Использование - кремний
Cтраница 1
Использование кремния, силидов и силикатов в технике. Элементарный кремний используют в полупроводниковой технике. Он отличается от других полупроводниковых материалов кислотостой-костью и способностью сохранять большое электросопротивление при температурах до 300 С. Кремний применяют также для изготовления кислотостойких и жаропрочных литых изделий. [1]
Использование кремния и германия как полупроводников. Чистые кремний и германий используются не только для изготовления высококачественных диодов и триодов, но и мощных выпрямителей, фотосопротивлений, фотоэлементов с запирающим слоем и с высоким коэффициентом полезного действия. [2]
Степень использования кремния в таких реакторах весьма низкая. Кроме того, операции загрузки и разгрузки Контактной массы в реакторах стационарного действия очень неудобны и трудоемки. Все перечисленные особенности, естественно, исключают возможность промышленного использования этих аппаратов в непрерывных процессах прямого синтеза алкил - И арилхлорсиланов. [3]
 |
Вертикальный реактор с механическим перемешиванием. [4] |
Степень использования кремния в таких реакторах весьма низкая. Кроме того, операции загрузки и разгрузки контактной массы в реакторах стационарного действия очень неудобны и трудоемки. Все перечисленные особенности, естественно, исключают возможность промышленного использования этих аппаратов в непрерывных процессах прямого синтеза алкил-и арилхлорсиланов. [5]
В случае использования кремния свет поглощается и немедленно превращается в тепло. Если поглощенной энергии достаточно, то начинается плавление, и поскольку лазерный импульс короткий, то плавление становится локальным. Если энергия импульса будет увеличиваться, то температура может достигнуть точки испарения материала. При плотности мощности около 108 Вт / см2 температура в зоне воздействия увеличивается до 1010 С / с, а температурные градиенты до 10 - 6 С / см. Требуется около 5 не после начала лазерного импульса для того, чтобы об-ра Гатываемая поверхность достигла температуры испарения; после 50 не материал начинает плавиться на глубину до 2 мкм. Испаренный материал имеет более высокий коэффициент поглощения, чем этот же материал в твердом состоянии. [6]
Важнейшей же областью использования кремния, как мы отметили выше, являются кремнийорганические и неорганические ( или полунеорганические) полимеры, отличающиеся высокими термо - и морозостойкостью. [7]
В связи с использованием кремния в качестве полупроводникового материала большое значение приобретают методы получения чистого и особо чистого кремния. Для этого в качестве исходных материалов используют чистейшие соединения кремния ( чаще всего галиды), из которых получают кремний восстановлением или термическим разложением. [8]
Процесс легко осуществляется в виде непрерывного: использование кремния близко к количественному, катализатор не требуется, твердые продукты реакции не образуются, и при догрузке кремния реакцию без изменения показателей можно вести неограниченное время. [9]
При большом содержании цинка ( максимально 3 5 % цинка) снижается использование кремния в контактной массе и повышается содержание метилтрихлорсилана в продуктах реакции. [10]
Tetrahedron, 39, 841 - 1009, этот помер полностью посвящен использованию кремния в органическом синтезе. [11]
Стоимость полупроводниковой структуры составляет 35ч - 45 % себестоимости силового вентиля, что объясняется дороговизной и низким коэффициентом использования кремния. [12]
Миннесотском университете; в ней приняло участие свыше 275 физиков и инженеров, было заслушано 70 докладов, большинство которых было посвящено рассмотрению поверхностных состояний электронов и использованию кремния. [13]
Фотоэлементы с успехом применяются в автоматике, сигнализации, системах телеуправления, звуковом кино и др. Помимо щелочных фотоэлементов в технике используются селеновые, купроксные и полупроводниковые на основе использования кремния и германия. Если будут сконструированы фотоэлементы с большим коэффициентом полезного действия, то практически будет разрешена одна из важнейших технических проблем - превращение солнечной энергии в электрическую. [14]
Моноксид кремния получают обычно при нагревании SiO или силикатов с такими восстановителями, как водород, кремний или уголь, до температуры свыше - 1100 С в вакууме; при этом лучший выход достигается при использования кремния в качестве восстановителя. Образующийся газообразный мономерный SiO конденсируется в полимерной форме на частях реакционного прибора, которые нагреты не выше 400 С-температуры диспро-порционирования SiO. На более горячих частях прибора осаждается бурая смесь из кремния и SiO2, которые являются продуктами диспропорциониро-вания. [15]
Страницы: 1 2 3