Направленное движение - носитель - заряд
Cтраница 1
Направленное движение носителей заряда под действием электрического поля носит название дрейфа. Сопротивление току определяется рассеянием носителей заряда на дефектах решетки кристалла, вызываемых тепловыми: колебаниями атомов, всевозможными геометрическими нарушениями и примесями посторонних элементов. Энергия, накопленная носителем заряда на длине свободного пробега под воздействием электрического поля, передается решетке в виде тепла. [1]
Направленное движение носителей заряда под действием электрического поля называют дрейфом. При очередном соударении электрона с атомом кристаллической решетки электрон отдает кристаллической решетке накопленную на длине свободного пробега энергию, возвращаясь на один из низко лежащих энергетических уровней в разрешенной зоне. [2]
 |
Включение в электрическую цепь полупроводника. [3] |
Направленное движение носителей зарядов может вызываться не только электрическим полем, но и разной их концентрацией в объеме вещества. Процесс направленного движения носителей зарядов, вызванный их неравномерной концентрацией, носит название диффузии носителей зарядов, а соответствующий ток называют диффузионным в отличие от дрейфового тока. [4]
Направленное движение носителей заряда под действием электрического поля называют дрейфом. [6]
Явление направленного движения носителей зарядов и ( или) явление изменения электрического поля во времени, сопровождаемые магнитным полем, называют полным электрическим током. [7]
Причинами, вызывающими направленное движение носителей зарядов, могут быть внешнее электрическое поле и неравномерность концентрации носителей зарядов. Направленное движение носителей зарядов, вызванное действием внешнего электрического поля, называют дрейфом носителей зарядов; ток в полупроводнике в этом случае называют дрейфовым. Направленное движение носителей зарядов, вызванное неравномерностью концентрации носителей зарядов, называют диффузией, и ток в этом случае называется диффузионным. [8]
Так как скорость направленного движения носителей заряда в лавинно-пролетных диодах в режиме с захваченной плазмой значительно ниже скорости насыщения, то частота генерируемых колебаний обычно не превышает 10 ГГц, в то время как при лавинно-пролетном режиме эта частота может составлять несколько сотен гигагерц. Другие отличия в свойствах и параметрах при различных режимах работы вызваны тем, что при лавинно-пролетном режиме уменьшение скорости дрейфа ниже скорости насыщения нежелательно, а при режиме с захваченной пл азмой - наоборот. А так как напряжение на диоде оказывается малым при больших токах и, наоборот, большим при малых токах, то КПД достигает 40 % для диодов из арсенида галлия и кремния. [9]
Так как скорость направленного движения носителей заряда в лавинно-пролетных диода в режиме с захваченной плазмой значительно ниже скорости насыщения, то частота генерируемых колебаний обычно не превышает 10 ТГц, в то время как при лавинно-пролетпом режиме эта частота может составлять несколько сотен гигагерц. Другие отличия в свойствах и параметрах при различных режимах работы вызваны тем, что при лавинно-пролетном режиме уменьшение скорости дрейфа ниже скорости насыщения нежелательно, а при режиме с захваченной плазмой - наоборот. А так как напряжение на диоде оказывается малым при больших токах и, наоборот, большим при малых токах, то КПД достигает 40 % для диодов из арсенида галлия и кремния. [10]
Пусть v - скорость направленного движения носителей заряда, изменение ее происходит в результате действия внешней силы и соударений. [11]
Поток энергии, обусловленный направленным движением носителей зарядов, называется потоком Пельтье, а величина П называется коэффициентом Пельтье. [12]
Поток энергии, обусловленный направленным движением носителей зарядов, называют потоком Пельтье, а величину П называют коэффициентом Пельтье. [13]
Электрический ток не является физической величиной, а рассматривается как явление направленного движения носителей зарядов. [14]
 |
Зависимость удельной проводимости металла ( / и полупроводника ( 2 от температуры. [15] |
Страницы: 1 2 3