Два - кристалл
Cтраница 4
В просвечивающей электронной микроскопии тонких пленок иногда встречаются муаровые картины. Эти картины имеют место в тех случаях, если два кристалла наложены так, как гетероэпитаксиальные пленки на монокристаллической тонкой подложке. Они возникают из-за двойной дифракции, вследствие того, что луч, дифрагированный в первом кристалле, отражается вторым кристаллом в положение, близкое к первичному пучку, так что он может проходить через диафрагму объектива. Изображение состоит из полос, перпендикулярных направлению рефлекса, образованного двойной дифракцией. [46]
Граница зерна - это двумерный дефект кристаллической решетки, который вносит разориентацию в решетку, не создавая крупномасштабного поля напряжений. Как следствие монокристалл, содержащий большеугловую границу, лучше всего описывается как два кристалла с различной ориентацией решеток по разные стороны границы. В то же время малоугловая граница выглядит ка к дефект в монокристалле. [48]
Предварительно нагретые до температуры 664, более высокой, чем температура начала контактного плавления, два кристалла КС1 в виде кубиков одинакового веса контактировали разными гранями с одной и той же гранью кристалла NaCl, в десятки раз превышающего их по весу и нагретого до той же температуры, и определялась скорость контактного плавления [4] при двух значениях давления. [49]
Смирнов [173] доказал, что при температуре 12 - 16 С культуры хуже образуют споры и что многие вегетативные клетки в этих условиях образуют токсические кристаллы без образования спор. В связи с этим нарушается соотношение спор и кристаллов, так как многие клетки содержат по два кристалла. [50]
 |
Структура многоэмиттерного транзистора.| Эквивалентная схема ммогоэмиттерного транзистора. [51] |
С целью повышения выходной мощности на одном кристалле создается несколько многозмиттерных структур, а в самом транзисторе располагается несколько кристаллов. Так, например, в транзисторе мощностью 50 Вт при частоте 500 МГц в корпусе располагаются два кристалла, каждый из которых имеет по восемь структур. [52]
 |
ИК-спектры поглощения кристалла до 2 - 4 - 103 угловых секунд деформации ( а и после деформации ( б при. [53] |
С целью исследования возможной релаксации напряжений при перераспределении свежих дислокаций, введенных деформацией, были проведены эксперименты по отжигу образцов при температурах выше температуры деформации. Отжигу при температуре 2000 К ( 1 5 ч) в вакууме 1 10 - 8 - 5 0 - д мм рт. ст. подвергали два кристалла: после деформации при давлении 70 кбар при температурах 1800 и 1900 К. [54]
Что же касается Гюйгенса, то здесь вопрос о понимании ученым природы света оказался более острым. Недостаточное понимание этой природы, как известно, не позволило Гюйгенсу объяснить его же собственные опыты по двойному лучепреломлению, в которых пучок света пропускался последовательно через два кристалла. Гюйгенс наблюдал, как вышедшие из первого кристалла обыкновенный и необыкновенный лучи вели себя во втором кристалле по-разному - в зависимости от взаимной ориентации кристаллов. [55]
Переключатель однополосный на диапазон частот от 0 8 до 1 4 ГГц с развязкой не хуже 25 дБ и временем переключения менее 600 мс. В переключателе использованы два кристалла со структурами диодов р-г-и-типа, включенные в параллель на расстоянии / 4 длины волны от узлового соединения, а также шесть кристаллов со структурами микроконденсаторов для блокирования постоянных токов и замыкания цепей по высокой частоте. [56]
Чтобы убедиться в том, что наблюдаемое уменьшение примесного поглощения действительно является результатом освещения, и избежать ошибок, вызванных различной скоростью падения поглощения в двух кристаллах, эти опыты были повторены много раз на различных парах кристаллов. Все измерения дали, по существу, одинаковые результаты, хотя абсолютные значения коэффициентов поглощения в коротковолновой области были не вполне воспроизводимы. Можно думать, что два кристалла, использованные для целей сравнения, могли случайно обладать различными свойствами. [57]
Для каждого класса симметрии существуют свои типы двойникования. Иные из них столь характерны для каких-либо веществ, особенно минералов, что получили название законов двойникования по типичному кристаллу либо по месторождению, в котором находят двойниковые кристаллы. Для кубических кристаллов весьма характерны: двойники по алмазному закону, где два кристалла срастаются по плоскостям 100; двойники по пиритовому закону, где два пентагондодекаэдра 210 прорастают друг в друга, образуя конфигурацию, похожую на крест; двойники по шпинелевому закону - срастание по грани ( 111) с поворотом на 180 вокруг оси 3, нормальной к грани октаэдра с высокими индексами. [58]
Когда в результате превращения образуется двухфазный продукт ( например, двухфазный пластинчатый агрегат с некогерентной поверхностью раздела), скорость образования зародышей может зависеть от времени по совершенно иным причинам. Хотя такие превращения связаны с изменением состава, имеет смысл кратко остановиться на этом вопросе. Критические условия для роста упомянутого агрегата определить очень трудно, поскольку при этом образуется по крайней мере два кристалла: по одному для каждой из возникающих фаз. Предположим, что одна из фаз зарождается на границах зерен, а вторая - на поверхности образовавшихся частиц первой фазы с постоянной скоростью относительно единицы площади такой поверхности. [59]
Важную роль в кристаллах играют еще два типа несовершенств - двойники и дефекты упаковки. Составные кристаллы, в которых отдельные части связаны друг с другом определенным кристаллографическим образом, называют сдвойнико-ванными кристаллами. Двойниковые кристаллы называют простыми двойниками, если они состоят из двух определенным образом ориентированных частей, и сложными двойниками, если они состоят из нескольких частей. В контактных двойниках два кристалла встречаются вдоль определенной плоскости, называемой плоскостью сопряжения. В некоторых случаях два индивидуальных кристалла связаны отражением в плоскости решетки, общей для обоих кристаллов. Такую плоскость называют плоскостью двойникования, причем она может совпадать или не совпадать с плоскостью сопряжения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5