [4]

Процессы диффузии элементов в расплавленных металлах изучены пока еще очень мало.  [5]

Коэффициенты диффузии элементов в жидкий металл близки между собой, тогда как по отношению к твердым металлам они отличаются друг от друга на несколько порядков. Для диффузии углерода в жидкую сталь при температуре 1550 СС ориентировочно можно принимать D 5 10 - ъ см2 / сек.  [6]

Коэффициент диффузии D элементов и соединений в твердой фазе ( горные породы, почвы) на несколько порядков меньше коэффициента диффузии D в фазе раствора.  [7]

Исследование диффузии элементов VI группы сильно осложняется их химической активностью. В процессе диффузионного отжига на поверхности полупроводника может образоваться слой сложного фазового состава или же происходит интенсивное газовое травление и эрозия поверхности образца. Это приводит к аномальному концентрационному распределению диффундирующей примеси. Процессы фазообразования и термического травления поверхности можно подавить нанесением на поверхность образца защитного слоя SiO2 или SiO или же проведением диффузии из таких соединений элементов VI группы, давление паров халькогена над которыми мало. При малой концентрации халькогена в парах процесс диффузии примеси может быть осложнен образованием пор или комплексов в диффузионной зоне. Образование комплексов при легировании GaAs селеном приводит к самокомпенсации и к изменению электронного типа электропроводности на дырочный.  [8]

Для снижения диффузии элементов сплава в палладиевый слой на образцы из сплава были нанесены барьерные слои из гальванического или карбонильного никеля толщиной до 50 мкм, а затем нанесен палладиевый слой.  [9]

Процессы деформации и диффузии элементов окружающей среды ( газов, смазочных материалов), протекающие одновременно, взаимно усиливают друг друга и оказывают существенное влияние на механизм пластической деформации. Вследствие особенностей, указанных выше, напряженное состояние деформированного объема не может быть описано математически с помощью существующих теорий механики сплошной среды без очень грубых допущений. Изучение физических механизмов пластической деформации при трении возможно при использовании комплексного подхода, включающего изучение интегральной картины процесса с применением современных методов структурного анализа тонких поверхностных слоев ( например, метода рентгеноструктур-ного анализа), а также дифференцированного исследования влияния отдельных факторов путем постановки специальных модельных опытов.  [10]

Для снижения скорости диффузии элементов из облака разряда предлагается [101] применить наложение на дуговой разряд магнитного поля.  [11]

12 Температурная зависимость коэффициентов диффузии углерода в покрытиях из карбида ниобия на графите, полученных разложением хлорида ниобия.| Температурная зависимость коэффициентов диффузии углерода в покрытии из карбида циркония на графите. [12]

Аналогичная методика изучения диффузии элемента матрицы в растущем покрытии была использована и для металлических покрытий. В [71] сообщаются данные о диффузии молибдена, ниобия и циркония в покрытии из иттрия.  [13]

Продолжительность нагрева объясняется затрудненной диффузией элементов в гексагональной решетке магния. Термическая обработка здесь только немного повышает механические свойства и не дает такого благоприятного эффекта, как у сплавов алюминия.  [14]

Поэтому в поликристаллических телах диффузия элементов протекает быстрее, чем в монокристаллах. Но с повышением температуры относительная роль объемной диффузии возрастает.  [15]



Страницы:      1    2    3    4