Движение - основной носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Механизм возникновения тэков диффузии, рекомбинации и генерации.| Возникновение тока рекомбинации ( а и тока генерации ( б. [1] |
Движение основных носителей заряда, возникшее в полупроводнике при инжекции в него неосновных носителей, называется током рекомбинации. [2]
 |
Электронно-дырочный переход. [3] |
При отсутствии внешнего напряжения движение основных носителей заряда ( дырок из р в п и электронов из л в р) уравновешивается встречным движением неосновных носителей заряда ( электронов из р в п и дырок из п в р) и ток в цепи не наблюдается. [4]
В этом случае потенциальный барьер способствует движению основных носителей заряда через переход. [5]
В полупроводниковой пластине этот ток обеспечивается движением основных носителей заряда. Торец пластины, от которого движутся носители заряда, называется истоком. Торец, к которому движутся носители заряда - стоком. На границе раздела пластин пир возникают электронно-дырочные переходы. К этим переходам в непроводящем направлении приложено входное напряжение ывх. [6]
Как известно, прямой ток через ДШ обусловлен движением основных носителей заряда, а инжекция и накопление неосновных носителей заряда, характерные для р-п перехода, здесь практически отсутствуют. На рис. 3.8, в представлены прямые ветви вольт-амперных характеристик ( ВАХ) ДШ ( /) и коллекторного р-п перехода обычного изопланарного транзистора ( 2) при Т 300 К. [7]
Диод Шоттки по существу представляет собой прибор, в котором происходит движение основных носителей заряда, и поэтому / 0 в первом приближении не зависит от концентрации ND, если она принимает достаточно большие значения. Влияние диффузии, характеризуемое (2.66), также усиливается при малых NQ, что приводит к понижению / о - При высоких значениях ND ( не менее 10 8 - 10 19 см 3) барьер Шоттки существенно снижается и становится настолько тонким, что его преодолевает посредством туннелирования большое количество носителей заряда. [8]
 |
ЯС-генератор в твердотельном исполнении. [9] |
Полевой транзистор не имеет подобного источника шума, так как при ег о работе используется движение только основных носителей зарядов. В силу этого и уровень шума полевых транзисторов - значительно меньше, чем биполярных. Основным источником шума полевых транзисторов является тепловой шум, создаваемый активным сопротивлением канала. [10]
 |
Схема включения полевого транзистора. [11] |
Между затвором и основным кристаллом возникает р-п-переход, а в самом кристалле создается узкий канал К ( и-типа) для движения основных носителей заряда - электронов. Сечение канала зависит от напряжения на затворе. [12]
 |
Распределение токов в элементе И - НЕ с простым инвертором. [13] |
Многоэмиттерный транзистор представляет собой совокупность нескольких транзисторных структур, имеющих общий коллектор и непосредственно взаимодействующих друг с другом только за счет движения основных носителей заряда. [14]
 |
Простейшая структура полевого транзистора с каналом, образованным р-п переходами. [15] |
Страницы: 1 2