Движение - валентный электрон
Cтраница 1
 |
Возникновение пары электрон-дырка в полупроводниковом. [1] |
Движения валентных электронов очень ограничены, они переходят от одного атома к другому. Если продолжить нашу аналогию, то в электрическом городе электроны только переезжают в соседний дом, через дорогу, а дырки переходят от соседа к соседу и могут совершать большие путешествия. Подвижность носителей заряда определяет электропроводность материала. Поэтому и говорят о дырочной электропроводности или более коротко - об электропроводности р-типа. [2]
 |
Вероятности переходов в побочных сериях натрия. [3] |
При этом движение валентного электрона - рассматривается в эффективном поле атомного остова. Метод применен также к расчету вероятностей переходов в атомах с двумя валентными электронами. [4]
Но на движении валентного электрона, конечно, сказывается существование электронов атомного остатка. Прежде всего электроны атомного остатка частично экранируют положительный заряд ядра. Поскольку заряд электронов остатка на единицу меньше заряда ядра, то результирующий положительный заряд атомного остатка будет равен единице ( в е), так же как у ядра атома водорода. Этим единичным зарядом и определяется кулонова сила, действующая на валентный электрон. [5]
В этом случае движение валентного электрона но его орбите эквивалентно току электронных зарядов по траектории его движения. [6]
Таким образом, учет движения валентного электрона при больших энергиях соударения приводит к увеличению классического сечения ионизации атома электронным ударом в 5 / 3 раз ( ср. [7]
Квантовая механика твердых тел рассматривает движение валентных электронов в кристалле, как движение их в периодическом поле кристаллической решетки. [8]
Квантовая механика твердых тел рассматривает движение валентных электронов в кристалле как движение их в периодическом поле кристаллической решетки. [9]
Квантовая механика твердых тел рассматривает движение валентных электронов в кристалле, как движение их в периодическом поле кристаллической решетки. [11]
Вектор L определяет полный орбитальный момент количества движения валентных электронов; с этим механическим моментом связан определенный магнитный момент, а следовательно, и наличие магнитного взаимодействия с собственными магнитными моментами электронов. [12]
При применении векторной модели атома учитываются моменты количества движения только валентных электронов, составляющих внешнюю, не полностью замкнутую электронную оболочку атома. [13]
При отсутствии внешних возмущений, ковалентные связи устойчивы и движение валентных электронов ограничивается их индивидуальными связями. [14]
Так мы делаем вывод, что в полупроводниках могут иметь место два механизма проводимости: за счет движения свободных электронов в зоне проводимости и за счет движения валентных электронов в валентной зоне. Естественно, что с повышением температуры количество электронов, получающих достаточную для преодоления запрещенной зоны энергию, возрастает, число электронов в зоне проводимости и число свободных уровней в валентной зоне увеличиваются и проводимость полупроводника возрастает. [15]
Страницы: 1 2 3 4