Поверхностная диффузия

Cтраница 4

При рассмотрении поверхностной диффузии обычно полагают, что она осуществляется в приповерхностном слое, структура которого отличается от строения основной массы вещества кристалла вследствие особых условий, в которых находятся частицы вблизи поверхности. [46]

Механизмы гетеродиффузии вещества А по подложке В. [47]

В процессах поверхностной диффузии большую роль играют активные центры сорбции и различные структурные дефекты поверхности [125], в частности существенное влияние на кинетику диффузии оказывают выходы дислокаций на поверхность кристаллов и поверхностные трещины, являющиеся местами скоплений диффундирующих ионов. [48]

Очевидно, что поверхностная диффузия не может быть значительной до тех пор, пока адсорбция не достигнет заметной величины. С другой стороны, если адсорбированные молекулы будут прочно удерживаться на поверхности, то поверхностная диффузия не будет иметь существенного значения. [49]

При низкотемпературном восстановлении поверхностная диффузия сильно замедляется и получаются металлы с более высокой дисперсностью. Диффузию атомов и небольших частиц металлов можно ингибировать также, добавляя к катализаторам различные невосстанавливаемые соединения. [50]

При этих условиях поверхностная диффузия и глубина ее проникновения Я0 настолько велики, что концентрация ад-атомов повсюду остается очень близкой к равновесной концентрации и поэтому и здесь возникает только перенапряжение перехода. [51]

Как оказалось, поверхностная диффузия способствует устойчивости этих форм роста. Дело в том, что благодаря эффекту Гиббса - Томсона равновесная концентрация над поверхностью с большой кривизной превышает равновесную концентрацию над плоской поверхностью, так что вдоль поверхности кристалла возникает градиент концентрации, благодаря которому при наличии поверхностной диффузии вещество переносится от выступа к плоскому участку. В итоге выступ утрачивает устойчивость, а исходная форма роста становится более устойчивой. [52]

При обосновании механизма поверхностной диффузии, согласно Дж. Бокрису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на поверхности грани и в месте роста, обусловленное стерическими условиями. При адсорбции на поверхности грани десольватация иона оказывается наименьшей, тогда как адсорбция в месте k ( см. рис. 169) требует значительной десольватации иона и потому может оказаться энергетически невыгодной, В результате разряд будет происходить преимущественно на поверхности грани. В ходе последующей диффузии к месту роста наблюдается постепенная десольватация адиона. [53]

Процесс перескока в поверхностной диффузии был рассмотрен Хигаши и др. [3.138] в теории разделения бинарной смеси с учетом поверхностной диффузии и газофазного кнудсеновского потока через длинный капилляр. [54]

Для уточнения роли поверхностной диффузии в рассмотренном механизме сублимации определим среднее перемещение А, атома на поверхности кристалла в самоадсорбированном состоянии. [55]

Различие во вкладе поверхностной диффузии в общую скорость потока в нестационарных и стационарных условиях авторы объясняют тем, что в нестационарных условиях газ проникает во все поры и, следовательно, вся поверхность имеет значение для скорости переноса. В стационарных условиях не все поры принимают участие в переносе, например тупиковые поры выключаются. [56]

Изменение плотности тока с расстоянием от растущей ступени для различных величин ND при т ] 10 мв ( а и для различных перенапряжений [ катодных и анодных при ND 103 ( б ]. [57]

Зависимость констант скорости поверхностной диффузии от плотности дислокаций учитывается Деспичем и Бокрисом [21]: в соответствующие уравнения вводятся величины расстояний между растущими ступенями ( линиями), среднее значение которых связано простым соотношением с плотностью дислокаций. [58]

Зависимость высоты подъема пленки ртути Я0 по кад-мию от массы ртутной капли m при. [59]

Кратко рассмотрим влияние поверхностной диффузии. [60]

Страницы: 1 2 3 4