Cтраница 1
Действие полупроводниковых приборов основано на использовании материалов, которые по своим электрическим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. [1]
Действие полупроводниковых приборов основано на свойстве полупроводниковых материалов при определенных условиях изменять в широких пределах удельное электрическое сопротивление. Для полупроводниковых диодов характерна нелинейная зависимость их сопротивления от приложенного напряжения: при нулевом и положительном напряжениях сопротивление диода мало, а при отрицательном напряжении оно резко возрастает. Вольтамперная характеристика управляемых диодов ( тиристоров) имеет особый вид. Электрическое сопротивление такого диода велико не только в области отрицательных значений напряжения, но и в достаточно большом диапазоне их положительных значений. Сопротивление диода резко падает при подаче тока в цепь управляющего электрода или в случае увеличения напряжения выше определенной величины. [2]
Действие полупроводниковых приборов базируется на использовании электрических явлений в полупроводниках, в частности, на границе полупроводников с различными видами проводимости. В таких приборах как отрицательные, так и положительные носители заряда перемещаются в основном диффузионным путем за счет энергии теплового движения зарядов в твердом теле, а также за счет электрического поля, создаваемого внешним источником. [3]
Принцип действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов базируется на движении свободных частиц, которые благодаря своему заряду подвержены воздействию со стороны электрических и магнитных полей. [4]
Устройство и действие полупроводниковых приборов основано на природе и значении проводимости полупроводников. Проводимость вещества пропорциональна количеству свободных электронов в его атоме. [5]
Чтобы понять действие полупроводниковых приборов, нужно прежде всего познать механизм электропроводности полупроводников. Для этого необходимо вспомнить структуру вещества, строение атомов и молекул. [6]
Для увеличения надежности действия полупроводниковых приборов следует снижать приложенные к ним напряжения. [7]
Итак, механизм действия полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой ( тиристоров) имеет резко выраженный ключевой характер. Приборы могут находиться только в одном из двух устойчивых состояний: Закрыто и Открыто. Эта особенность приборов отражена в их названии: тира - по-гречески означает дверь. [8]
Для увеличения надежности действия полупроводниковых приборов следует снижать рабочие напряжения на них. [9]
Приведенное выше описание принципа действия полупроводниковых приборов содержит ряд упрощений. Главное упрощение заключается в том, что не рассматривалась роль процессов рекомбинации электронов и дырок. Между тем именно рекомбинация определяет многие характерные черты электронных явлений в полупроводниках. [10]
В книге изложены принципы действия полупроводниковых приборов - диодов, транзисторов, резисторов, фоточувствительных и из-лучательных приборов и др.; рассмотрены основные виды приборов каждого типа; кратко описана конструкция и технология их изготовления; приведены электрические характеристики и указаны области применения приборов. [11]
Так как большая часть теории действия полупроводниковых приборов развивается в предположении, что температура электронно-дырочного перехода поддерживается ниже некоторого определенного уровня, эти формулы вместе с теми, которые описывают выделение тепла в приборе, образуют основную часть выражений, требующихся для определения области работы УПВ. [12]
В настоящей главе рассматриваются принципы действия полупроводниковых приборов различных типов, свойства и характеристики их, некоторые особенности их применения. [13]
Таким образом, хотя принцип действия вакуумных и полупроводниковых приборов существенно различен и явления, возникающие в них, имеют различную физическую природу, расчеты могут быть сведены к единой методике. [14]
В этой книге описаны устройство и принцип действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Всем, кому в практической деятельности придется сталкиваться с устройствами автоматики и промышленной электроники, необходимо знание параметров и свойств различных приборов, так как без этого невозможно правильное их применение. Промышленностью различных стран в настоящее время выпускаются десятки тысяч различных типов электронных, ионных и полупроводниковых приборов в год, а в эксплуатации их насчитываются уже миллиарды. [15]