Cтраница 3
Если внешние электрические силы отсутствуют ( рис. 1 - 21, пунктирная кривая), то наблюдается тепловая диффузия атомов ( равновероятная для всех направлений) и вероятность нахождения атомов ( ионов) в двух потенциальных ямах будет одинакова и ток в кристалле будет отсутствовать. [31]
![]() |
Значения коэффициентов тепловой и магнитной диффузии при температуре 4 2 К. [32] |
Отсюда следует, что для сплава Nb-Ti в нормальном состоянии характерное время магнитной диффузии тт значительно меньше времени тепловой диффузии те. Поэтому естественно ожидать, что за время, в течение которого происходит скачок магнитного потока, генерируемое им тепло не успевает сколь-нибудь заметно перераспределиться по объему сверхпроводника. [33]
Рассеянный слой ионов противоположного заряда удерживается на определенном расстоянии от поверхности стенок вследствие равновесия сил, обусловленных электрическим притяжением и тепловой диффузией. Подобная модель обычно называется электрическим двойным слоем и может рассматриваться аналогично пластинам конденсатора. Механизм явления, определяющего величину электростатического заряда, возникающего в потоке жидкости, сложен. [34]
Данные табл. 15 подтверждают, что для малых частиц, диаметр которых близок к 0 5 мкм, зарядка под действием тепловой диффузии наиболее важна. [35]
Из (4.65) и (4.68) видно, что доля тепловой мощности или поступившей в пласт тепловой энергии, переданная окружающим породам, зависит лишь от тепловой диффузии 8, длительности нагнетания t и толщины слоя Я. Из рис. 4.11 видно, что потери энергии в породе существенно возрастают при уменьшении мощности пласта. [37]
Из (4.65) и (4.68) видно, что доля тепловой мощности или поступившей в пласт тепловой энергии, переданная окружающим породам, зависит лишь от тепловой диффузии 5, длительности нагнетания t и толщины слоя Я. Из рис. 4.11 видно, что потери энергии в породе существенно возрастают при уменьшении мощности пласта. [39]
Плотность тока на аноде может быть такова, что анод отсасывает из анодной области больше электронов, чем их может дать положительный столб под действием тепловой диффузии и нормальной напряженности поля положительного столба. [40]
Возникновение диффузного слоя ионов в растворе вблизи межфазной границы обусловлено равновесием между притяжением ( отталкиванием) ионов к заряженному электроду и выравниванием ионных концентраций за счет тепловой диффузии. Трактовка этих авторов близка к теории сильных электролитов Дебая-Хюккеля. Теория Гун-Чэпмена основана на ряде не вполне строгих предположений. Например, в этой теории ионы рассматриваются как точечные заряды, а также принимается, что при переносе ионов к границе раздела фаз затрачивается лишь электростатическая работа. Поэтому теория Гуи - Чэпмена является точной лишь для разбавленных растворов. Далее, в этой теории принимается, что роль растворителя в электрическом взаимодействии между ионом и электродом можно учесть с помощью макроскопической диэлектрической проницаемости. Это предположение в электрохимической теории весьма распространено и зачастую неизбежно, однако его пригодность для описания электростатических взаимодействий на расстояниях, сравнимых с молекулярными размерами, в высшей степени сомнительна. [41]
Коэффициент температуропроводности характеризует скорость выравнивания температуры ( тепловую инертность) тела и по аналогии с коэффициентом диффузии, с которым он имеет одинаковую размерность, иногда называется коэффициентом тепловой диффузии. [42]
Здесь поправки b ( t) и d ( t) появляются из-за наличия B ( t), а первое слагаемое в правой части, аналогично (2.6.32), описывает тепловую диффузию, а второе - утолщение ( Ja 0, а 0) или утоньчение ( Ja 0, а 0) слоя с градиентом температур за счет радиального смыкания или растекания жидкости. [43]
Ионы, ускоренные до средних и высоких энергий, при внедрении в решетку твердого тела взаимодействуют с ядрами и электронными оболочками атомов мишени, теряют свою энергию и тормозятся до скоростей тепловой диффузии при температуре решетки. Различают два механизма энергетических потерь ускоренного иона в твердом теле: ядерные ( упругие) столкновения, когда ион взаимодействует с атомом мишени как с единым целым и его энергия переходит в энергию поступательного движения атомов мишени, и электронные ( неупругие) столкновения, при которых ион взаимодействует с электронной оболочкой атома мишени и расходует свою энергию на ионизацию или возбуждение атома. [44]
Из всего сказанного следует, что для возникновения электростатической связи между молекулой вещества и ионообменником должно иметь место совпадение трех следующих событий. В ходе своей тепловой диффузии внутри гранулы обменника молекула ( амфолита) должна подойти к нити полимера или стенке поры так, чтобы разноименно заряженные ионы на поверхностях сорбента и молекулы оказались сближенными до расстояния, на котором эффективно действует кулоновская сила притяжения разноименных зарядов. В этот момент оба сблизившихся иона должны оказаться незаблокированными контрионами. [45]