Манганиновый датчик
Cтраница 1
 |
Манганиновый датчик.| Диэлектрический датчик. [1] |
Манганиновые датчики отличают относительная простота в изготовлении, доступность материала и надежность в эксплуатации. К недостаткам следует отнести зависимость коэффициента пьезочувствительности от среды, в которую датчик помещен, а также наличие гистерезиса. Кроме того, этот датчик является вторичным средством ( как и многие другие) регистрации давления ударного сжатия и предполагает наличие первичного ( абсолютного) точного определения давления косвенным методом, заключающимся в том, что с помощью электромагнитного способа либо лазерного интерферометра определяют скорость свободной поверхности или массовую скорость, а затем на основе законов сохранения энергии определяют действующее давление. [2]
Применение манганиновых датчиков основано на высокой чувствительности удельного электросопротивления манганина к давлению при низкой чувствительности к изменениям температуры. [3]
В манганиновых датчиках под действием давления изменяется электрич. Эти датчики обычно используют для измерения давления св. Принцип устройства индуктивных датчиков состоит в изменении индуктивности системы при перемещении чувствит. Индуктивность системы зависит от магн. [4]
Чувствительный элемент манганинового датчика давления представляет собой проволочную спираль ( d 30 мкм), намотанную на каркас из папиросной бумаги и покрытую слоем лака. Спираль с каркасом помещены в герметичный сильфон, тщательно заполненный пентаном. Провода выводятся при помощи конусных самоуплотняющихся выводов с изоляцией слоем слюды. Под действием давления среды сильфон обжимается и передает давление чувствительному элементу, сопротивление которого измеряется с помощью специальной мостовой схемы. Исследования проводимости полупроводников выявили их высокую чувствительность к изменению давления, однако при этом часто имеет место значительный гистерезис. [5]
Схема размещения нескольких манганиновых датчиков в одном косом сечении образна: 1 -ударник; 2 -составной образец; 3 -чувствительные элементы датчиков; 4-изолирующие пленки и выводы датчиков. [6]
Для измерения сопротивления манганинового датчика обычно применяют мосты, а при ответственных измерениях потенциометры. Погрешность манометров сопротивления не превышает 1 % от верхнего предела измерения. [7]
Подобно магнитоэлектрическим датчикам, фольговые манганиновые датчики размещаются внутри образа. [8]
В [40] с помощью низкоомых манганиновых датчиков давления исследовалось инициирование детонации в зарядах флегматизирован-ных гексогена и октогена последовательными ударными волнами. Установлено, что предварительное нагружение заряда ВВ ударной волной с амплитудой - 1 5 ГПА практически предотвращает возбуждение разложения ВВ второй ударной волной с амплитудой более 5 ГПа, которая следует за первой через 0 85 мкс. Более того, быстрое развитие детонации начинается только после того, как вторая ударная волна догонит первую ударную волну. [10]
Давление в камере измерялось прокалиброванными манганиновыми датчиками электросопротивления с точностью 0 1 кбар. [11]
При выполнении измерений было замечено, что манганиновые датчики давления испытывают удлинение при прохождении через них импульса сжатия в стекле. [12]
 |
Сосуд высокого давления с ман - Л. [13] |
Для измерения порядка 100 кбар применяют также и манганиновые датчики. Один из таких датчиков [123] представляет собой катушку с винтовой прорезью, в которую укладывается манганиновая проволока. Внутри катушки имеется полость, куда вложены цилиндрики из висмута, таллия и бария. Это свидетели для установления момента полиморфного перехода, давление которого известно. В этот момент объем цилиндрика скачком изменяется. Однако вследствие того, что среда, передающая давление, вязка и не может сразу заполнить полость, образующуюся при изменении объема при полиморфном переходе эталона, происходит локальное понижение давления, которое и отмечает манганин. [14]
В щелях на одинаковом расстоянии от поверхности соударения располагаются манганиновые датчики давления. [15]
Страницы: 1 2 3