Cтраница 3
Такие реакторы, безусловно, имеют большие преимущества перед стационарными аппаратами. Прежде всего, в реакторах с мешалками улучшается смешение газообразного хлорпроиз-водного с контактной массой, вследствие чего увеличивается степень его конверсии. Значительно уменьшается также спекание контактной массы, что увеличивает степень использования кремния. В подобных реакторах может быть осуществлен и непрерывный процесс производства органохлорсиланов. [31]
Указывая, что в химии полупроводников нет ничего принципиально нового, мы должны, однако, оговориться, что успех в освоении современной полупроводниковой техники связан с разрешением трудных физико-химических проблем. Для создания, например, совершенных выпрямителей, усилителей и фотоэлементов требуется произвести такую тщательную очистку материала, за которую не взялся бы 10 лет тому назад ни один самый искусный химик в мире. Проблема использования кремния, который в этой области применения полупроводников имеет значительные преимущества по сравнению с германием, является, в сущности, еще нерешенной проблемой его очистки. В другой важной области полупроводниковой техники, имеющей своей целью создание экономически выгодных термогенераторов, проблема чистоты материалов заменяется другой, не менее трудной проблемой изготовления жаропрочных полупроводниковых материалов с заданными электрическими и тепловыми свойствами. [32]
Реакторы стационарного действия бывают либо горизонтальными, снабженными внутри решетчатыми полками, либо вертикальными - башенного или трубчатого типа. Однако эти аппараты обладают рядом существенных недостатков. В частности, ввиду отсутствия в них перемешивания контактная масса в процессе синтеза спекается, что нарушает цикл работы и уменьшает степень полезного превращения реагентов. Степень использования кремния в таких аппаратах весьма низкая. Кроме того, операции загрузки и разгрузки контактной массы в реакторах стационарного действия очень неудобны и трудоемки. Все перечисленные особенности, естественно, исключают возможность промышленного использования этих аппаратов в непрерывных процессах прямого синтеза алкил - и арилхлорсиланов. [33]
В качестве конденсатора используют также смещенный в обратном направлении р-п переход. Диэлектриком в таком конденсаторе будет служить обедненная носителями область перехода. При использовании кремния можно получить емкость р-п перехода до 100 000 пф / см2 с пробивным напряжением в несколько десятков вольт Так как ширина обедненной зоны зависит от приложенного напряжения, то и емкость р-п перехода имеет нелинейную зависимость от напряжения. [34]
Наряду с некоторыми новыми данными по фундаментальным вопросам теории электронных явлений в аморфных полупроводниках и по современным методам их изучения значительно шире представлен круг аморфных полупроводниковых материалов как по составу, так и по структурному состоянию. При этом аналивируются особенности и возможные области применения каждого из них. Интересны данные об особенностях и перспективах использования гидроге-низированного микрокристаллического кремния мк - Si: Н, а также поликристаллического кремния. [35]
Полученный SiQ4 очищают дистиллированием и восстанавливают цинком ( метод Бекетова) или водородом. Применяют также иодидный спсссб, при котором получают кремний с небольшим содержанием примесей. При этом способе нагревают кремний с иодом и получают тетраиодид кремния ( SiJ4), который затем считают и разлагают путем нагревания на раскаленной танталовой ленте. В результате получается поликристаллический кремний. Для использования кремния в полупроводниковой технике его необходимо подвергнуть металлургической обработке, осуществив бестигельную зонную плавку. [36]
Полученный SiCl4 очищают дистиллированием и восстанавливают цинком ( метод Бекетова) или водородом. Применяют также иодидный способ, при котором получают кремний с небольшим содержанием примесей. При этом способе нагревают кремний с иодом и получают тетраиодид кремния ( SiJ4), который затем очищают и разлагают путем нагревания на раскаленной танталовой ленте. В результате получается поликристаллический кремний. Для использования кремния в полупроводниковой технике его необходимо подвергнуть металлургической обработке, осуществив бестигельную зонную плавку. [37]
При каталитическом синтезе ФХС химический состав и физические свойства контактной массы изменяются особенно резко. Как правило, после синтеза в массе содержится более 20 % органических продуктов, обусловливающих повышенную слипаемость частиц. Удельная поверхность массы возрастает примерно в 30 раз, а насыпной вес уменьшается в 3 - 4 раза. Это подтвердили испытания опытного реактора с кипящим слоем диаметром 200 мм: суммарная степень использования кремния оказалась примерно на 20 % ниже, чем при синтезе с механическим перемешиванием контактной массы. [38]
Получение аустенитной структуры добавкой одного только нике ля достигается в равновесных условиях введением его в количестве 25 %, а повышение химической стойкости сплава наступает при 27 % № Окисел никеля не образует защитной пленки. Сплавы нике ля с железом имеют невысокие механические свойства. Получение аустенитной структуры добавкой одного марганца требует меньшего его содержания ( 12 %), но марганец имеет очень низкий потенциал не образует пассивирующей пленки. Чисто марганцевые аустенит-яые стали обладают плохой обрабатываемостью и неудовлетворительными технологическими свойствами. Кремний и алюминий, так же как и хром, образуют защитную пленку окислов и способствуют образованию однофазной ферритной структуры, но кремнистые и алюминиевые стали имеют низкую вязкость и весьма плохие техно логические свойства. Поэтому использование кремния и алюминия как самостоятельных элементов, ограничено. Кроме того, пленка окисла алюминия растворима в ряде кислотных сред. [39]