Cтраница 1
Движение упругих сред изучается в теории упругости. [1]
Движение преднапряженной упругой среды в общем случае описывается линеаризованными уравнениями движения (3.1.1) или (3.2.1) в зависимости от используемой системы координат. Переход к лагранжевой системе координат не представляет принципиальных трудностей. [2]
При наличии движения упругой среды акустические явления усложняются, так как движущийся поток сам может быть источником звука за счет пульсаций скорости потока или его нестационарности. [3]
Чтобы получить уравнения движения упругой среды, рассмотрим изменение напряжений на перпендикулярных к осям гранях малого параллелепипеда со сторонами Ьх, Ъу, bz ( фиг. Компоненты напряжения изменяются при переходе от грани к грани; чтобы вычислить усилие, действующее на каждую грань, отнесем напряжение, умноженное на площадь грани, к центру каждой грани. [4]
Для явлений меньшего масштаба осредненное описание движений упругой среды оказывается, по-прежнему, возможным. С другой стороны, всегда существуют те или иные диссипативные механизмы, которые будут учитываться ниже. Учет дисперсии наряду с диссипацией вызывает необходимость правильного рассмотрения структуры разрывов для отбора допустимых разрывов. Это исследование является необходимым элементом для построения новой крупномасштабной модели, описывающей рассматриваемую осредненную среду. [5]
Из формулы (1.17) видно, что при плосковолновом движении упругой среды кинетическая и потенциальная энергии каждого малого участка среды являются одинаковыми периодическими функциями фазы волны и пропорциональны произведению плотности среды на квадрат амплитуды и квадрат циклической частоты колебаний. [6]
Система дифференциальных уравнений термоупругости (1.1) состоит из уравнения движения упругой среды, принадлежащего гиперболическому ( вырожденному) типу и из уравнения теплопроводности, относящегося к параболическому типу. [7]
В ряде работ [74,75] используется другая форма линеаризованных уравнений движения упругой среды в актуальной конфигурации, выраженная через конвективную производную тензора напряжений Коши. [8]
![]() |
Схема распространения УЗ волн в поликристаллическом твердом теле.| Зависимость коэффициента затухания продольной ( б / и поперечной ( 8 волн от частоты. [9] |
В выражении для плоских УЗ волн, так же и в основном уравнении движения упругой среды, не учитывается ослабление волны, связанное с затуханием УЗ. В реальных средах по причине внутреннего трения, неидеальных упругих свойств и других эффектов затухание УЗ имеет существенное значение. [10]
Вследствие принятых допущений кинематического и статического характера классическая теория оболочек утратила свойство гиперболичности трехмерных уравнений движения упругой среды и оказывается неприемлемой для описания бегущих нзгибных волн. Поэтому к обычно рассматриваемым п классической теории оболочек деформациям и силам инерции рассматривают деформации, связанные с поперечными силами, и инерцию вращения. Такая схема динамического поведения оболочки обычно трактуется как модель второго приближения. [11]
Компоненты тензора напряжений в цилиндрических координатах определяются аналогично тому, как это делается в декартовых координатах при выводе уравнений движения упругой среды в задаче 11 8 1 гл. [12]
Компоненты тензора напряжений в цилиндрических координатах определяются аналогично тому, как это делается в декартовых координатах при выводе уравнений движения упругой среды в задаче 11 § 1 гл. [13]
Полученный результат не противоречит принципу относительности, так как здесь важно не относительное движение приемника и источника, а их движение относительно упругой среды, в которой распространяется волна и с которой связана система отсчета. [14]
К ( п п действующих на смещенные из равновесных положений доменные стенки, уравнение электростатики здесь также необходимо дополнить уравнение движения упругой среды и соответствующими материальными уравнениями в кристалле с пьезоэффектом. Отметим, что роль дальнодействующих электрических полей в контроле за смещениями доменных границ может быть уменьшена при наличии достаточно большого числа свободных носителей заряда в сегнетоэлектрическом кристалле. Однако, большинство се-гнетоэлектриков является хорошими диэлектриками, время максвел-ловской релаксации в которых измеряется секундами или минутами и, значит, оно почти всегда превышает обратную частоту рассматриваемого здесь динамического процесса. В этом случае атмосфера носителей заряда практически не успевает реагировать на изменения полярного состояния кристалла, вызванные смещениями доменных границ. [15]