Описанный датчик - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если тебе до лампочки, где ты находишься, значит, ты не заблудился. Законы Мерфи (еще...)

Описанный датчик

Cтраница 4


46 Схема корректирующего регулятора нейтрализации ( КРН2. [46]

Слабый щелок из нейтрализаторов подают в донейтрализаторы. Для регулирования процесса донейтрализации используется также описанный датчик кислотности и аналогичный регулятор, который воздействует на подачу аммиака.  [47]

С 1981 г. начали выпускать новые уровнемеры типов 1105 - - 1135 с кодовыми датчиками, в которых в качестве кодирующих элементов применены бесконтактные выключатели магнитного действия, использующие эффект Холла. Механическое построение и принцип работы кодового датчика аналогичны конструкции описанного датчика. Селектор представляет две десятичные матрицы. На одну матрицу подают напряжение, характеризующее номер выбранного селектора и обеспечивающее питание его электронного блока. На вторую матрицу подают напряжение, соответствующее номеру выбранного резервуара в группе. Хотя это напряжение открывает матрицы для резервуаров, имеющих такой номер во всех группах, к линии подключают только выбранный резервуар, так как напряжение поступает на электронный блок лишь выбранного селектора.  [48]

49 Датчик для зерна с прессованием образца. [49]

Это устройство должно обеспечить постоянство давления на образец при определениях влажности. Стакан 2 заключен в футляр 7 из диэлектрика, который при выполнении измерения предохраняет датчик от нагревания руками лаборанта. У описанного датчика необходимо часто ( по инструкции к прибору ВЭ-2 перед каждой сменой) проверять правильность установки визирного устройства. Проверка выполняется с помощью контрольного цилиндра, вставляемого в датчик; в случае необходимости положение визирного устройства корректируется.  [50]

51 Датчик влагомера Маркони для порошкообразных материалов. [51]

Это устройство должно обеспечить постоянство чапления на образец при определениях влажности. Стакан 2 заключен в футляр 7 из диэлектрика, который по замыслу авторов конструкции при выполнении измерения предохраняет датчик от нагревания руками лаборанта. У описанного датчика необходимо часто ( по инструкции к прибору ВЭ-2 перед каждой сменой) проверять правильность установки визирного устройства. Проверка выполняется с помощью контрольного цилиндра, вставляемого в датчик; в случае необходимости положение визирного устройства корректируется.  [52]

53 Индуктивный. преобразователь. [53]

Зависимость тока в обмотке датчика от величины воздушного зазора изображена на рис. 7Д Из рис. 7 6 видно, что при нулевом зазоре ток через датчик не равен нулю. Это является существенным недостатком датчиков такого типа. Вторым недостатком описанного датчика является наличие силы притяжения между плунжером и сердечником, что вызывает необходимость увеличения механической мощности привода.  [54]

Индуктивные датчики с подвижным сердечником применяются для измерения перемещений порядка миллиметров и десятков миллиметров. Эти одинаковые катушки цилиндрической формы расположены на одной оси и внутри них может перемещаться цилиндрический сердечник, связанный с первичным измерителем. Катушки индуктивности описанных датчиков как с подвижным якорем, так и с подвижным сердечником обычно включаются в соседние плечи мостовой схемы.  [55]

Поправка на фазовый сдвиг возникает по той причине, что падающий свет претерпевает два фазовых сдвига: один, равный 2л, при отражении от поверхности пленки, второй - отличный от 2л, при отражении от границы пленка - подложка. Величины поправок на фазовый сдвиг были рассчитаны Плискиным [328] для пленок SiO2, A12O3 и нитрида кремния на некоторых металлических поверхностях и германии. Эти величины лежат в пределах от - 60 до - 300 А для перпендикулярного компонента световых колебаний и, следовательно, должны в общем случае учитываться. Описанный датчик толщины был использован в установке для радиочастотного ионного распыления SiO2 на пластины кремния. При этом пленки толщиной от 2000 до ЗООООА контролировались с точностью от 1 % до 2 %, которая является типичной для оптических датчиков. Поскольку элементы контроля размещены вне вакуумной установки, то такая система контроля может быть применена и для метода вакуумного испарения. Наиболее часто в качестве диэлектрического вещества используется SiO, которая имеет некоторое поглощение в видимой области спектра. По этой причине происходит уменьшение интенсивности отраженного света с увеличением порядка интерференции. Экспериментальные кривые интенсивности света, прошедшего через растущую пленку SiO, показывают экспоненциальное уменьшение, наложенное на периодические интерференционные изменения интенсивности. Это приводит к уменьшению разности в интен-сивностях в максимуме и минимуме, и с некоторой толщины их становится трудно различать. Так например, Зербст [329] показал, что кривая пропускания для пленок SiO толщиной больше 8000 А практически не содержит максимумов и минимумов. Интерференционный метод может быть использован и в инфракрасной области спектра. Это представляет особый интерес для контроля толщины эпитаксиальных пленок кремния. Поскольку процесс эпи-таксии проводится при повышенной температуре, то нет необходимости в использовании внешнего источника света. Излучение от подложки кремния [324] или сапфира [331] создает интерференционную картину вследствие частичного отражения от поверхности пленки. В случае эпитак-сии кремния на кремнии эффект зависит от различия в концентрации и положении примесных уровней в пленке и подложке, поскольку показатель преломления кремния зависит от концентрации свободных носителей [ см. также гл.  [56]

57 Схема весомера. [57]

Величина компенсирующей силы или пропорциональное ей перемещение груза подсчитываются счетчиком точно на ДП. Сигналы на ДП поступают от бесконтактного датчика 1 числа оборотов микрометрического винта. При каждом полном обороте винта датчик посылает на ДП один импульс. Этот датчик аналогичен уже описанному датчику 8 и имеет такой же генератор высокой частоты, усилитель и импульсное реле.  [58]

59 Принципиальная схема газоанализатора МГК. [59]

Газ, входящий в область магнитного поля обмотки R3, более холодный, а в область обмотки 4 он попадает с более высокой температурой, чем на входе в датчик. Таким образом, левая обмотка Ra охлаждается значительно больше, чем правая. Изменение сопротивления обмоток нарушает равновесие измерительного моста. Величина разбаланса измерительного моста зависит от концентрации кислорода в анализируемой смеси. При отсутствии кислорода в анализируемой смеси поток газа в поперечной трубке отсутствует, и сопротивления нагревательных элементов Rs и 4 равны, постоянны и находятся в равновесии. В качестве вторичных приборов, работающих в комплекте с описанным датчиком, применяются различные показывающие и самопишущие милливольтметры или потенциометры.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5