Движение - основной носитель - заряд
Cтраница 2
Представим себе пластину полупроводникового материала с двумя р-п переходами и омическими контактами к каждой из трех областей с различными типами проводимости, расположенными, как показано на рис. 8.1. Электроды на противоположных концах средней, в данном случае - области, называются истоком и стоком, в соответствии с движением основных носителей заряда. Области р-ти-па ограничивают толщину - области, образующей токопроводя-щий канал, и, таким образом, играют роль затвора управляющего электрода. [16]
 |
Симметричный р-п переход. [17] |
Этот двойной слой электрических зарядов создает вблизи границы электрическое поле ( рис. 10 - 2, г), напряженность которого § к. С ростом поля, ек интенсивность движения основных носителей зарядов через границу снижается: все большее число дырок и электронов отражается этим полем от границы и возвращается обратно. [18]
Поэтому электроны могут свободно двигаться из р-полупроводника в п-полу-проводник, точно так же, как дырки из п-полупроводника в р-полупроводник. Обобщая, можно отметить, что контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей. [19]
При прямом включении ( плюсом на металл, минусом на полупроводник) высота потенциального барьера снижается, сопротивление обра-зоьанного слоя уменьшается и через него электроны ( основные носители дл 1 полупроводника) переходят в металл. Так как при этом инжекции дырок из металла в полупроводник не происходит, прямой ток обусловлен движением только основных носителей заряда полупроводника. [20]
При прямом включении ( плюсом на металл, минусом на полупроводник) высота потенциального барьера снижается, сопротивление образованного слоя уменьшается и через него электроны основные носители для полупроводника) переходят в металл. Так как при этом инжекции дырок из металла в полупроводник не происходит, прямой ток обусловлен движением только основных носителей заряда полупроводника. [21]
 |
Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. [22] |
Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. Возникшая разность потенциалов создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее как переходу электронов из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в полупроводник n - типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из полупроводника р-типа в полупроводник n - типа, точно так же как дырки из полупроводника n - типа в полупроводник р-типа. Таким образом, контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. Однако при движении через p - n - переход неосновных носителей ( так называемый дрейфовый ток / др) происходит снижение контактной разности потенциалов фк, что позволяет некоторой части основных носителей, обладающих достаточной энергией, преодолеть потенциальный барьер, обусловленный контактной разностью потенциалов фк. [23]
Страницы: 1 2