Манганиновый датчик
Cтраница 3
Для прямого измерения детонационных давлений используют пьезорезистив-ные и пьезоэлектрические измерительные преобразователи. В конденсированных ВВ детонационное давление измеряют пьезорезистивными измерительными преобразователями на основе манганина - манганиновыми датчиками давления. Выбор манганина в качестве материала для датчиков давления основан на сильной зависимости его удельного сопротивления от давления ( сопротивление датчика RX увеличивается примерно на 25 30 % при увеличении давления на 10 ГПа) при невысоком значении температурного коэффициента сопротивления. Фольговые манганиновые датчики размещаются внутри заряда ВВ. Поскольку продукты детонации обладают электропроводностью, чувствительный элемент датчика размещают между изолирующими прокладками из фторопласта, слюды, эпоксидной смолы или лавсана. Для питания датчика используются сильноточные ( 5 10 А) импульсные источники стабилизированного тока. Для измерения изменяющегося сопротивления используются различные дифференциальные схемы, исключающие постоянную составляющую сигнала. [31]
Определенную информацию о переходе графит - алмаз в условиях ударно-волнового нагружения может дать измерение электропроводности вещества за фронтом ударной волны, поскольку, в отличие от графита, алмаз является хорошим диэлектриком. В [21.43] представлены результаты экспериментов по одновременному измерению удельного электросопротивления и регистрации давления с помощью манганиновых датчиков давления в ударной волне в высококристаллическом ( пиролитическом) и поликристаллическом графите. [32]
Для прямого измерения давления в ударных и детонационных волнах используют пъезорезистивные и пьезоэлектрические измерительные преобразователи. В конденсированных инертных и реагирующих средах давление измеряют пьезорезистивными измерительными преобразователями на основе манганина - манганиновыми датчиками давления. [33]
Из-за малой толщины образца можно считать, что в каждый момент времени он сжат до давления Р, регистрируемого манганиновым датчиком. В принципе это дает возможность по результатам одного эксперимента построить зависимость R от Р по аналогии с одним циклом подъема и сброса давления на статических установках. [34]
 |
Результаты измерений профилей сжимающего [ IMAGE ] Предполагаемая схема волновых. [35] |
На рисунке 1 представлены результаты двух опытов с образцами натриево-известкового стекла, составленными из 4 - х пластин толщиной 1 21 0.06 мм и двух пластин толщиной 2 52 мм, соответственно. Ударные волны генерировались ударом алюминиевой пластины толщиной 7 мм со скоростью 1 17 км / с через промежуточную медную пластину-ослабитель толщиной 5 5 мм Измерения проводились с использованием манганиновых датчиков давления, первый из которых размещался между ослабителем и стеклянным образцом, а второй - на границе между образцом и медной преградой толщиной 5 5 мм. Волновые профили, измеренные на входе в образец и на выходе из него, имеют ряд особенностей. Измеренные интервалы времени между точками 2 и 2 сжрошей точностью равны периодам циркуляции упругих волр в пластинах соответствующей толщины. [36]
Для прямого измерения давления в ударных и детонационных волнах используют пъезорезистивные и пьезоэлектрические измерительные преобразователи. В конденсированных инертных и реагирующих средах давление измеряют пьезорезистивными измерительными преобразователями на основе манганина - манганиновыми датчиками давления. Фольговые манганиновые датчики размещаются внутри исследуемой среды, например, заряда ВВ. Поскольку исследуемая среда может обладать электропроводностью, чувствительный элемент датчика размещают между изолирующими прокладками из фторопласта, слюды, эпоксидной смолы или лавсана. [37]
Для прямого измерения детонационных давлений используют пьезорезистив-ные и пьезоэлектрические измерительные преобразователи. В конденсированных ВВ детонационное давление измеряют пьезорезистивными измерительными преобразователями на основе манганина - манганиновыми датчиками давления. Выбор манганина в качестве материала для датчиков давления основан на сильной зависимости его удельного сопротивления от давления ( сопротивление датчика RX увеличивается примерно на 25 30 % при увеличении давления на 10 ГПа) при невысоком значении температурного коэффициента сопротивления. Фольговые манганиновые датчики размещаются внутри заряда ВВ. Поскольку продукты детонации обладают электропроводностью, чувствительный элемент датчика размещают между изолирующими прокладками из фторопласта, слюды, эпоксидной смолы или лавсана. Для питания датчика используются сильноточные ( 5 10 А) импульсные источники стабилизированного тока. Для измерения изменяющегося сопротивления используются различные дифференциальные схемы, исключающие постоянную составляющую сигнала. [38]
Широкое применение ультрадисперсного алмаза детонационного синтеза для изготовления режущего и шлифующего инструмента сдерживается чрезвычайно малыми размерами частиц. Для прессования и спекания поликристаллов с высокими механическими свойствами требуется алмазный порошок с размерами частиц, большими 1 мкм, что на 2 - 3 порядка превышает размеры частиц алмаза детонационного синтеза. В [21.56, 21.57] описан метод укрупнения частиц ультрадисперсного алмазного порошка при его динамическом компактировании с использованием модифицированного динамического пресса. Скорость ударника составляет 500 50м / с. Измерение давления в компактируемом алмазе с помощью манганинового датчика [21.58] показало, что сжатие порошка имеет безударный характер, максимальное давление равно НГПа. Таким образом, полученные частицы образуются в результате сцепления алмазных кластеров в слабой ударной волне с плавным нарастанием давления во фронте. [39]
Страницы: 1 2 3