Cтраница 4
Наша система состоит из парового пузыря радиуса Ro, помещенного в безграничную жидкость. Теплоемкость, теплопроводность, тепловая диффузия и теплота испарения обозначены здесь через с, К, k, L, а приписываемые им индексы 1 и 2 означают соответственно паровую или жидкую фазу. Первоначально жидкость или пар находятся при одинаковой температуре ( точка кипения перегрев), которая в нашей температурной шкале выбирается за нуль. [46]
![]() |
Кинетика растворения гематита в НС1 без облучения 1 и при Y-облучении 2. с - концентрация железа в растворе. [47] |
МДж / кг) приводят к выходу на поверхность из соединений CdS элементарной серы. Коэффициенты диффузии примесей эквивалентны коэффициентам тепловой диффузии при 773 - 873 К. [48]
![]() |
Кинетика растворения гематита в НС1 без облучения 1 и при У-облучении 2. с - концентрация железа в растворе. [49] |
Так, рентгеновские или у-лучи, электроны с энергией до 100 кэв, с дозой 500 мрад ( 5 МДж / кг) приводят к выходу на поверхность из соединений CdS элементарной серы. Коэффициенты диффузии примесей эквивалентны коэффициентам тепловой диффузии при 773 - 873 К. [50]
Дырочная составляющая тока эмиттера определяется переходом дырок из эмиттера в базу. Инжектированные в базу дырки иод действием тепловой диффузии, стремящейся выровнять их концентрацию по всему объему базы, перемещаются в направлении коллектора. Так как электрическое поле в базе транзистора, создаваемое источниками питания, относительно невелико, можно считать, что перемещение дырок от эмиттера к коллектору через тонкую базу происходит исключительно за счет диффузии. При непрерывной инжекции ( / э const) в базе устанавливается соответствующее распределение концентрации дырок, что и предопределяет их перенос через базу. [51]
Поэтому эмиттер вводит в базовую область дополнительное число дырок, часть которых не успевает рекомбинировать с электронами, так как плотность подвижных зарядов в полупроводниках мала. Эти дырки, обладая временем жизни, под действием тепловой диффузии могут пройти через тонкую базовую область, за счет электрического поля коллектора - через коллекторный р - n - переход и при неизменном напряжении коллектора изменить величину тока в этой цепи. [52]
Они взяли две пленки из золота, которые были разделены слоем электрического изолятора, настолько тонким, что тепловые флуктуации у одной пленки сильно коррелировали с тепловыми флуктуациями у другой. Следовательно, если l / f - шум связан с тепловой диффузией, шум в этих пленках должен быть сильно коррелирован. [53]
Конвекция происходит при перемещении друг относительно друга веществ с различным теплосодержанием. Частицы или небольшие объемы материала могут перемешиваться при наличии или отсутствии тепловой диффузии. Теплопроводность может проявляться одновременно с конвекцией. [54]
Пассивное протекает без затрат метаболической энергии и происходит за счет энергии тепловой диффузии, свободной поверхностной энергии, расходуемой на транспирацию. Активное поглощение и транспорт тесно связаны с метаболизмом и осуществляются преимущественно за счет энергии макроэргических связей АТФ. [55]
![]() |
Схема замещения триода для режима отсечки. [56] |
На рис. 99 представлены кривые зависимости тока отсечки от напряжения питания триодов для двух значений температур ( 20 и 60 С) при различных запирающих напряжениях на базе. Это объясняется тем, что электрическое поле, созданное напряжением смещения, препятствует тепловой диффузии дырок в базу, благодаря чему сопротивление коллекторного перехода остается достаточно высоким при увеличении температуры. В мощных триодах типов П202, П4, П210, П208 запирающее смещение на базу должно быть выбрано не менее 1 - 3 в, так как только в этом случае обеспечивается надежная работа триодного ключа при повышенных температурах. [57]
![]() |
Выделение фотолитического серебра вдоль линий дислокации полигонизованного кристалла бромида серебра. [58] |
Так как полосы поглощения галогенида серебра и групп атомов серебра частично перекрываются, то при последующем облучении всегда имеется возможность перераспределения ранее выделенного серебра. Кроме того, группы атомов серебра способны перестраиваться даже в темноте, и серебро может распространяться путем тепловой диффузии при комнатной температуре по внутренним границам субструктуры кристаллов. [59]
Миграция амфотерных соединений в условиях ИФ до такого положения, в котором молекула имеет нулевой суммарный заряд, конкурирует с тенденцией зон расширяться вследствие диффузии. Увеличение градиента напряжения усиливает фокусирующий эффект до тех пор, пока джоулево тепло не вызывает смешения зон под действием тепловой диффузии и конвекции или не приведет к денатурации природных амфотерных макромолекул. И буферная емкость, и необходимая электропроводность амфолитов увеличиваются по мере уменьшения разности между р / и р / С. Когда эта разность становится равной единице, сохраняется 25 % максимальной буферной емкости, но при равности, близкой к 2, остается только 3 % буферной емкости. [60]