Cтраница 2
Причина указанных, а также и других расхождений результатов приведенных выше расчетов с данными опыта состоит в том, что в этих расчетах исходят из очень упрощенных представлений о характере движения электронов проводимости в металле. [16]
Области - пространства, внутри которых Е ( К) является квазинепрерывной функцией k, называют зонами Бриллюэна. Анализ движения электронов проводимости показывает, что fak напоминает импульс. Чтобы отличать fak от истинного импульса электрона, произведение fak принято называть квазиимпульсом. [17]
Считается, что электроны сталкиваются с узлами кристаллической решетки и электрон свободно проходит расстояние, равное периоду кристаллической решетки. В квантовой теории металлов движение электронов проводимости сквозь металл рассматривается как процесс распространения электронных волн де Бройля. Для понимания механизма этого распространения полезно напомнить об аналогичной задаче в оптике. Если пучок света распространяется сквозь мутную среду ( туман, коллоидные растворы и пр. Чтобы возникло рассеяние света, нужно, чтобы частицы в среде - центры рассеяния - были расположены друг от друга на расстояниях d, по порядку величины не меньших длины световой волны d L Если же / /, то рассеяния не происходит и среда является оптически однородной. [18]
Если к металлу приложено постоянное электрическое поле е, то в нем будет существовать стационарный ток. Необходимо ясно представить себе, почему движение электронов проводимости оказывается стационарным. [19]
Трехмерный потенциальный ящик. [20] |
Однако существует реальное явление, в известной мере отвечающее поставленным условиям - это движение электронов проводимости в куске металла. Эти электроны движутся во всех направлениях, но за пределы куска не выходят. Поэтому модель трехмерного потенциального ящика используется в теории металлического состояния. [21]
Рассмотрим сначала кристаллы с широкими зоной проводимости и валентной зоной, в которых движение электронов проводимости и дырок происходит по туннельному механизму и не связано с затратами энергии активации. [22]
Электрический ток передается в металлах движением электронов, образующих электронный газ. При отсутствии внешнего электрического поля электроны движутся во всех направлениях, и это движение электронов проводимости носит неупорядоченный характер. Под влиянием же разности потенциалов, приложенной к металлу извне, появляется направленное движение электронов. Движение электронов и осуществляет передачу электричества. Чем слабее электроны связаны с атомами, тем больше будет электропроводность металла. [23]
Возникновение элек - Влен тем, что всякий разрыв валентной. [24] |
Следовательно, в полупроводниках возможны два различных процесса электропроводности: электронный, осуществляемый движением электронов проводимости, и дырочный, обусловленный движением дырок. [25]
Однако существует реальное явление, в известной мере отвечающее поставленным условиям, - это движение электронов проводимости в куске металла. Эти электроны движутся во всех направлениях, но за пределы куска не выходят. Поэтому модель трехмерного потенциального ящика применяется в теории металлического состояния. [26]
Электрический ток передается в металлах движением электронов, образующих электронный газ. При отсутствии внешнего электрического поля электроны движутся во всех направлениях, : и это движение электронов проводимости носит неупорядоченный характер. Под влиянием же разности потенциалов, приложенной к металлу извне, появляется направленное движение электронов. Движение электронов и осуществляет передачу электричества. Чем слабее электроны связаны с атомами, тем больше будет электропроводность металла. [27]
Электронная теория проводимости металлов позволила пол / - чить этот закон и1 найти значение константы Ct. В § 15.3 первого тома курса говорилось, что теплопроводность металлов в основном осуществляется за счет движения электронов проводимости. [28]
Но магнитное поле оказывает влияние и на внутреннее движение заряженных частиц в веществе, в частности на движение электронов проводимости в металлах. Это приводит к ряду эффектов, которые называются гальваномагнитными и термомагнитными явлениями. [29]
Схема устройства акустической памяти. 1 - входные преобразователи. 2 - выходной преобразователь.. ч - авуио-провод - пластина LiNbO3. 1 - полупроводниковая пластина ( Si или CdS с алектродом 5. [30] |