Cтраница 2
Помимо дрейфа носителей, который происходит в полупроводнике под действием электрического поля, направленное движение носителей заряда возникает и при диффузии. [16]
Помимо дрейфа носителей, который происходит в кристалле под действием электрического поля, направленное движение носителей заряда возникает при диффузии. Как уже отмечалось, электроны и дырки находятся в кристалле в состоянии постоянного теплового возбуждения и движения. [17]
В веществе, помещаемом в электрическом поле, под действием сил электрического поля возникает направленное движение носителей зарядов ( электронов, ионов) - электрический ток. Это свойство называют электропроводностью вещества. Степень электропроводности вещества оценивают удельной электрической проводимостью материала. [18]
В веществе, помещаемом в электрическое поле, под действием сил электрического поля, возникает направленное движение носителей зарядов ( электронов, ионов) - электрический ток. Это свойство называют электропроводностью вещества. Степень электропроводности вещества оценивают удельной электрической проводимостью материала. [19]
Полевой транзистор представляет собой1 полупроводниковый прибор, в котором управление током между двумя электродами, образованным направленным движением носителей заряда дырок или электронов, осуществляется электрическим полем, создаваемым напряжением на третьем электроде. [20]
Эффект Холла заключается в возникновении ЭДС Холла между двумя противоположными гранями образца металла или полупроводника в виде параллелепипеда, если перпендикулярно одним из оставшихся граней имеется направленное движение носителей заряда, а перпендикулярно другим приложено магнитное поле. [21]
Причинами, вызывающими направленное движение носителей зарядов, могут быть внешнее электрическое поле и неравномерность концентрации носителей зарядов. Направленное движение носителей зарядов, вызванное действием внешнего электрического поля, называют дрейфом носителей зарядов; ток в полупроводнике в этом случае называют дрейфовым. Направленное движение носителей зарядов, вызванное неравномерностью концентрации носителей зарядов, называют диффузией, и ток в этом случае называется диффузионным. [22]
![]() |
Включение в электрическую цепь полупроводника. [23] |
Направленное движение носителей зарядов может вызываться не только электрическим полем, но и разной их концентрацией в объеме вещества. Процесс направленного движения носителей зарядов, вызванный их неравномерной концентрацией, носит название диффузии носителей зарядов, а соответствующий ток называют диффузионным в отличие от дрейфового тока. [24]
Перенос заряда или электрический ток в твердом теле представляет собой направленное движение носителей заряда ( электронов или дырок), вызванное внешним электромагнитным полем или градиентом температуры и концентрации носителей. Направленное движение носителей заряда, вызванное полем, создает дрейфовый ток, вызванное градиентом температуры - термоток, вызванное градиентом концентрации - диффузионный ток. Направленное перемещение носителей заряда накладывается на хаотическое теиловое движение, причем в большинстве случаев среднеквадратичная скорость хаотического движения значительно превосходит скорость их направленного движения. [25]
![]() |
Схема образования и перемещения дырки в кристаллической решетке германия. [26] |
Это связано с тем, что электроны и дырки находятся в состоянии хаотического теплового движения, претерпевая многочисленные столкновения с атомами решетки и друг с другом. При этом все направления теплового движения зарядов равновероятны, так как вероятность столкновения в любом направлении одна и та же, и направленного движения носителей заряда не происходит. [27]
В начале этого переходного процесса величина тока весьма мала, начальное напряжение L zl также относительно мало, следовательно, очень мала и подводимая к дуге мощность. Поэтому в начальной стадии данного процесса область дугового промежутка теряет свойства самостоятельного дугового разряда, поскольку в нем прекращаются процессы термической ионизации; несмотря на достаточно высокую степень ионизации в области так называемого остаточного ствола, шреобладающим является хаотическое тепловое, а не направленное движение носителей зарядов. [28]
Причинами, вызывающими направленное движение носителей зарядов, могут быть внешнее электрическое поле и неравномерность концентрации носителей зарядов. Направленное движение носителей зарядов, вызванное действием внешнего электрического поля, называют дрейфом носителей зарядов; ток в полупроводнике в этом случае называют дрейфовым. Направленное движение носителей зарядов, вызванное неравномерностью концентрации носителей зарядов, называют диффузией, и ток в этом случае называется диффузионным. [29]
Перенос заряда или электрический ток в твердом теле представляет собой направленное движение носителей заряда ( электронов или дырок), вызванное внешним электромагнитным полем или градиентом температуры и концентрации носителей. Направленное движение носителей заряда, вызванное полем, создает дрейфовый ток, вызванное градиентом температуры - термоток, вызванное градиентом концентрации - диффузионный ток. Направленное перемещение носителей заряда накладывается на хаотическое теиловое движение, причем в большинстве случаев среднеквадратичная скорость хаотического движения значительно превосходит скорость их направленного движения. [30]