Действие - полупроводниковый прибор
Cтраница 2
В книге освещаются физические основы электроники, принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов и основные области их применения. Достаточно подробно изложены основные методы анализа и расчета электронных схем. [16]
В следующей главе мы ознакомимся с физическими основами и принципами действия полупроводниковых приборов - диодов и транзисторов, без которых было бы невозможно создание малогабаритных переносных приемников. [17]
Техническая электроника представлена в этой Книге, как учение о физических основах, устройстве и принципах действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Техническая электроника находится в стадии интенсивного развития, поэтому обилие накопленных знаний вызывает необходимость представить весь материал в двух томах. [18]
 |
Положение области пространственного заряда ( на переход подано обратное смещение. а при отсутствии каналов, б при образовании каналов. [19] |
Эта модель не учитывает влияния поверхностных зарядов и соответствует тем случаям, которыми мы пользовались при рассмотрении принципа действия полупроводниковых приборов в предшествующих параграфах. Во многих случаях эта модель остается справедливой. Однако при некоторых условиях у поверхности одного из объемов ( электронного или дырочного) может образоваться тонкий инверсный слой. [20]
 |
Схематическое устройство и работа полупроводникового диода. [21] |
Теперь, когда ты имеешь некоторое представление о явлениях, происходящих в полупроводниках, тебе нетрудно будет понять принцип действия полупроводниковых приборов. [22]
В книге изложены основы физики полупроводниковых приборов и физические явления в полупроводниках в объеме, необходимом для понимания принципа действия полупроводниковых приборов ( диодов, транзисторов, фоточувствительных приборов, полупроводниковых резисторов и др.) и процессов, происходящих в них. Рассмотрены основные типы полупроводниковых приборов и материалы для их изготовления. Дана классификация полупроводниковых приборов, кратко описаны конструкция и технология их изготовления, приведены электрические характеристики и указаны области применения. [23]
 |
Энергетическое отличие металлических проводников от полупроводников и диэлектриков с точки зрения зонной теории твердого тела. [24] |
При изучении электропроводности твердых тел воспользуемся результатами статистики Ферми - Дирака и определим понятие уровня Ферми, которое необходимо для наиболее простого изложения механизма действия важнейших полупроводниковых приборов. [25]
Принцип действия полупроводниковых приборов основан на явлении односторонней проводимости, возникающей при контакте полупроводника с металлом или при контакте двух полупроводников. [26]
Предлагаемая книга является программированным учебным пособием по I части курса Основы промышленной электроники для неэлектротехнических специальностей высших технических учебных заведений. В нее входят вопросы, связанные в основном с устройством и принципом действия электронных, ионных, полупроводниковых приборов и фотоэлементов. Описания некоторых применений этих приборов приведены здесь лишь в незначительном объеме. [27]
 |
Движение дырки как частицы с положительным зарядом в не полностью заполненной электронами энергетической зоне под воздействием электрического напряжения. [28] |
Образование двух разновидностей свободных носителей заряда - отрицательных электронов и положительных дырок-является важнейшей особенностью полупроводников. В сочетании с легкостью регулирования концентрацией носителей заряда при помощи внешнего воздействия ( о чем мы будем говорить чуть ниже) она стала тем фундаментом, на котором основан принцип действия полупроводниковых приборов. [29]
Приводятся основные понятия об элементах электрической цепи, методах расчета простых цепей постоянного и переменного тока. Дается общее описание физических процессов, происходящих в электрическом и магнитном полях. Излагается принцип действия полупроводниковых приборов, электрических машин и аппаратов, электроизмерительных приборов. Приводятся сведения о применении электронных вычислительных устройств в электротехнике. [30]
Страницы: 1 2 3