Cтраница 3
![]() |
Два ромбических кристалла с одинаковым габитусом, но разными комбинациями простых форм. а - простая форма 110 с менее развитыми формами 101 и 011. б - простые формы 100, 010 и 001. [31] |
Тракт - характеристика граней, которые наблюдаются у кристалла. Два кристалла с одинаковым габитусом могут иметь различный трахт. [32]
Для уменьшения шумов гетеродина применяется балансный смеситель. Два кристалла расположены таким образом, что на каждый кристалл сигнал подается в фазе, а от гетеродина - в противофазе. Тогда выходной сигнал па промежуточной частоте складывается, а шумы гетеродина погашаются. [33]
Эти системы используются главным образом кристаллографом; химику редко приходится определять их. Если два кристалла из одного и того же материала, сросшихся вместе, растут совершенно одинаково или симметрично, в этом случае их называют двойниками. [34]
С точки зрения построения обратной решетки, пятна двойной дифракции являются суммой векторов g двух отражений. Если два кристалла имеют различную структуру, то рефлексы двойной дифракции не имеют соответствующего межплоскостного расстояние d в каждом кристалле. Анализ пятен двойной дифракции от сдвоенных пленок типа сэндвичл важен для интерпретации муаровой картины в электронно-микроскопических изображениях. [35]
![]() |
Схематическое изображение винтовой дислокации.| Контур и вектор Бюргерса. [36] |
ГУдобный метод определения этого вектора предложен Бюргер-сом. Рассмотрим два кристалла, один из которых совершенный, а другой содержит одну дислокацию. Определим теперь некоторый замкнутый контур в совершенном кристалле, проходящий по атомам решетки. Итак, дислокацию можно представить как линейный дефект, вокруг которого контур Бюргерса не замкнут. Очевидно, что длина вектора Бюргерса кратна межатомным расстояниям. [37]
Границы, образующиеся в твердом теле, можно разделить на три основных класса: когерентные, полукогерентные и некогерентные. Считается, что два кристалла полностью когерентны, если они соприкасаются по плоской поверхности раздела ( не обязательно рациональной), которая является общей для решеток обоих кристаллов. Ряды и плоскости обеих решеток не прерываются на поверхности раздела, а лишь изменяют направление при переходе от одного кристалла к другому. Примером границ этого типа являются когерентные двойниковые границы. Однако в общем случае, когда имеются две различные фазы с произвольными параметрами решеток ( зависящими от характера межатомных взаимодействий), плоскости, по которым могло бы происходить точное сопряжение обеих решеток, обычно отсутствуют, так что полностью когерентные межфазные границы между кристаллами значительных размеров явление редкое. [38]
Покажите, что два кристалла с различными пространственными группами являются зеркальными отображениями друг друга. [39]
Влага поочередно поглощается и десор-бируется на каждом кристалле, что обусловливает различие в массе и, следовательно, изменение частоты колебаний. В этом приборе два кристалла с покрытием в сочетании с системой переключения потока образуют единое устройство для измерения динамики уменьшения концентрации паров воды. Каждый кристалл поочередно обдувается анализируемым газом и затем сухим эталонным газом. Прибор позволяет определять влажность в интервале 0 - 25 000 млн 1 в атмосферных газах, углеводородах нефти - метане, этилене и бензоле, во фторуглеводородах, спиртах и в коррозионных газах - диоксиде и триоксиде серы, сероводороде, аммиаке и меркаптанах. [40]
Опыт полностью подтверждает эти расчеты. Если, например, расположить два кристалла один за другим и, задержав один из лучей, рассматривать на экране следы двух пучков / 0 и /, на которые разобьется второй, то относительные интенсивности их будут зависеть от взаимной ориентации кристаллов. [41]
В этой схеме излучение распространяется под углом 45 к оси z или у, обыкновенный и необыкновенный лучи расходятся в пространстве. Для компенсации этого эффекта приходится использовать два кристалла, что делает конструкцию ЭОЗ громоздкой. [42]
Установление кристаллической системы точно не определяет общую симметрию кристалла. Например, на рис. 16.27 показаны два кристалла, принадлежащие к кубической системе, однако общая симметрия второго ниже, чем первого. Это различие в симметрии появляется, когда за основу принимаются операции вращения; в то время как первый кристалл имеет ось 4-го порядка-второй имеет лишь ось 2-го порядка. Первый кристалл имеет полную кубическую симметрию, а второй - симметрию тетраэдра, и поэтому они принадлежат к разным классам кристаллов. [43]
Установление кристаллической системы точно не определяет общую симметрию кристалла. Например, на рис. 16.27 показаны два кристалла, принадлежащие к кубической системе, однако общая симметрия второго ниже, чем первого. Это различие в симметрии появляется, когда за основу принимаются операции вращения: в то время как первый кристалл имеет ось 4-го порядка, второй имеет лишь ось 2-го порядка. Первый кристалл имеет полную кубическую симметрию, а второй - симметрию тетраэдра, и поэтому они принадлежат к разным классам кристаллов. [44]
Установление кристаллической системы точно не определяет общую симметрию кристалла. Например, на рис. 16.27 показаны два кристалла, принадлежащие к кубической системе, однако общая симметрия второго ниже, чем первого. Это различие в симметрии появляется, когда за основу принимаются операции вращения: в то время как первый кристалл имеет ось 4-го порядкз, второй имеет лишь ось 2-го порядка. Первый кристалл имеет полную кубическую симметрию, а второй - симметрию тетраэдра, и поэтому они принадлежат к разным классам кристаллов. [45]